公开(公告)号：CN102245803A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880132278.7

申请日：2008-12-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大园修司 ,  桥本征典 ,  浅利伸

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C18/02 ,  C23C8/08 ,  C23C16/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种有助于延长丝状催化剂使用寿命的催化剂辅助化学气相生长装置。对催化剂辅助化学气相生长装置(1)，在钽丝表面形成其硼化物层而制成丝状催化剂(6)，由于金属钽的硼化物(硼化钽)硬度比金属钽的高，所以将表面形成有其硼化物层的钽丝用作丝状催化剂时，可降低丝状催化剂的受热伸长量，从而提高其机械强度，进而有助于延长其使用寿命。另外，因通过连续通电而对丝状催化剂(6)进行通电加热，因而更有助于延长丝状催化剂(6)的使用寿命。

公开(公告)号：CN102165570A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137929.6

申请日：2009-08-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  浅利伸 ,  桥本征典 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/203 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法以及制造装置，其可在活性层不暴露在大气环境中的情况下保护该活性层不被蚀刻剂侵蚀。本发明一个实施方式所述的场效应晶体管的制造方法包括：采用溅射法在基材上(10)形成活性层(15)(IGZO膜15F)的工序，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分；采用溅射法在上述活性层上形成阻挡层(阻挡层形成膜16F)，该阻挡层用来保护上述活性层不被蚀刻剂侵蚀；以所述阻挡层作为掩膜对上述活性层进行蚀刻加工。采用溅射法形成阻挡层时，在形成活性层后可在该活性层不暴露在大气中的情况下形成阻挡层，所以能防止大气中的水分或杂质附着在活性层的表面而引起薄膜质量变差的情况出现。

公开(公告)号：CN101999173A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200980112428.2

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  桥本征典 ,  若松贞次

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67781 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4587 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，在基板的成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及排气管道，设置在所述阴极单元的周围，在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间，在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道，所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接，导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。

公开(公告)号：CN1842919A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000956.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。

公开(公告)号：CN102017169B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN200980112754.3

申请日：2009-06-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  神保洋介 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  桥本征典 ,  若松贞次

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/67748 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。

公开(公告)号：CN101999173B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980112428.2

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  桥本征典 ,  若松贞次

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67781 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4587 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，在基板的成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及排气管道，设置在所述阴极单元的周围，在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间，在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道，所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接，导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。

公开(公告)号：CN102132416A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980132750.1

申请日：2009-08-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 朝比奈伸一 ,  内田宽人 ,  浅利伸 ,  桥本征典 ,  藤长徹志 ,  小林忠正 ,  若井雅文 ,  今北健一 ,  植喜信 ,  齐藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/077 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。

公开(公告)号：CN101946312A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105758.9

申请日：2009-02-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  若井雅文 ,  若松贞次 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  齐藤一也

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/401 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种成膜方法在抑制栅绝缘膜的电学特性恶化的同时提高栅绝缘膜的表面喷涂率。所述方法包括向真空腔(11)提供包含有机硅烷化合物和氧化气体的混合气体，产生脉冲高频电从而间歇性提供高频电，并通过用脉冲高频电使混合气体等离子化，在所述基板(S)上形成硅绝缘膜。所述脉冲高频电根据满足所述硅绝缘膜表面喷涂率目标值的最大占空比而产生。

公开(公告)号：CN101567392A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141769.4

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。