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公开(公告)号：CN1487606A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03159402.6
申请日：2003-09-18
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，该氮化物系半导体发光元件通过减少在接触层的光吸收损失，可提高发光效率。该氮化物系半导体发光元件具备在基板上形成的第1导电型的第1氮化物系半导体层，形成于第1氮化物系半导体层上的由氮化物系半导体层构成的活性层，形成于活性层上的第2导电型的第2氮化物系半导体层，形成于第2氮化物系半导体层上的未掺杂接触层和形成于未掺杂接触层上的电极。
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公开(公告)号：CN1340890A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01131277.7
申请日：2001-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/0425 , H01S5/168
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上,在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部,端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。
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公开(公告)号：CN101499621B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200910126754.0
申请日：2009-01-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/2201
Abstract: 本发明提供半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：基板；和在基板的表面上形成的、具有在与表面平行的第一方向上延伸的光波导的半导体层，光波导在与表面平行且与第一方向交叉的第二方向上，形成于从半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，在半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，该第一区域位于与光波导的上述一侧相反的一侧，与光波导分开并与第一方向平行地延伸，该第一凹部在光波导的端面的延长线上，与光波导分开并与第一区域交叉，并且在第二方向上延伸，第一区域中的半导体层的厚度小于第一区域以外的区域中的半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN101414732B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810179134.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
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公开(公告)号：CN100555773C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510059393.4
申请日：2005-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/4087
Abstract: 在蓝紫色半导体激光元件的绝缘膜上，并且在第一p侧衬垫电极的两侧，形成第二和第三p侧衬垫电极。第二p侧衬垫电极和第三p侧衬垫电极分别离间形成。在第二和第三p侧衬垫电极的上面侧，分别形成焊锡膜。红色半导体激光元件的第四p侧衬垫电极经焊锡膜接合在第二p侧衬垫电极上。另外，红外半导体激光元件的第五p侧衬垫电极经焊锡膜接合在第三p侧衬垫电极上。因为第二和第三p侧衬垫电极彼此离间形成，所以第四和第五p侧衬垫电极分别电分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517773C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03159402.6
申请日：2003-09-18
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，该氮化物系半导体发光元件通过减少在接触层的光吸收损失，可提高发光效率。该氮化物系半导体发光元件具备在基板上形成的第1导电型的第1氮化物系半导体层，形成于第1氮化物系半导体层上的由氮化物系半导体层构成的活性层，形成于活性层上的第2导电型的第2氮化物系半导体层，形成于第2氮化物系半导体层上的未掺杂接触层和形成于未掺杂接触层上的电极。
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公开(公告)号：CN101414732A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810179134.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
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公开(公告)号：CN100454700C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510053944.6
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
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公开(公告)号：CN101114688A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710147743.1
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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