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公开(公告)号：CN103098199A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043631.6
申请日：2011-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04
CPC classification number: H01G4/33 , H01L23/5223 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L23/53257 , H01L23/53261 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种耐湿性高的电介质薄膜元件。电介质薄膜元件(10)具备：具有电介质层(22)和形成于电介质层(22)的上下表面的一对电极层(21、23)的电容部(20)；以覆盖电容部(20)的方式形成的保护层(30)；被引出至保护层(30)的上表面的一对配线层(41、42)；表面金属层；以与配线层(41、42)电连接的方式形成的外部电极(47、48)。并且，表面金属层具有第一表面金属层(43、44)和第二表面金属层(45、46)，第一表面金属层(43、44)通过镀敷法以覆盖配线层(41、42)的沿着开口部(33、34)的内表面的部分的方式形成，第二表面金属层(45、46)通过真空薄膜法形成，第一表面金属层(43、44)的端部与第二表面金属层(45、46)的端部相接。
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公开(公告)号：CN104184435B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410216480.5
申请日：2014-05-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03J3/20
Abstract: 本发明涉及一种天线装置及通信装置。本发明包括：在卡片模式和读写器模式下对Tx端子的内部阻抗进行切换的RFIC(10)；连接至Tx端子的天线电路(12)；在施加有控制电压时其电容会发生变化，从而使天线电路(12)的谐振频率发生变化的可变电容元件(C22)；连接在Tx端子和天线电路(12)之间，对Tx端子和天线电路(12)之间进行阻抗匹配的匹配电路(11)；以及将与Tx端子上产生的电压相应的控制电压施加到可变电容元件(C22)上的整流电路(13)。在从Tx端子输出信号的情况下，为了将天线电路(12)的谐振频率设为与读写器模式相对应的谐振频率(13.56MHz)，整流电路(13)输出施加到可变电容元件(C22)上的控制电压。
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公开(公告)号：CN105814687A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201580002992.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/00 , H01L25/18 , H01L29/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/06179 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81205 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10162 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/19015 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/13013
Abstract: 本发明涉及半导体封装及其安装结构。具备中介层(1)、搭载于中介层(1)的第一面的半导体元件(2)、形成于中介层(1)的第二面的凸块(3)、以及搭载于中介层(1)的第二面的芯片部件(10)。中介层(1)是硅中介层，半导体元件(2)被倒装芯片安装于中介层(1)的第一面，芯片部件(10)是在硅基板上通过薄膜工艺形成元件，并在单一面形成焊盘的薄膜无源元件，芯片部件(10)的焊盘经由导电性接合材料而与形成于中介层(1)的第二面的焊环连接。根据该结构，小型化的同时确保半导体封装的中介层(1)与芯片部件(10)之间的接合可靠性。
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公开(公告)号：CN104966117A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510447687.8
申请日：2012-10-25
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04B5/0012 , G06K19/0726 , H01Q1/2225 , H01Q7/00 , H04B5/0031 , H04B5/0062 , H04B5/0081 , H04B5/02
Abstract: RFIC(11)包括IO端子(11P)。同样，控制IC(12)包括IO端子(12P)。可变电容元件(14)包括控制端子(14P)。该可变电容元件(14)包括根据控制电压来确定电容值的电容元件、以及对输入控制端子的电压进行分压来产生所述控制电压的电阻分压电路。RFIC(11)或控制IC(12)经由信号线(15A、15B)向可变电容元件(14)提供控制数据。可变电容元件(14)与天线线圈(13)一同构成LC并联谐振电路即天线电路，将天线电路的谐振频率定义为规定频率。
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公开(公告)号：CN104704678A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380050610.6
申请日：2013-09-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5063 , G06F17/5077 , G06F2217/12 , H01F19/04 , H01F2027/2809 , H01Q1/00 , H01Q5/50
