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公开(公告)号：CN105355614B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510835539.3
申请日：2015-11-26
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种预封装单芯片及其制备工艺，所述预封装单芯片包括外壳，位于芯片两面的大小钼片，其侧面的键和线以及引脚，所述的预封装单芯片的制备工艺包括如下步骤：1)以烧结或焊接方式将芯片与两面分别设置的大小钼片连接；2)芯片的栅极和发射极上分别设置与引脚对应连接的键合线；3)封装。本发明的预封装单芯片可以方便地进行性能测试，避免了环境对芯片造成的污染和损坏，且不会对其性能造成影响，经测试合格的预封装芯片可直接采用压接或焊接的方式组装为大功率器件，便于标准化生产。
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公开(公告)号：CN105514095B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201510959099.2
申请日：2015-12-18
IPC: H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN104409485B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410737058.4
申请日：2014-12-05
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT及制造方法，本发明在常规方法基础上对P阱注入进行改进，在P阱总注入剂量和总推阱时间不变的情况下采用P阱多次注入，多次推结方式，使得N+区下方P阱浓度更高，更有效的降低空穴电流流经路径的电阻，有效抑制IGBT器件大电流状态下的闩锁现象，电阻的降低同时可以降低通态压降。本发明在JFET区上方添加一层厚度1.0‑1.5μm的场氧化层，减小IGBT器件的反向传输电容，降低器件关断时反向传输电容的放电时间，减小关断损耗；通过减小IGBT器件的反向传输电容同样可以达到避免短路测试时发生LC震荡的目的。
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公开(公告)号：CN104459277B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410734225.X
申请日：2014-12-04
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供了一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，包括步骤1：将罗氏线圈嵌入压接型IGBT的封装内部，采集IGBT芯片的电流信号；步骤2：压接型IGBT的主控单元依据电流信号调整IGBT芯片的驱动信号，以平衡IGBT芯片电流；若压接型IGBT由N个IGBT芯片并联组成时，在每个IGBT芯片对应的凸台的外围套置一个罗氏线圈；若压接型IGBT包括M个并联的IGBT模块，每个IGBT模块由N个IGBT芯片并联组成时，将每个IGBT模块中N个IGBT芯片对应的凸台作为一个凸台组，在每个IGBT模块的凸台组的外围套置一个罗氏线圈。与现有技术相比，本发明提供的一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，能够实现对大功率IGBT的并联均流控制和保护。
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公开(公告)号：CN105489645A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510960378.0
申请日：2015-12-18
IPC: H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境，在驱动回路中引入的杂散电感更低，可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105470291A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510959202.3
申请日：2015-12-18
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/66325
Abstract: 本发明提供一种改进的压接式IGBT器件，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有IGBT功率子模块；所述IGBT功率子模块包括栅极信号输入端和栅极信号输出端；所述栅极信号输入端和平行于所述下端金属电极的栅极PCB板电气相连；所述栅极信号输出端和平行于所述下端金属电极的辅助发射极PCB板电气相连。本发明提供的技术方案降低了辅助发射极回路的杂散电感和杂散电容，提高了压接式IGBT器件中每个IGBT功率子模块驱动回路参数的一致性，降低了IGBT功率子模块之间发生电流震荡的危险。
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公开(公告)号：CN105448850A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510981202.3
申请日：2015-12-23
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的高耐压封装子模组，所述封装子模组包括构件和框架；所述构件包括从上至下设置的上钼片、硅芯片、下钼片和银片；所述框架包括内框架和外框架；所述外框架为内侧设有凸台的筒状耐压框。本发明通过增加芯片的筒状耐压框的方式，使芯片发射极和集电极之间的爬电距离大大增加，模组的耐压能力得到了提高，器件的耐压等级也就可以做的更高，另外芯片用来通电流的面积相对增大，功率器件在不增大体积的前提下通流能力也相应增大，整体的可使用容量增加。
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公开(公告)号：CN105374806A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510850071.5
申请日：2015-11-27
IPC: H01L25/07 , H01L23/367
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种圆形分组布局的压接式功率器件封装，所述功率器件封装包括上下两面分别设置上下钼片的功率器件芯片的框架，以及叠层布置的多层PCB板、驱动电路、键合线和上端盖；所述功率器件芯片分组设置于所述框架顶部，且所述各组功率器件芯片以圆形对称分布，所述驱动电路位于所述圆形的中间位置。本发明的压接式功率器件封装，器件内部芯片通过圆形对称的分组布局不仅增强了器件驱动信号的可靠性，而且提高了器件内部各并联芯片电流、压力和温度分布的均匀性；直接将散热器作为器件的上端盖减小了器件的导热路径，极大降低了器件的热阻，提高了器件的可靠性和功率密度。
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公开(公告)号：CN105220224A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510666085.1
申请日：2015-10-15
Abstract: 本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，该方法包括：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，设置Al源流量，向反应室通入C3H8和SiH4，通过渐变调节通入反应室中C3H8和SiH4的流量生长P型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层。本发明的方法利用碳化硅的CVD设备，制备出纵向掺杂浓度梯度可控的碳化硅外延层，满足了制备梯度低掺杂外延层的要求。
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公开(公告)号：CN105047706A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510542149.7
申请日：2015-08-28
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/0696 , H01L29/66333
Abstract: 本发明提供一种低通态损耗IGBT及其制造方法，所述IGBT包括有源区、终端区和栅极区，所述有源区包括N-衬底区、栅极氧化层、多晶硅栅极、P-基区、N+发射区、P+集电区、发射极金属及集电极金属，所述有源区为元胞区，在所述有源区中设有空元胞结构。所述空元胞结构是通过牺牲元胞局部沟道形成的，所述元胞局部沟道是通过改变耐压环层、场氧层、多晶层、接触孔层中一种或几种组合而牺牲的。本发明制造方法通过在有源区引入无效元胞，改变了有源区PIN/PNP区域分布，优化IGBT元胞的电导调制效应，降低了IGBT饱和电压，提高了IGBT电流密度，降低了IGBT通态损耗。本发明制造的IGBT芯片在大功率密度、低通态损耗应用领域具有优势。
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