公开(公告)号：CN1149758A

公开(公告)日：1997-05-14

申请号：CN96111711.7

申请日：1996-07-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山方宪二 ,  米原隆夫 ,  佐藤信彦 ,  坂口清文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76243

Abstract: 半导体衬底的制造方法，包括以下步骤，提供硅制成的第1衬底，对衬底硅多孔化，使第1衬底上有多孔硅层，在多孔硅层上外延生长无孔单晶硅层，将第1衬底层叠在第2衬底上，使第1和第2衬底的至少一层叠面有氧化硅层，并使无孔单晶硅层位于层叠的衬底之间，腐蚀除去多孔硅层，其中用腐蚀无孔单晶硅层和氧化硅层各自的腐蚀速率不大于10/分钟的腐蚀液腐蚀多孔硅层。

公开(公告)号：CN102479485A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110372039.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 川野藤雄 ,  坂口清文

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0452

Abstract: 本发明涉及显示设备，并且提供了一种显示设备，其包括具有周期排列的颜色的发光元件、像素电路和处理电路，每个发光元件具有两个发光区域，其中这两个发光区域在列方向上被排列为使得根据颜色的周期颠倒两个发光区域的位置，并且两个发光区域具有不同的光学特性并且在两个连续的帧时段上交替地发光，使得在每个帧时段中发光的发光区域具有相同的光学特性。

公开(公告)号：CN1160760C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN99123686.6

申请日：1999-11-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳田一隆 ,  近江和明 ,  坂口清文

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67092 ,  Y10T29/49821 ,  Y10T83/364 ,  Y10T156/1137 ,  Y10T156/1939

Abstract: 本发明提供了以高产率分离具有多孔层的粘合的基片叠的技术。涉及的分离设备有一对基片保持部从上下侧夹住粘合的基片叠且水平地保持其转动。由喷嘴喷出射流到基片叠的多孔层中，而于此多孔层将基片叠分离。另一分离设备则具有：一对基片保持部、将流体注入基片叠的多孔层的喷嘴、以及用来防止下基片保持部突发向下运动但在分离此粘合的基片叠时允许其适度运动的意外操作防止机构。

公开(公告)号：CN1516291A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310114345.1

申请日：2000-07-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  高井康好 ,  坂口清文 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/1002 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T156/1041 ,  Y10T156/1048 ,  Y10T156/1049

Abstract: 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。

公开(公告)号：CN1153264C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN98126335.6

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近江和明 ,  米原隆夫 ,  坂口清文 ,  柳田一隆

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/68 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B26F3/004 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S156/941 ,  Y10T29/49821 ,  Y10T83/364 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T156/1374 ,  Y10T156/19

Abstract: 一种物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法。提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108，109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101)，从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。

公开(公告)号：CN1150594C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN97107286.8

申请日：1997-12-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  山方宪二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76259 ,  B28D5/00 ,  G02F1/136277 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/00 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1892 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种生产半导体产品的工艺，包括下列步骤，把膜粘接到具有多孔半导体层的衬底上，通过在剥离方向对膜施加力，在多孔半导体层从衬底上剥离该膜。

公开(公告)号：CN1127753C

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN99123434.0

申请日：1999-11-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳田一隆 ,  近江和明 ,  坂口清文

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/67196 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明是为了提供适合于制造例如SOI衬底的加工系统。加工系统包括，其上按大体上等角度间隔安装有用于保持键合衬底叠片的保持机械装置的转盘、用于使转盘在枢轴上转动预定角度以使由上述的保持机械装置保持的键合衬底叠片或分离的衬底移动到操作位置的驱动机械装置以及用于处理在操作位置上的键合衬底叠片或分离的衬底的定中心装置、分离装置和清洗/干燥装置。

公开(公告)号：CN1114936C

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN98114894.8

申请日：1998-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近江和明 ,  米原隆夫 ,  坂口清文

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 为了用较低的成本持续生产没有缺陷的SOI衬底，防止多孔层在分离键合衬底前发生破损，安全便利地完成键合衬底的分离，在一种制造半导体衬底的方法中包括：在表面具有多孔层的第一衬底上形成无孔半导体层，在其上形成绝缘层，将绝缘层键合到第二衬底上，分离多孔层，从而将绝缘层和无孔半导体层转移到第二衬底表面上，形成的第一多孔层具有低孔隙率，将第二多孔层的厚度降低到易破碎的程度，分离第一和第二衬底。

公开(公告)号：CN1280383A

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN00121745.3

申请日：2000-06-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  C25D11/02

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C25D11/32 ,  C25D17/10 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76259 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363

Abstract: 采用薄膜晶体半导体层生产半导体部件和太阳能电池的方法,包括步骤:(1)阳极化第一基片的表面,在基片的至少一个侧面上形成多孔层,(2)至少在多孔层的表面上形成半导体层,(3)在它的周边区域除去半导体层,(4)粘结第二基片到半导体层的表面,(5)从第一基片在多孔层部分分离半导体层,(6)分离后处理第一基片的表面,并重复上面的步骤(1)到(5)。该方法能以小力分离薄膜半导体层,几乎无裂、断或损,可高效率地制造高性能的产品。

公开(公告)号：CN1264156A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00101844.2

申请日：2000-02-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳田一隆 ,  近江和明 ,  坂口清文 ,  栗栖裕和

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76251 ,  H01L2223/54493

Abstract: 键合第一与第二衬底而形成的键合衬底叠层被恰当地分离。具有内部多孔层以及多孔层上的单晶硅层和绝缘层的第一衬底(10)与第二衬底,在偏离中心位置的情况下紧密接触,以便制备具有突出部分的键合衬底叠层(30),第一衬底(10)的外边沿在突出部分处突出到第二衬底(20)的外边沿外面。首先,将流体喷射到突出部分以形成分离开始部分(40),然后,在旋转键合衬底叠层(30)时,从分离开始部分(40)开始分离。