公开(公告)号：CN101684549A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910204779.8

申请日：2009-09-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323 ,  H01S5/028 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/165 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明制造具有p型氮化物半导体层的氮化物半导体装置，所述p型氮化物半导体层的结晶性良好、电阻率足够低、且Mg的掺杂效率大于0.3％。使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，在GaN基板(10)(基板)上形成p型GaN层(12)(p型氮化物半导体层)。此时，使含有III族原料、V族原料和p型杂质原料的原料气体的流速大于0.2m/秒。

公开(公告)号：CN1783525A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510118514.8

申请日：2005-10-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/04 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在 方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。

公开(公告)号：CN110663099B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201880031043.2

申请日：2018-01-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三谷阳一郎 ,  木村泰广 ,  大野彰仁

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明的目的在于提高SiC外延晶片的器件成品率。SiC外延晶片11具备作为SiC外延层的漂移层2。漂移层2的膜厚为18μm以上且350μm以下，算术平均粗糙度为0.60nm以上且3.00nm以下，杂质浓度为1×1014/cm3以上且5×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN110476223A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201780089191.5

申请日：2017-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C30B29/36 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 将碳化硅衬底(2)配置为使主面相对于横向型CVD装置的横向一列地排列的多个喷射孔(8)平行。从多个喷射孔(8)供给原料气体而在碳化硅衬底(2)的主面之上使碳化硅外延生长层(10)外延生长。从多个喷射孔(8)供给的原料气体被分割至多个系统管线，分别由单独的质量流量控制器(9a～9l)进行控制。碳化硅衬底(2)的主面之上的原料气体的流速大于1m/sec。

公开(公告)号：CN104952708B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201510131777.6

申请日：2015-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  三谷阳一郎 ,  山本高裕 ,  富田信之 ,  滨野健一

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明得到一种能够提高产品的可靠性的碳化硅半导体装置的制造方法。首先，准备具有平均粗糙度小于或等于0.2nm的平坦性的碳化硅单晶衬底(1)。然后，将碳化硅单晶衬底(1)的表面在还原性气体气氛中进行气蚀。在进行气蚀之后，使碳化硅膜(6)在碳化硅单晶衬底(1)的表面上进行外延生长。在这里，将气蚀的蚀刻速率设为大于或等于0.5μm/h而小于或等于2.0μm/h。

公开(公告)号：CN104995718B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201380072880.7

申请日：2013-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  三谷阳一郎 ,  田中贵规 ,  川畑直之 ,  丰田吉彦 ,  黑岩丈晴 ,  浜野健一 ,  大野彰仁 ,  越智顺二 ,  川津善平

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备：向以带有不足5°的偏离角的4H‑SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序；停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序；向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。

公开(公告)号：CN107316805A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710287689.4

申请日：2017-04-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  滨野健一 ,  金泽孝

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/67

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67011

Abstract: 得到能够对晶体缺陷少的碳化硅外延晶片进行制造的碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置。使在生长炉(1)的内壁附着的碳化硅进行氮化、氧化或者氮氧化而得到稳定化。接下来，将衬底(2)搬入至生长炉(1)内。接下来，将工艺气体导入至生长炉(1)内，在衬底(2)之上使碳化硅外延层进行生长而制造碳化硅外延晶片。

公开(公告)号：CN104078331B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410112911.3

申请日：2014-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  川津善平 ,  富田信之 ,  田中贵规 ,  三谷阳一郎 ,  浜野健一

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B29/68 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底（1）。在4H-SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H-SiC层3）。单晶4H-SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。

公开(公告)号：CN105405761A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510571584.2

申请日：2015-09-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本高裕 ,  大野彰仁 ,  惠良淳史

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明得到一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其能够抑制在GaN沟道层的表面处的损坏、陷阱等，提高设备特性。在Si衬底(1)上，以第1生长条件形成GaN沟道层(3)。在GaN沟道层(3)上，一边从第1生长条件变化为第2生长条件，一边形成GaN转变层(4)。在GaN转变层(4)上，以第2生长条件形成AlGaN电子供给层(5)。不进行生长中断而连续地形成GaN沟道层(3)、GaN转变层(4)、以及AlGaN电子供给层(5)。

公开(公告)号：CN104995718A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201380072880.7

申请日：2013-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  三谷阳一郎 ,  田中贵规 ,  川畑直之 ,  丰田吉彦 ,  黑岩丈晴 ,  浜野健一 ,  大野彰仁 ,  越智顺二 ,  川津善平

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备：向以带有不足5°的偏离角的4H-SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序；停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序；向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。