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公开(公告)号:CN102295895A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110040294.7
申请日:2011-02-16
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: C09J7/02 , C09J163/04 , C09J113/00 , H01L23/29
CPC分类号: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种具有优异的粘合性能和耐热性的热固性双面粘合膜,所述双面粘合膜用于固定导线空间以防止电干扰并提供待堆叠的裸片之间的粘合,可以防止诸如由在高温加工期间在封装内部吸收的水内容物的高水蒸气压而引起的界面的剥落或爆米花式爆裂现象的问题。本发明的具有优异的粘合性能和耐热性的热固性双面粘合膜是处于裸片之间且具有涂布在聚酰亚胺膜两侧上的粘合层的粘合膜,其中对于每100重量份含有1~10重量%羧基的NBR,所述粘合层包含5~200重量份的环氧树脂、50~200重量份的酚醛树脂以及2~40重量份的选自胺类或酸酐类固化剂中的一种或多种固化剂,其中按照环球法测量,所述酚醛树脂的软化点为60℃~120℃。
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公开(公告)号:CN112236296A
公开(公告)日:2021-01-15
申请号:CN201880094253.6
申请日:2018-10-02
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: B32B3/12 , B32B27/08 , B32B27/36 , B32B27/20 , C08L67/00 , G02B5/26 , B29C55/14 , B29D7/01 , B29L31/00
摘要: 根据本发明的一个实施方案的双轴取向的聚酯反射膜包括:芯层,所述芯层具有许多孔并且包含均聚酯、共聚酯、与聚酯不相容的树脂、和无机颗粒;以及表层,所述表层形成在芯层的至少一个表面上并且包含均聚酯、共聚酯、和无机颗粒。双轴取向的聚酯反射膜被制造成具有其中具有凹中心的多个聚光结构以网格形式布置的结构。
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公开(公告)号:CN102911614B
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201110306236.4
申请日:2011-10-08
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: C09J7/02 , C09J113/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/06 , H01L21/58 , H01L21/56
CPC分类号: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , Y02P20/149 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供一种用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法。所述胶粘带包含基材和涂覆在所述基材的至少一个表面上的胶粘剂层,所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成,所述胶粘剂组合物含有按100重量份的含羧基的橡胶树脂计为约0.01~约10重量份的固化剂和约60~约100重量份的添加剂。所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持低胶粘强度,由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率,且该胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性,由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去胶粘带时不会在粘附表面上残留残渣,因此有助于加工并降低了缺陷率。
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公开(公告)号:CN102911614A
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201110306236.4
申请日:2011-10-08
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: C09J7/02 , C09J113/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/06 , H01L21/58 , H01L21/56
CPC分类号: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , Y02P20/149 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供一种用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法。所述胶粘带包含基材和涂覆在所述基材的至少一个表面上的胶粘剂层,所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成,所述胶粘剂组合物含有按100重量份的含羧基的橡胶树脂计为约0.01~约10重量份的固化剂和约60~约100重量份的添加剂。所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持低胶粘强度,由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率,且该胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性,由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去胶粘带时不会在粘附表面上残留残渣,因此有助于加工并降低了缺陷率。
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公开(公告)号:CN101486883B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200810082342.7
申请日:2008-02-29
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: C09J109/02 , C09J163/00 , C09J11/06 , C08J5/12
