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公开(公告)号：CN102024903B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201010282801.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
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公开(公告)号：CN102468425A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110349182.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。
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公开(公告)号：CN1755832A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510091181.4
申请日：2005-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161
Abstract: 一种磁随机存取存储器件，可以包括半导体衬底、磁隧道结(MTJ)结构、接触栓塞和数字线。更具体，MTJ结构可以在半导体衬底上，以及数字线可以邻近磁隧道结结构。此外，接触栓塞可以在磁隧道结结构和半导体衬底之间提供电连接，接触栓塞设置在磁隧道结结构和半导体衬底之间。也论述了相关的方法。
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公开(公告)号：CN119697988A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411141690.2
申请日：2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括由第一器件隔离层限定的第一有源区；位线接触，布置在衬底的第一有源区上；以及位线，在衬底上沿第一方向延伸。位线包括：下导电层，布置在衬底上以及在位线接触的侧壁上；以及金属线堆叠，布置在下导电层上。金属线堆叠包括：第一导电层，布置在下导电层和位线接触上并且包括第一金属材料；第一中间层，布置在第一导电层上并且包括石墨烯；以及第二导电层，布置在第一中间层上并且包括第一金属材料。
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公开(公告)号：CN112599661B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202011058111.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案，并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案，并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
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公开(公告)号：CN106876581A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611010093.1
申请日：2016-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 王淑霞 , 李将银
CPC classification number: H01L27/22 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01F10/3259 , H01F10/329 , H01L27/222 , H01L27/224 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了具有细长自由层的磁结及其提供方法和包括其的磁存储器。描述了一种可用于磁性装置的磁结。所述磁结具有自由层、参考层以及在参考层与自由层之间的非磁性间隔层。当写入电流经过磁结时，自由层在稳定磁状态之间是可切换的。自由层具有在第一方向上的长度、在与第一方向垂直的第二方向上的宽度、交换刚度和与长度除以宽度相等的长宽比。长宽比大于1。交换刚度不小于2×10‑6erg/cm。
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公开(公告)号：CN105244436A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510388393.2
申请日：2015-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 描述了一种可用于磁性器件中的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层、不对称的自由层以及垂直磁各向异性(PMA)诱导层。非磁性间隔层在被钉扎层与自由层之间。自由层在非磁性间隔层与PMA诱导层之间。不对称的自由层包括具有第一硼含量的第一铁磁层和具有第二硼含量的第二铁磁层。第二硼含量小于第一硼含量。第一硼含量和第二硼含量每个大于零原子百分比。该磁性结被配置为使得在写电流通过该磁性结时自由层在多个稳定的磁态之间可切换。
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公开(公告)号：CN102956813A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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公开(公告)号：CN1591673B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200410056683.9
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。
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