Abstract: 阻抗转换电路按以下顺序来进行设计。[1]根据阻抗比来决定变压器电路所需要的变压比。[2]分别决定第一电感元件(环状导体(L1A、L1B))与第二电感元件(环状导体(L2A、L2B))之间的耦合系数、第一电感元件的电感以及第二电感元件的电感。[3]决定第二电感元件的形状。[4]决定第一电感元件的形状，使得至少用2层环形导体来构成第一电感元件，并确定各环形导体间的层间距离，使得第一电感元件的电感值成为所希望的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104184435A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410216480.5
申请日：2014-05-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03J3/20
Abstract: 本发明涉及一种天线装置及通信装置。本发明包括：在卡片模式和读写器模式下对Tx端子的内部阻抗进行切换的RFIC(10)；连接至Tx端子的天线电路(12)；在施加有控制电压时其电容会发生变化，从而使天线电路(12)的谐振频率发生变化的可变电容元件(C22)；连接在Tx端子和天线电路(12)之间，对Tx端子和天线电路(12)之间进行阻抗匹配的匹配电路(11)；以及将与Tx端子上产生的电压相应的控制电压施加到可变电容元件(C22)上的整流电路(13)。在从Tx端子输出信号的情况下，为了将天线电路(12)的谐振频率设为与读写器模式相对应的谐振频率(13.56MHz)，整流电路(13)输出施加到可变电容元件(C22)上的控制电压。
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公开(公告)号：CN102473676A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031303.X
申请日：2010-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时，不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有：绝缘层(22)；形成于绝缘层(22)的上下面的一对电极层(21)、(23)；和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且，被构成为产生构造变化部(29)，该构造变化部(29)具有：在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时，一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27)；和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且，引出电极(42)的与电极层(23)接触的部分的最大直径大于构造变化部(29)的最大直径。
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公开(公告)号：CN102473674A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080028169.8
申请日：2010-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L33/00
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L23/62 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种难以产生因静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)的特征在于，具备电容部(20)，该电容部(20)具有绝缘层(22)和在所述绝缘层的上下面形成的至少一对电极层(21)、(23)，电容部(20)具有对静电放电的保护功能。在本发明中，电容部具有对静电放电的保护功能，因此能够提供难以产生例如因部件安装时的静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。
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公开(公告)号：CN119497900A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380052136.4
申请日：2023-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中矶俊幸
Abstract: 电容器（10）具备导电性的基板（20）、配置于基板（20）的上表面（201）的电介质（31）、配置于电介质（31）的上表面且与基板（20）夹着电介质（31）对置的电极（41）、配置于电极（41）的上表面且与电极（41）电连接的外部连接用的端子电极、和覆盖电极（41）、电介质（31）、端子电极的除了外部连接部以外的部分以及基板（20）的一部分的绝缘膜（60）。将电介质（31）的厚度设为Td，将连接端子电极的未被绝缘膜（60）覆盖的部分和基板（20）的未被绝缘膜（60）覆盖的部分的沿着绝缘膜（60）的表面的距离设为Tsr，厚度Td和距离Tsr满足Tsr
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公开(公告)号：CN118974862A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380029119.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电子部件（102）具备半导体基板（1）、形成在半导体基板（1）的表层侧的绝缘体层（2）、形成在绝缘体层（2）内的内部电极（3A1、3A2、3B）、形成在半导体基板（1）的表层侧的由热氧化膜形成的电介质层（4）、在比内部电极（3A1、3A2）靠表层侧的位置与内部电极（3A1、3A2）导通的引出电极（5A1、5A2）、在比内部电极（3B）靠表层侧的位置与内部电极（3B）导通的引出电极（5B1、5B2）、在比引出电极（5A1、5A2）靠表层侧的位置与引出电极（5A1、5A2）导通的外部电极（6A）、以及在比引出电极（5B1、5B2）靠表层侧的位置与引出电极（5B1、5B2）导通的外部电极（6B）。在与半导体基板的面垂直的方向上观察时，所述第二引出电极形成在所述第二内部电极的内侧。
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