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公开(公告)号：CN102745638B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
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公开(公告)号：CN103091368A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210382506.4
申请日：2012-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , B81C1/00
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/414 , G01N27/4148 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L51/0093
Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管(BioFET)和一种制作BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者CMOS工艺特有的一个或者多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件可以包括：衬底；栅极结构，设置于衬底的第一表面上；以及界面层，形成于衬底的第二表面上。界面层可以允许受体放置于界面层上以检测存在的生物分子或者生物实体。本发明还提供了兼容BioFET的CMOS。
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公开(公告)号：CN100590789C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710199506.X
申请日：2007-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , B81C1/0038 , B81C1/00611 , B81C2201/0125 , H01L21/31053 , H01L21/31056 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2924/0002 , Y10S438/926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法，包括：形成顶部金属层于第一基板上，其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征；形成第一介电层于该顶部金属层上方；蚀刻在目标区域内的该第一介电层，其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征；对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺；以及在进行该化学机械研磨工艺之后，将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101870451B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201010153860.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/056 , B81C2203/0714 , B81C2203/0728
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
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公开(公告)号：CN103091368B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210382506.4
申请日：2012-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , B81C1/00
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/414 , G01N27/4148 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L51/0093
Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管(BioFET)和一种制作BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者CMOS工艺特有的一个或者多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件可以包括：衬底；栅极结构，设置于衬底的第一表面上；以及界面层，形成于衬底的第二表面上。界面层可以允许受体放置于界面层上以检测存在的生物分子或者生物实体。本发明还提供了兼容BioFET的CMOS。
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公开(公告)号：CN103539062A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210536917.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B7/02 , B81C2203/0172
Abstract: 本发明公开了MEMS器件、封装MEMS器件及其制造方法。在一个实施例中，微机电系统(MEMS)器件包括第一MEMS功能结构和第二MEMS功能结构。第二MEMS功能结构的内部区域的压力与第一MEMS功能结构的内部压力不同。
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公开(公告)号：CN101870451A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010153860.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/056 , B81C2203/0714 , B81C2203/0728
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
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公开(公告)号：CN101246811A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710199506.X
申请日：2007-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , B81C1/0038 , B81C1/00611 , B81C2201/0125 , H01L21/31053 , H01L21/31056 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2924/0002 , Y10S438/926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法，包括：形成顶部金属层于第一基板上，其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征；形成第一介电层于该顶部金属层上方；蚀刻在目标区域内的该第一介电层，其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征；对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺；以及在进行该化学机械研磨工艺之后，将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。
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