公开(公告)号：CN1976014B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610163649.0

申请日：2006-12-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  副岛康志 ,  高桥信明 ,  栗田洋一郎 ,  小室雅宏 ,  松井聪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L23/642 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括：互连构件，第一半导体芯片，第二半导体芯片，树脂层，无机绝缘层和通孔电极。第一半导体芯片以面向下的方式安装在互连构件上。树脂层覆盖第一半导体芯片的侧表面。无机绝缘层与第一半导体芯片的后表面接触，且直接覆盖该后表面。而且，无机绝缘层在树脂层之上延伸。通孔电极穿过无机绝缘层和第一半导体芯片的半导体衬底。以面向下的方式在无机绝缘层上安装第二半导体芯片，该无机绝缘层覆盖最上层中的第一半导体芯片的背表面。

公开(公告)号：CN101986422A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010218293.2

申请日：2010-06-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥信明 ,  小室雅宏

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: C23C18/1651 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/32 ,  C23C18/54 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法及设备。所述方法包括：使用化学镀方法在半导体衬底上形成多个金属膜的层叠结构。形成金属膜包括：使用第一镀槽进行包括还原反应的化学镀工艺；和使用第二镀槽进行仅通过置换反应的化学镀工艺。包括使用第一镀槽进行的还原反应的化学镀工艺是在遮光环境中进行，并且使用第二镀槽仅通过置换反应进行的化学镀工艺是在非遮光环境中进行的。