公开(公告)号：CN101385126A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005630.6

申请日：2007-02-13

申请人： 卢森特技术有限公司

发明人： L·N·普菲菲尔

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78642 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7781

摘要： 一种电子器件包括本体，所述本体包括所述本体的主要表面上的单晶区域。所述单晶区域具有与石墨烯基本晶格匹配的六边形晶体点阵，并且在所述单晶区域上设置至少一个石墨烯外延层。在目前优选实施例中，所述单晶区域包括多层六边形BN。一种制造这种电子器件的方法包括以下步骤：(a)提供本体，所述本体包括在所述本体的主要表面上的单晶区域。所述单晶区域具有与石墨烯基本晶格匹配的六边形晶体点阵，以及(b)在所述区域上外延形成至少一个石墨烯层。在目前优选实施例中，步骤(a)进一步包括以下步骤：(a1)提供单晶石墨衬底，以及(a2)在所述衬底上外延形成多层单晶六边形BN。所述六边形BN层具有与石墨烯基本晶格匹配的表面区域，并且步骤(b)包括在所述六边形BN层的所述表面区域上外延形成至少一个石墨烯层。描述了对FET的应用。

公开(公告)号：CN101325218A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810110124.X

申请日：2008-06-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑现钟 ,  郑兰珠 ,  徐顺爱 ,  金东彻 ,  李章元

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。

公开(公告)号：CN1574253A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410049294.3

申请日：2004-06-10

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 欧阳齐庆 ,  赵泽安

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/8238 ,  H03K19/00

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/045 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/7828

摘要： 本发明描述了场效应晶体管的垂直沟道的结构及形成方法，场效应晶体管以及CMOS电路，在垂直单晶半导体结构的侧壁上组合了漏、主体和源区域，其中在晶体管源和主体之间形成异质结，其中源区域和沟道独立地相对于主体区域晶格应变，并且其中漏区域含有放置掺杂剂(例如B和P)扩散进主体的掺碳区域。本发明减小了短沟效应问题，例如：漏所引入的势垒降低以及通过异质结从源到漏区域的泄漏电流，同时通过选择半导体材料，独立地允许了沟道区域中的晶格应变，以提高迁移率。通过源和主体区域之间的异质结克服了栅长小于100nm的缩放问题。

公开(公告)号：CN202633239U

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201190000071.1

申请日：2011-08-05

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 尹海洲 ,  骆志炯 ,  朱慧珑

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/45 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0562

摘要： 本实用新型公开了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底为碳化硅、体硅、掺杂或未掺杂的硅玻璃中的一种或其组合；石墨烯层或碳纳米管层，所述石墨烯层或碳纳米管层形成于所述衬底上；栅极结构，所述栅极结构形成于所述石墨烯层或碳纳米管层上，且暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层；金属接触层，所述金属接触层环绕所述栅极结构，且位于暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上。