-
公开(公告)号：CN104620381A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380046464.X
申请日：2013-04-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/872
Abstract: 在作为回流二极管内置了肖特基势垒二极管的半导体装置中，在回流状态下使最大单极电流增大，并且在截止状态下降低漏电流。在第1导电类型的漂移层(20)的表层侧设置了的相邻的第2导电类型的阱区域(30)之间的表面中的至少一部分中，具备肖特基电极(75)，使处于肖特基电极(75)的下部并且处于相邻的所述阱区域(30)之间的第1区域内的第1导电类型的杂质浓度比漂移层(20)的第1导电类型的第1杂质浓度高、并且比阱区域(30)的第2导电类型的第2杂质浓度低。
-
公开(公告)号：CN104285301A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380025183.6
申请日：2013-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/086 , H01L29/1033 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/42356 , H01L29/66068 , H01L29/66893 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7836 , H01L29/8083
Abstract: MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。
-
公开(公告)号：CN103548145A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024635.4
申请日：2012-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0485 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7816 , H01L29/7845 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。
-
公开(公告)号：CN101978502B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200980109708.8
申请日：2009-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/0495 , H01L24/05 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 在设置了JTE层的终端结构中，在半导体层与绝缘膜的界面存在的能级以及缺陷、或者绝缘膜中或从外部通过绝缘膜而浸入至半导体界面的微量的外来杂质成为泄漏电流的产生源以及屈服点，使耐压劣化。本发明的半导体器件具备：在n+型半导体基板(1)上成膜的n-型半导体层(2)；在n-型半导体层上形成的作为肖特基电极而发挥功能的第一电极(3)；在第一电极的端部(3E)及其周边的n-型半导体层表面形成的第一p型半导体层的GR层(4)；在n-型半导体层的表面(2S)与GR层离开间隔地在GR层的周围环状地配置的槽(9)的底部(9B)以及侧面(9S)形成的由第二p型半导体层构成的JTE层(5)；以覆盖GR层和JTE层的方式设置的绝缘膜(7)；以及在n+型半导体基板的背面形成的作为欧姆电极的第二电极(6)。
-
公开(公告)号：CN101978502A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109708.8
申请日：2009-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/0495 , H01L24/05 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 在设置了JTE层的终端结构中，在半导体层与绝缘膜的界面存在的能级以及缺陷、或者绝缘膜中或从外部通过绝缘膜而浸入至半导体界面的微量的外来杂质成为泄漏电流的产生源以及屈服点，使耐压劣化。本发明的半导体器件具备：在n+型半导体基板(1)上成膜的n-型半导体层(2)；在n-型半导体层上形成的作为肖特基电极而发挥功能的第一电极(3)；在第一电极的端部(3E)及其周边的n-型半导体层表面形成的第一p型半导体层的GR层(4)；在n-型半导体层的表面(2S)与GR层离开间隔地在GR层的周围环状地配置的槽(9)的底部(9B)以及侧面(9S)形成的由第二p型半导体层构成的JTE层(5)；以覆盖GR层和JTE层的方式设置的绝缘膜(7)；以及在n+型半导体基板的背面形成的作为欧姆电极的第二电极(6)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101258608B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680032886.1
申请日：2006-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/8611 , H01L29/94
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在使用SiC基板的半导体装置中，JTE层几乎不会受到固定电荷的影响，可取得稳定的绝缘击穿耐压。本发明的第一方式的半导体装置具备：SiC外延层，其具有n型导电性；杂质层，其形成在SiC外延层的表面内，并具有p型导电性；以及JTE层，其与杂质层邻接地形成，并具有p型导电性，且杂质浓度低于杂质层。此处，JTE层形成在从SiC外延层的上表面隔开预定的距离的位置，JTE层的上方形成有具有n型导电性的SiC区域。
-
公开(公告)号：CN106252416B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201610674419.4
申请日：2012-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/417
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。
-
公开(公告)号：CN106252416A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610674419.4
申请日：2012-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0485 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7816 , H01L29/7845 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/5226 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/66477
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。
-
公开(公告)号：CN103548145B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280024635.4
申请日：2012-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0485 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7816 , H01L29/7845 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。
-
公开(公告)号：CN102870217B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180016343.1
申请日：2011-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/402 , H01L29/42372 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7805 , H01L29/7811 , H01L29/8611
Abstract: 在高速切换的功率用半导体装置中，存在在切换时流过位移电流从而与其流路的电阻互相作用，而发生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜发生绝缘破坏，而半导体装置发生破坏的情况。本发明涉及的半导体装置具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，被形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第2阱区域，被形成为包围漂移层的单元区域；以及源极焊盘，经由贯通第2阱区域上的栅极绝缘膜而设置的第1阱接触孔、贯通第2阱区域上的场绝缘膜而设置的第2阱接触孔、以及源极接触孔，而使第2阱区域彼此和单元区域的源极区域电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.025 seconds)
