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公开(公告)号：CN106992160A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611187390.3
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/065 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2223/6677 , H01L2224/18 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L23/3135 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q1/50
Abstract: 本发明的实施例公开了封装的半导体器件以及封装半导体器件的方法。在一些实施例中，封装的半导体器件包括集成电路管芯、设置在集成电路管芯周围的第一模制材料以及设置在第一模制材料内的通孔。再分布层(RDL)的第一侧连接至集成电路管芯、通孔以及第一模制材料。第二模制材料设置在RDL的第二侧上方，RDL的第二侧与RDL的第一侧相对。该封装的半导体器件包括在第二模制材料上方的天线。
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公开(公告)号：CN106653744A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610624175.9
申请日：2016-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/24
Abstract: 一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106486442A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610061363.5
申请日：2016-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/60
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/585 , H01L23/66 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/532 , H01L23/60
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底、设置在衬底上方的管芯，以及包括：设置在管芯上方的管芯焊盘和设置在管芯的外围处并且与管芯焊盘电连接的密封环、设置在管芯上方的聚合物层、延伸穿过聚合物层并且与管芯焊盘电连接的通孔，和设置在衬底上方并且围绕管芯和聚合物层的模塑件，其中，密封环配置为接地。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN120030958A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510119111.2
申请日：2025-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括具有光波导的光中介层；多个芯片堆叠件，设置在所述光中介层上方，所述多个芯片堆叠件中的每个都包括第一光子IC芯片和位于所述第一光子IC晶圆上方的存储芯片；以及分别与所述多个芯片堆叠件相邻设置的多个第一激光源芯片，其中，所述光中介层中的光波导被配置为光学互连结构，以通过所述第一光子IC芯片与所述存储芯片耦合。本公开的实施例还提供了一种制造集成电路(IC)结构的方法。
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公开(公告)号：CN114937664A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110856920.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括位于晶片上的第一多个管芯、位于所述第一多个管芯之上的第一重布线结构及与所述第一多个管芯相对地位于所述第一重布线结构上的第二多个管芯。所述第一重布线结构包括第一多个导电特征。所述第一多个管芯中的每一管芯在所述第一重布线结构的底侧上通过多个金属‑金属接合而接合到所述第一多个导电特征中的相应的多个导电特征。所述第二多个管芯中的每一管芯在所述第一重布线结构的顶侧上通过多个金属‑金属接合而接合到所述第一重布线结构中的所述第一多个导电特征中的相应的多个导电特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820722A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011224687.9
申请日：2020-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：第一管芯阵列，包括第一集成电路管芯，第一集成电路管芯的取向沿着第一管芯阵列的行和列交替；第一介电层，围绕第一集成电路管芯，第一介电层和第一集成电路管芯的表面是平坦的；第二管芯阵列，包括位于第一介电层和第一集成电路管芯上的第二集成电路管芯，第二集成电路管芯的取向沿着第二管芯阵列的行和列交替，第二集成电路管芯的前侧通过金属对金属接合和通过电介质对电介质接合而接合至第一集成电路管芯的前侧；以及第二介电层，围绕第二集成电路管芯，第二介电层和第二集成电路管芯的表面是平坦的。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112687666A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011109999.5
申请日：2020-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98
Abstract: 在一实施例中，一种集成电路封装包括：处理器晶粒，包括电路区块，电路区块包括具有第一技术节点的有源装置；电源闸控晶粒，包括具有第二技术节点的功率半导体装置，第二技术节点大于第一技术节点；以及第一重布线结构，包括第一金属化图案，第一金属化图案包括电力供应源线及电力供应接地线，其中电路区块的第一子集经由功率半导体装置电性耦合至电力供应源线及电力供应接地线，且电路区块的第二子集永久地电性耦合至电力供应源线及电力供应接地线。
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公开(公告)号：CN107437453B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201710389476.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种堆叠线圈结构，包括第一包封层和在第一包封层中的第一线圈。第一包封层的顶面与第一线圈的顶面共平面，并且第一包封层的底面与第一线圈的底面共平面。在第一包封层上方形成第二包封层。导电通孔在第二包封层中，并且第一导电通孔电耦合至第一线圈。第三包封层位于第二包封层上方。第二线圈在第三包封层中。第三包封层的顶面与第二线圈的顶面共平面，并且第三包封层的底面与第二线圈的底面共平面。本发明的实施例还提供了一种形成堆叠线圈结构的方法。
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公开(公告)号：CN109216323A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711338029.0
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括嵌入在模塑材料中的第一管芯，其中，第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧。半导体器件还包括在模塑材料的第一侧上方的再分布结构、沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间的第一金属涂层、以及沿模塑材料的侧壁并且在模塑材料的与第一侧相对的第二侧上的第二金属涂层。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。
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