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公开(公告)号：CN102982842A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210213817.8
申请日：2012-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0076 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2211/5625 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件的可靠性得到改善。所述方法包括：把第一电压施加于可变电阻元件以便把可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变到第二电阻值，其中，第一电阻值和第二电阻值不同；感测流过被施加了第一电压的可变电阻元件的第一电流；基于第一电流的散布，调制用于把可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变到第一电阻值的第二电压；和，基于第一电流的散布，把第一电压再次施加于可变电阻元件。
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公开(公告)号：CN102956822A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210211660.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。
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公开(公告)号：CN112017710B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010453083.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器器件。所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，产生要供应到所选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，接收地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量。控制逻辑块还根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。
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公开(公告)号：CN109256377B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201810769672.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一存储部分、第一周边电路部分和第二周边电路部分；以及堆叠在第二周边电路部分上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分包括多个第一存储单元，第一存储单元的每个包括单元晶体管和连接到单元晶体管的电容器，第二存储部分包括多个第二存储单元，第二存储单元的每个包括彼此串联联接的可变电阻元件和选择元件，布线部分包括多个线图案，其中线图案和第二存储单元相对于衬底高于电容器。
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公开(公告)号：CN109285857B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810691309.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：彼此紧挨着地设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；以及与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，所述第二外围电路部和所述第二存储器部彼此紧挨着地设置在所述衬底上，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比每个所述电容器高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112017710A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010453083.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器器件。所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，产生要供应到所选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，接收地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量。控制逻辑块还根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。
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公开(公告)号：CN103716017A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310232375.6
申请日：2013-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K3/313
CPC classification number: H03K17/70
Abstract: 一种两端开关器件和控制该两端开关器件的方法，所述两端开关器件包括：第一端子，开关信号和主信号被施加于第一端子；电阻开关元件，其被连接到第一端子，根据第一开关信号被切换到低阻状态或者高阻状态，并保持被切换到的电阻状态，直到接收到第二开关信号为止；第二端子，当电阻开关元件处于低阻状态时，第二端子输出被施加于第一端子的主信号；二极管，其被串联电连接在电阻开关元件和第二端子之间，并阻挡施加于第一端子的开关信号被传送到第二端子；和，电阻元件，其被电连接在电阻开关元件和二极管之间的节点与地之间，并允许被二极管阻挡的开关信号流入地。
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公开(公告)号：CN102956263A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210298165.2
申请日：2012-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076
Abstract: 根据示例实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值；感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。
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公开(公告)号：CN102347443B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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公开(公告)号：CN102903753A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210090456.2
申请日：2012-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/221 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L29/66545 , H01L29/66969 , H01L29/685 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：绝缘衬底；沟道层，在绝缘衬底上；栅极，从沟道层的上表面至少部分地延伸到沟道层中；源极和漏极，在沟道层上分别在栅极的相对两侧；栅绝缘层，围绕栅极且将栅极与沟道层、源极和漏极电绝缘；以及可变电阻材料层，在绝缘衬底与栅极之间。
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