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公开(公告)号：CN112050743B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202010472660.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片检查方法、基片检查系统和控制装置。基片检查方法包括：基于模型形成用基片的膜的特征量的测量结果，和拍摄模型形成用基片而生成的模型形成用拍摄图像，来构建表示基片的拍摄图像中的像素值与该基片的膜的特征量的关系的相关模型的步骤；拍摄特征量获取对象基片生成拍摄图像，基于该拍摄图像和相关模型，来计算特征量获取对象基片的膜的推算特征量的步骤；计算对多个特征量获取对象基片计算出的推算特征量的统计值的步骤；以及根据膜的特征量的测量结果和推算特征量的统计值，计算推算特征量的补偿量的步骤，其中膜是对补偿计算用基片进行与推算特征量被计算出的膜相同的处理的膜。本发明能够简单且准确地获取基片的膜的特征量。
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公开(公告)号：CN112050743A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010472660.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片检查方法、基片检查系统和控制装置。基片检查方法包括：基于模型形成用基片的膜的特征量的测量结果，和拍摄模型形成用基片而生成的模型形成用拍摄图像，来构建表示基片的拍摄图像中的像素值与该基片的膜的特征量的关系的相关模型的步骤；拍摄特征量获取对象基片生成拍摄图像，基于该拍摄图像和相关模型，来计算特征量获取对象基片的膜的推算特征量的步骤；计算对多个特征量获取对象基片计算出的推算特征量的统计值的步骤；以及根据膜的特征量的测量结果和推算特征量的统计值，计算推算特征量的补偿量的步骤，其中膜是对补偿计算用基片进行与推算特征量被计算出的膜相同的处理的膜。本发明能够简单且准确地获取基片的膜的特征量。
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公开(公告)号：CN102664158B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110351996.7
申请日：2011-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67178 , H01L21/67276 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种即时地判断处理部有无异常并防止产生有大量的次品晶片的涂敷显影处理装置，其包括：晶片输送机构；缺陷检查部；控制晶片的输送的输送控制单元(200)；基于缺陷的状态进行该缺陷的分类的缺陷分类单元(203)；存储晶片被处理单元处理时的晶片输送机构的晶片的输送路径的存储单元(202)；和缺陷处理指定单元(204)，其基于由缺陷分类单元(203)分类的缺陷的种类和存储在存储单元(202)的基板的输送路径，指定产生有该被分类的缺陷的处理单元，并判定该被指定的处理部有无异常，输送控制单元(200)以绕过被缺陷处理指定单元(204)判定为异常的处理单元输送晶片的方式来进行晶片输送机构的控制。
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公开(公告)号：CN102314081B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110198010.7
申请日：2011-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: G03F7/16 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种抑制处理块的设置面积并且抑制装置的工作效率降低的技术。构成具备模式选择部的涂覆显影装置，上述模式选择部用于在由检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，从模式M1和M2中选择后续的基板的搬送模式。上述模式M1，确定显影处理用的单位块中处理过基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，上述模式M2，确定处理过基板的显影处理用的单位块，控制交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。
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公开(公告)号：CN102664158A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201110351996.7
申请日：2011-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67178 , H01L21/67276 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种即时地判断处理部有无异常并防止产生有大量的次品晶片的涂敷显影处理装置，其包括：晶片输送机构；缺陷检查部；控制晶片的输送的输送控制单元(200)；基于缺陷的状态进行该缺陷的分类的缺陷分类单元(203)；存储晶片被处理单元处理时的晶片输送机构的晶片的输送路径的存储单元(202)；和缺陷处理指定单元(204)，其基于由缺陷分类单元(203)分类的缺陷的种类和存储在存储单元(202)的基板的输送路径，指定产生有该被分类的缺陷的处理单元，并判定该被指定的处理部有无异常，输送控制单元(200)以绕过被缺陷处理指定单元(204)判定为异常的处理单元输送晶片的方式来进行晶片输送机构的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101002304A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580027324.3
申请日：2005-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 本发明在借助具有温度检测部(41)、存储部(42)、和控制器(42)的无线晶片(Ww)来测定对基板(W)进行热处理的加热板(34)的温度时，可容易且高精度地测定温度，可抑制由测定作业引起的工作效率的降低。在无线晶片输送器(Cw)内的位置上，向无线晶片(Ww)的控制器(42)输出温度测定开始指令，由此，无线晶片(Ww)开始温度检测，将温度检测值存储到存储部(42)内。另一方面，无线晶片(Ww)沿着预定的输送路径被输送到加热组件中。然后，基于无线晶片(Ww)载置到加热板(34)上为止的时间、和存储部(42)内的温度检测值的时间序列数据，取出无线晶片(Ww)载置到加热板(34)上之后的温度检测值的时间序列数据。
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公开(公告)号：CN102809570B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210135466.3
申请日：2012-05-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/956
CPC classification number: G01N21/956 , G01N21/8806 , G01N21/93 , G01N21/9501 , G01N2021/9513 , G06T7/0004
Abstract: 本发明提供不使用检查用基板、能够防止产生由照明部的照度的降低引起的检查的不顺利的问题的技术。本发明的基板检查装置，具有：模式选择部，用于在检查模式和维护模式之间选择模式，所述检查模式以载置于设置在机箱内的载置台的基板为被摄体进行摄像来进行检查，所述维护模式用于确认照明部的照度；导光部件，设置于上述机箱内，用于将上述照明部的光导向摄像部的摄像元件；判定部，对在维护模式执行时经由上述导光部件被摄像元件取得的照明部的光的亮度是否在预先设定的容许范围内进行判定；和报知部，当由上述判定部判定为上述亮度在上述容许范围外时，用于报知需要进行照明部的更换。
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公开(公告)号：CN104465460A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410641400.0
申请日：2011-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: G03F7/16 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种抑制处理块的设置面积并且抑制装置的工作效率降低的技术。构成具备模式选择部的涂覆显影装置，上述模式选择部用于在由检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，从模式M1和M2中选择后续的基板的搬送模式。上述模式M1，确定显影处理用的单位块中处理过基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，上述模式M2，确定处理过基板的显影处理用的单位块，控制交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。
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公开(公告)号：CN101807536B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010002839.0
申请日：2010-01-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67017 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , Y10T408/29 , Y10T408/559 , Y10T408/5612
Abstract: 本发明提供基板输送装置及基板处理系统。在输送基板时，能抑制在基板上附着微粒，能提高由基板处理系统制造出的产品的成品率。基板输送装置具有：在内部收容基板且在侧面形成有基板的输入输出口(98)的基板收容容器(91)；朝向基板收容容器内(91)内的基板(W)的背面喷射规定气体的气体喷射部(92)；调整从气体喷射部(92)供给的上述规定气体的供给量而将上述基板收容容器(91)内的基板(W)控制在规定的高度的控制部(93)。
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公开(公告)号：CN100550300C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680004934.6
申请日：2006-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/38
CPC classification number: H01L21/67109 , G03F7/38 , H01L21/67103 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/67248 , H01L21/67748
Abstract: 为使光刻胶图案的线宽在晶圆面内均匀形成，进行热板的温度设定。PEB装置的热板划分成多个热板区域，可对每个热板区域进行温度设定。热板的各热板区域分别设定温度校正值，用以对置于热板上的晶圆进行面内温度调整。用根据热板中热处理形成的光刻胶图案的线宽和温度校正值之间的相关作成的计算模型，计算并设定该热板的各热板区域的温度校正值。计算模型M，根据光刻胶图案的线宽测定值，计算出使晶圆面内的线宽成为均匀的温度校正值。
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