公开(公告)号：CN115995381A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310132685.4

申请日：2023-02-17

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 邹臻峰 ,  赵志然 ,  谢成 ,  郭良全 ,  郭艳 ,  龙辉 ,  徐国健

IPC分类号： H01L21/223 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种硼扩散工艺，包括以下步骤：S1：将装有硅片的小舟放进炉管内；S2：将炉管抽真空；S3：检漏；S4：通入氮气和氧气，进行前氧化工艺；S5：通入氮气、氧气和扩散硼源进行扩散；S6：通入氮气，进行升温扩散；S7：在恒温条件下，通入氮气、氧气和扩散硼源；S8：通入氮气和氧气，升温，进行有氧推进；S9：通入氧气，继续升温，进行后氧化工艺；S10：通入大氧和小氧进行混合氧化；S11：通入氮气和大氧，降温；S12：破真空至常压；S13：出舟。本发明具有原理简单、工艺温度低且BRL层厚度低等优点，大幅度缩短了工艺时间，增加了生产产能。

公开(公告)号：CN115388661A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210873819.3

申请日：2022-07-21

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 王随心 ,  谢国杨 ,  成秋云 ,  杨彬

IPC分类号： F27D3/12 ,  F27D21/00 ,  H01L21/677

摘要： 本发明公开了一种用于石英舟进出炉体的小车及石英舟进出炉体的方法，小车包括：车架，以安装在车架上的传动托盘、传动组件和脚轮，所述传动托盘用于承载石英舟，并带动石英舟进出炉体；所述传动组件用于承载传动托盘，并提供传动托盘进出炉体所需的驱动力，以实现传动托盘带动石英舟自动进出炉体；所述脚轮用于实现小车移动。本发明具有结构紧凑、操作简单、传动可靠且定位精准等优点，降低了管式炉体设备生产成本及维护费用，实现了石英舟平稳可靠地进出管式炉体，提高了电池片的生产效率。

公开(公告)号：CN115207135A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210764248.X

申请日：2022-06-30

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 李兵 ,  赵增超 ,  成秋云 ,  李明

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10

摘要： 本发明公开了一种PERC电池的制备方法，包括以下步骤：对P型硅片正面进行制绒、生长磷掺杂氧化层、对金属化区域进行开窗处理、对激光开窗区域进行制绒和化学氧化处理、在P型硅片正面生长磷掺杂非晶硅薄膜、退火处理、对非金属化区域进行开窗处理、去除非金属化区域的掩膜。本发明PERC电池的制备方法具有工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、对底层发射极损伤小等优点，且由此制得的PERC电池具有更好的效率，同时本发明制备方法与常规PERC电池制备路线高度重合，只需要增加CVD的设备用来制备poly‑finger结构，因而可以有效利用现有产线完成生产，有利于进一步降低制备成本，更适合于推广应用。

公开(公告)号：CN111979530B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202010885351.0

申请日：2020-08-28

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 朱辉 ,  刘帅 ,  肖洁 ,  吴得轶 ,  张春成 ,  赵志然

IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/50

摘要： 本发明公开了一种PECVD设备的加热系统、加热控制方法及PECVD设备。加热系统包括炉体和半导体加热单元，炉体包括炉壳、炉体保温层、炉丝、反应管和媒介管道，半导体加热单元的热端设有热媒输出管和热媒输入管且冷端设有冷媒输出管和冷媒输入管，媒介管道设于炉丝与反应管之间，热媒输出管和热媒输入管分别与媒介管道的两端连接，冷媒输出管和冷媒输入管分别与媒介管道的两端连接。方法包括一次镀膜、主动降温、二次镀膜，利用半导体冷端冷媒主动对反应管吸热降温。设备包括预热箱和上述加热系统，预热箱内设有第一热媒管道，其两端分别与热媒输出管和热媒输入管连接。本发明采用半导体一个热源实现多种加热循环回路和多种冷却循环回路。

公开(公告)号：CN115172148A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210764251.1

申请日：2022-06-30

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 李兵 ,  赵增超 ,  李明 ,  成秋云

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L31/20 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：对P型硅片正面进行制绒、在正面生长隧穿氧化层、依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜、对非金属化区域进行开窗处理、对开窗区域进行制绒、磷扩散和退火处理、背面刻蚀和正面清洗。本发明太阳能电池的制备方法具有工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、对底层发射极损伤小等优点，由此制得的太阳能电池具有更好的效率，与常规PERC电池制备路线高度重合，只需要增加CVD的设备用来制备poly‑finger结构，即可以有效利用现有产线完成生产，有利于进一步降低制备成本，更适合于推广应用。

公开(公告)号：CN115020542A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210614145.5

申请日：2022-05-31

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 李明 ,  赵增超 ,  黄嘉斌 ,  周小荣

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/515 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