摘要: 本发明涉及用于无卤素覆盖膜的粘合剂组合物,所述粘合剂组合物用于制备覆盖膜来保护柔性印刷电路板,还涉及使用所述粘合剂组合物的覆盖膜。更具体地,本发明涉及用于无卤素覆盖膜的粘合剂组合物和使用所述粘合剂组合物的覆盖膜,所述覆盖膜符合阻燃性、粘合性、耐热性、渗出性和流动性等的所有要求。为此,用于无卤素覆盖膜的粘合剂组合物的特征在于包括:(1)包括羧基并具有10,000至200,000分子量、且丙烯腈含量为20至40重量份的丁腈橡胶(NBR),(2)每分子具有两个或多个环氧基团并且分子量为200至1,000的非卤素多官能环氧树脂,(3)硬化剂,(4)固化促进剂,(5)磷阻燃剂含量大于10质量%且热裂解温度高于300℃的非卤素的磷阻燃剂,和(6)无机粒子,例如氢氧化铝、氢氧化镁、氧化锌、氧化镁、三氧化锑、或硅石等。
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公开(公告)号:CN102334195A
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN201080009780.6
申请日:2010-03-22
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: H01L31/042
CPC分类号: H01G9/2009 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供染料敏化太阳能电池用聚合物电解质和使用其制造染料敏化太阳能电池模块的方法,更具体地,本发明涉及不仅可以防止电解质泄漏、而且与常规聚合物电解质相比显示更高太阳能转换效率、并且适用于制造具有大表面积的染料敏化太阳能电池或柔性染料敏化太阳能电池的工艺的染料敏化太阳能电池用聚合物电解质和使用其制造染料敏化太阳能电池模块的方法,所述泄漏是使用液体电解质的常规染料敏化太阳能电池中的最差缺点之一。根据本发明的染料敏化太阳能电池用聚合物电解质包含热固性环氧树脂、咪唑类固化促进剂和金属盐,并且使用所述染料敏化太阳能电池用聚合物电解质制造染料敏化太阳能电池模块的方法的特征在于,使用上述染料敏化太阳能电池用聚合物电解质,其中所述染料敏化太阳能电池用聚合物电解质用作工作电极和对电极之间的粘合物,并且最终粘合形式保持为固相。
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公开(公告)号:CN102150240A
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN200980118992.5
申请日:2009-01-15
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/78
CPC分类号: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/6835 , H01L2221/68327
摘要: 本发明提供了用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜,所述半导体薄膜晶片在半导体晶片的膜减薄工艺期间不需要单独的粘合装置,所述晶片支撑粘合膜不受半导体晶片尺寸的任何限制,其通过在耐热基材上涂布丙烯酸类粘合剂层而防止研磨水渗透,其在剥离期间不在电路表面上留下任何粘合剂层且因此不需要附加的洗涤工艺,从而防止了在复杂的工艺期间可能发生的半导体晶片中的损伤以及电路表面的污染。为此,本发明的所述用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜包含耐热基材和涂布在耐热基材上的耐热粘合剂层,其中所述耐热粘合剂层包含分子量为500,000~3,000,000的丙烯酸类共聚物、可能量束固化的丙烯酸类低聚物和光引发剂。
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公开(公告)号:CN102084027A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200980111635.6
申请日:2009-06-18
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: C23C16/18 , H01L21/205
摘要: 本发明涉及为对基材提供高疏水性而将基材表面改性成高疏水性的方法。更具体地说,本方法利用了在基材改性期间具有低表面能、但链长不同的两种不同的有机硅烷分子的自发相分离。分别由相分离的长、短低表面能有机硅烷分子形成域结构和基质结构,由两者的高度差导致的表面粗糙度能够摹拟荷叶效应的超疏水性。所述方法以此方式能够对基材赋予高疏水性。为此目的,将基材表面处理成高疏水性的方法的特征在于,使用具有CF3基团作为官能团的有机硅烷以及碳链长度比前述有机硅烷更短且具有CH3基团作为官能团的有机硅烷,通过化学气相沉积来形成混合自组装单层(SAM),由此获得高疏水性的表面。
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公开(公告)号:CN102013402A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200910253243.5
申请日:2009-12-11
申请人: 东丽先端素材株式会社
IPC分类号: H01L21/48 , C09J7/02 , C09J171/12 , C09J133/00 , C09J9/00
CPC分类号: C09J5/06 , B32B37/0015 , B32B37/06 , B32B2457/14 , C08G2650/56 , C08L31/06 , C08L75/14 , C08L2205/05 , C09J7/35 , C09J171/00 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/568 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/32245 , H01L2224/48175 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/30107 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要: 本发明总体涉及粘接带和引线框架的层压方法,并且更具体地涉及可以减小制造半导体装置的粘接带被贴附至引线框架的热层压工艺之后引线框架的翘曲的粘接带和引线框架层压方法,且其满足层压工艺所要求的所有性能,并且克服了例如来自在现有技术半导体装置制造工艺中已经被使用过的粘接带的粘接剂残留物的产生和密封树脂的泄漏的缺点。为此,根据本发明的粘接带和引线框架的层压方法的特征在于,粘接带表面的层压温度和引线框架表面的层压温度在引线框架和制造电子部件的粘接带的层压工艺中相互不同,并且优选引线框架表面的层压温度低于粘接带表面的层压温度1~200℃。
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