公开(公告)号：CN101185158A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018786.3

申请日：2006-06-27

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 上田大助 ,  田中毅 ,  上本康裕 ,  上田哲三 ,  柳原学 ,  引田正洋 ,  上野弘明

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7786

摘要： 在蓝宝石衬底(101)上，按顺序形成了氮化铝缓冲层(102)，不掺杂氮化钙层(103)，不掺杂氮化钙铝层(104)，p型控制层(105)，p型接线柱层(106)。还有，晶体管包括：与p型接线柱层(106)欧姆连接的栅电极(110)，设置在不掺杂氮化钙铝(AlGaN)层(104)的源电极(108)及漏电极(109)。通过向p型控制层(105)施加正电压，沟道内注入空穴，能够增加流过沟道的电流。

公开(公告)号：CN1707824A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076124.9

申请日：2005-06-08

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 上田哲三 ,  上田大助

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01L21/3043 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明的目的是提供一种衬底的分割方法，通过该方法，可在不会产生芯片缺陷的情况下，进行衬底分割，使芯片形状再现性良好且接近四边形，并且可以再现性良好地形成平坦的解理面，在衬底表面2上，照射使衬底的内部产生错位的强电子束(1)，产生以错位为起点的裂缝，从而形成解理面(5)，来分割衬底。

公开(公告)号：CN1638055A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104567.X

申请日：2004-12-22

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大野启 ,  田村聪之 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/30635 ,  H01L33/0075

摘要： 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，包括：在母基板(11)上形成氮化物半导体层(13)工序；在氮化物半导体层(13)上面的一部分形成、顺次为干式蚀刻掩膜层(14a)、电子释放层(14b)的导电性膜(14)工序；对氮化物半导体层(13)进行干式蚀刻工序；经导电性膜(14)使从氮化物半导体层(13)向外部释放电子，对氮化物半导体层(13)进行湿式蚀刻工序。根据本发明的制造方法，即便进行干式蚀刻也不形成损伤层。

公开(公告)号：CN1202291C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN98106378.0

申请日：1998-04-09

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667

摘要： 本发明在于提供一种具有优异结晶性能的氮化镓厚膜结晶。本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2，然后，在该二氧化硅薄膜2上，形成单晶硅薄膜3，再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。

公开(公告)号：CN1180135C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN98106206.7

申请日：1998-04-03

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01S5/30

CPC分类号： C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406

摘要： 本发明提供一种制备平坦性、结晶性优异的氮化镓厚膜晶体的方法。该方法包括通过在含镓的气氛中加热硅基板1、在基板表面形成含仅一个金属镓原子的生长核、使其与基板结合的第一工序、在上述硅基板1上形成第一氮化镓3的第二工序和在上述第一氮化镓3的上面于比上述第一氮化镓3的形成温度高的温度形成第二氮化镓4的第三工序。

公开(公告)号：CN1476108A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03148730.0

申请日：2003-06-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 上田哲三 ,  油利正昭

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/14

摘要： 本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。

公开(公告)号：CN102292801B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201080005230.7

申请日：2010-01-18

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 梅田英和 ,  引田正洋 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。

公开(公告)号：CN103081062A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180040477.7

申请日：2011-05-31

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 铃木朝实良 ,  梅田英和 ,  石田昌宏 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/265 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2652

摘要： 本发明提供一种化合物半导体的制造方法，在包含硅的基板的上部，形成硅氧化膜。其后，通过对基板(101)中的硅氧化膜的下侧的区域进行离子注入，接着进行热处理，而形成包含注入了离子的单晶硅的基底层(102)。接下来，通过除去硅氧化膜，而露出基底层(102)。其后，在基底层(102)上形成GaN层(105)。

公开(公告)号：CN102959686A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030056.6

申请日：2011-04-22

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 海原一裕 ,  石田秀俊 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域(102A)上。在第一电极(131)上形成有与该第一电极(131)接触的第一电极布线(151)，在第二电极(132)上形成有与该第二电极(132)接触的第二电极布线(152)。形成有覆盖第一电极布线(151)和第二电极布线(152)的第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成有第一金属层(161)。第一金属层(161)隔着第二绝缘膜形成在有缘区域(102A)上，并与第一电极布线(151)连接。

公开(公告)号：CN102822982A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065680.5

申请日：2010-12-14

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 森田竜夫 ,  上田大助 ,  上本康裕 ,  上田哲三

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

摘要： 本发明提供一种双向开关元件及使用该双向开关元件的双向开关电路。双向开关元件具备：由氮化物半导体构成的半导体层叠层体(203)、形成在半导体层叠层体(203)之上的第一欧姆电极(211)以及第二欧姆电极(212)、第一栅电极(217)以及第二栅电极(218)。第一栅电极(217)被电位与第一欧姆电极(211)实质相等的第一屏蔽电极(221)覆盖。第二栅电极(218)被电位与第二欧姆电极(212)实质相等的第二屏蔽电极(222)覆盖。第一屏蔽电极(221)的端部位于比第一栅电极(217)更靠近第二栅电极(218)侧的位置，第二屏蔽电极(222)的端部位于比第二栅电极(218)更靠近第一栅电极(217)侧的位置。