摘要： 本发明公开了一种去除ALD绕镀氧化铝的PECVD镀膜方法，包括以下步骤：S1、进舟，将装载硅片的载具通过推舟运动机构送入反应腔体；S2、抽真空，将反应腔体内抽至真空状态；S3、第一次恒温，控制反应腔体温度恒定；S4、检漏，监测反应腔体内的压力变化情况，以符合工艺所预设的漏率；S5、第一次沉积，进行第一次硅片沉积；S6、第二次沉积，进行第二次硅片沉积；S7、回常压，将反应腔体恢复常压；S8、出舟。本发明具有操作简单、无需增加额外工序、ALD绕镀氧化铝去除效果显著且有利于氢体钝化等优点。

公开(公告)号：CN112967920B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110133205.7

申请日：2021-02-01

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 陈特超 ,  杨彬 ,  杨志权 ,  赵忠 ,  张威

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01Q1/42

摘要： 本发明公开了一种微波等离子体刻蚀装置，包括：真空反应腔室、耦合窗、屏蔽罩和微波传导组件；耦合窗的一侧与真空反应腔室密封连接，耦合窗的另一侧与屏蔽罩密封连接；微波传导组件包括长度可调的同轴天线，同轴天线伸入屏蔽罩内，且同轴天线在屏蔽罩内的长度大于或等于真空反应腔室中刻蚀基体的总高度；通过同轴天线传输微波，以激发真空反应腔室内的反应气体转化为活性等离子体，实现对刻蚀基体的刻蚀。本发明的微波等离子体刻蚀装置具有结构紧凑、等离子体浓度高、设备产能高等优点。同时，本发明还公开了利用上述微波等离子体刻蚀装置进行刻蚀的方法，大大提高了待刻蚀基体的刻蚀效率，并且保证了刻蚀质量。

公开(公告)号：CN114622183A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011452948.2

申请日：2020-12-11

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  张威 ,  杨彬 ,  唐电 ,  吴易龙 ,  彭宜昌

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法，该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜，包括以下步骤：将衬底置于反应腔体内，抽真空，加热；将氧等离子体与硅源喷向衬底表面，在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅，得到氧化硅薄膜。本发明制备氧化硅薄膜的方法，能够制备得到致密性高、厚度均匀可控的氧化硅薄膜，可广泛应用于光伏、半导体等领域，同时还具有工艺简单、操作方便、沉积速率快等优点，适合于氧化硅薄膜的大规模制备，利于工业化应用。

公开(公告)号：CN111874628B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202010716984.9

申请日：2020-07-23

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 邓乐 ,  樊坤 ,  郭立 ,  张根明

IPC分类号： B65G49/06 ,  B65G47/91 ,  B65G61/00 ,  B65G43/08

摘要： 本发明公开了一种薄片材料高速连续上料系统，包括上料机械手、主储料部件和副储料部件，上料机械手包括固定架、升降机构、旋转机构、抓手安装平台和四个吸盘抓手，升降机构设于固定架上，旋转机构设于升降机构上，抓手安装平台设于旋转机构上，四个吸盘抓手均匀布置在抓手安装平台上，主储料部件包括料盒和薄片材料顶升机构，薄片材料顶升机构用于驱动料盒内的薄片材料升降，副储料部件包括料盒和薄片材料顶升机构，四个吸盘抓手中有两个呈对角的吸盘抓手分别设于主储料部件和副储料部件的料盒的上方，其余两个吸盘抓手中的一个吸盘抓手位于材料放置平台的上方。本发明具有采用四个吸盘抓手和两个储料部件，具有上料连续、上料快的优点。

公开(公告)号：CN111628046B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202010467836.8

申请日：2020-05-28

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 朱辉 ,  成秋云 ,  刘帅 ,  梁浩 ,  石书清 ,  罗志敏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/66 ,  H01L21/677 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54

摘要： 本发明公开了一种PECVD表面镀膜的上下料方法，包括石墨舟就位、石墨舟上缓存架、石墨舟上推舟机构、进舟前镀膜检测、石墨舟进反应室、石墨舟出反应室、石墨舟上传送机构、取片前镀膜检测、石墨舟返回插取片机等步骤。本发明在石墨舟的必经之路上增加两步是否镀膜检测步骤，其一用于检测推舟机构上即将进入反应室内的石墨舟内硅片是否已经进行镀膜，避免出现反应室内出现二次镀膜，其二是用于检测传送机构上将要进入插取片机的硅片是否的镀膜，避免没有进行镀膜的硅片流入下一道工序，从而确保每一舟硅片完成镀膜，而且没有重复镀膜，保证了生产流程的顺畅，硅片的效率更加稳定，提升了电池片的质量。