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公开(公告)号：CN103987680A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280055282.4
申请日：2012-11-07
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： C04B35/622 , B28B11/10 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L41/22
CPC分类号： H01L27/1255 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1645 , H01L21/28291 , H01L21/67098 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L28/55 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/317 , H01L41/332 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/147 , H01L45/1608
摘要： 本发明的一种功能性设备的制造方法包括模压工艺、功能性固体材料层形成工艺。模压工艺中，在对以功能性固体材料前驱体溶液作为起始材料的功能性固体材料前驱体层推压用于形成模压结构的模具的期间的至少一部分时间内，以使对所述功能性固体材料前驱体层供应热量的热源的第一温度高于所述功能性固体材料前驱体层的第二温度的方式，对所述功能性固体材料前驱体层实施模压加工的模压工艺。另外，功能性固体材料层形成工艺中，在所述模压工艺后，在含氧气氛中通过用高于所述第一温度的第三温度对所述功能性固体材料前驱体层进行热处理，从而由所述功能性固体材料前驱体层形成功能性固体材料层。
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公开(公告)号：CN103515386A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310187731.7
申请日：2013-05-20
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 朴南均
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/24 , H01L27/22 , H01L21/822
CPC分类号： H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要： 提供了一种垂直存储器件及其制造方法，所述垂直存储器件能够使单元尺寸最小化、并且改善电流驱动能力。所述垂直存储器件包括公共源极区和形成在所述公共源极区上、并且沿着第一方向延伸的源极区。沟道区形成在每个源极区上，所述沟道区沿着第一方向延伸。沟槽形成在沟道区之间。漏极区形成在每个沟道区上。导电层形成在每个沟道区的侧面上，所述导电层沿着第一方向延伸。数据储存材料形成在每个漏极区上。
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公开(公告)号：CN103514950A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310240843.4
申请日：2013-06-18
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 本公开涉及电阻变化存储器及电阻变化器件的成形方法。电阻变化存储器具有电阻变化器件以及用于控制对电阻变化器件的电压施加的控制电路。电阻变化器件具有第一电极、第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的电阻变化层。第二电极的材料包括选自W、Ti、Ta及它们的氮化物中的一种材料。在电阻变化器件的成形期间，控制电路接续第一成形处理执行第二成形处理。第一成形处理包括施加电压使得第一电极的电位高于第二电极的电位。第二成形处理包括施加电压使得第二电极的电位高于第一电极的电位。
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公开(公告)号：CN103503142A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280017915.2
申请日：2012-03-06
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要： 一些实施例包括在一对电极之间具有多个可编程材料结构的存储器单元。所述可编程材料结构中的一者具有第一边缘，且所述可编程材料结构中的另一者具有接触所述第一边缘的第二边缘。一些实施例包括形成存储器单元阵列的方法。在底部电极上方形成第一可编程材料段。所述第一可编程材料段沿着第一轴延伸。在所述第一可编程材料段上方形成第二可编程材料线，且所述第二可编程材料线经形成以沿着与所述第一轴相交的第二轴延伸。所述第二可编程材料线具有接触所述第一可编程材料段的上部表面的下部表面。在所述第二可编程材料线上方形成顶部电极线。
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公开(公告)号：CN103296203A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210397268.4
申请日：2012-10-18
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L29/6609 , H01L29/861 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 本发明公开了一种可变存储器件及其制造方法。所述可变存储器件包括可变电阻层，所述可变电阻层形成在形成有下结构的半导体衬底上；下电极，所述下电极形成在可变电阻层上；开关单元，所述开关单元形成在下电极上；以及上电极，所述上电极形成在开关单元上。
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公开(公告)号：CN102239558B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200980148805.8
申请日：2009-12-04
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608
摘要： 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
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公开(公告)号：CN103035840A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210555373.6
申请日：2012-12-19
申请人： 北京大学
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括：底电极、阻变层、顶电极，所述阻变层位于所述底电极之上；所述顶电极位于所述阻变层之上；所述底电极之上设置有导电突起，所述导电突起嵌在所述阻变层内，且所述导电突起顶部宽度小于底部宽度。本发明实施例还公开了一种阻变存储器的制备方法。本发明实施例所提供的阻变存储器及其制备方法，通过在底电极上设置导电突起，可以产生“避雷针”效应，使得阻变层中电场集中分布在导电突起的附近，极大的增加了导电细丝在导电突起处生成的概率，使导电细丝的生成不再是随机的，确保了阻变存储器中各个参数的稳定性，从而大大提高了阻变存储器工作的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN101999170B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980112695.X
申请日：2009-04-01
申请人： 桑迪士克3D公司
发明人： R·E·朔伊尔莱因
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1691
摘要： 一种制备存储器器件的方法，包括形成第一导电电极(28)，在该第一导电电极上形成绝缘结构(13)，在该绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件(14)，在该电阻率切换元件上形成第二导电电极(26)，以及在该第一导电电极和该第二导电电极之间形成与该电阻率切换元件串联的导向元件(22)，其中该电阻率切换元件在从第一导电电极到第二导电电极的第一方向上的高度大于该电阻率切换元件在与第一方向垂直的第二方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN102832342A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210342947.1
申请日：2012-09-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 本发明提供一种含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括相变材料层和位于其下方的下电极，所述相变材料层和下电极之间由一TiSiN材料层连接，所述下电极包括一底部和一与该底部连接的片状侧部，所述片状侧部垂直于所述底部，形成刀片结构，所述片状侧部的顶端与所述TiSiN材料层接触。本发明采用退火增加电极晶粒尺寸从而降低整体器件电阻，并在所述下电极顶端形成TiSiN材料层从而减小有效操作区域。将本发明的相变存储单元应用于相变存储器中，具有低功耗、高密集度和高数据保持能力的优点。
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公开(公告)号：CN101740716B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910134896.1
申请日：2009-04-15
申请人： 西格斯教育资本有限责任公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/24 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/122 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/128 , H01L45/14 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1691
摘要： 本发明提供一种相变化存储元件及其形成方法。该相变化存储元件包括：第一电极及第二电极；相变化材料层电性连结该第一电极及该第二电极；以及至少二电性孤立导体，形成于该第一电极及该第二电极间并与该第一电极及该第二电极分隔，且直接与该相变化材料层接触。
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