公开(公告)号：CN118117019A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410284855.5

申请日：2016-09-15

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  岸冈高广 ,  坂本力丸

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

Abstract: 提供基板表面的粗化方法，包括：第1工序，在基板的表面上涂布含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)的组合物(a3)，然后进行干燥和固化，从而在该基板上形成有机树脂层(A)；第2工序，通过用含有氟化氢、过氧化氢或酸的溶液蚀刻形成了有机树脂层(A)的基板从而使该基板的表面粗化。优选蚀刻利用含有氟化氢和氟化铵、或过氧化氢和铵的溶液进行，有机树脂层(A)以相对于有机树脂(a2)100质量份无机粒子(a1)为5～50质量份的比例含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)，组合物(a3)使用作为无机粒子(a1)的二氧化硅或氧化钛分散在有机溶剂中而得的二氧化硅溶胶或氧化钛溶胶、与有机树脂(a2)的溶液的混合物。

公开(公告)号：CN106662819B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201580036571.3

申请日：2015-08-04

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  坂本力丸 ,  桥本圭祐 ,  远藤贵文

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/24 ,  C08G14/06 ,  C08G14/073 ,  C08G14/09

Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用抗蚀剂下层膜，其为了呈现良好的涂布成膜性而在抗蚀剂溶剂(光刻中使用的溶剂)中具有高溶解性，且具有比抗蚀剂小的干蚀刻速度选择比。本课题的解决方法是一种包含酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述酚醛清漆树脂含有通过芳香族化合物(A)的芳香环与含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)反应而得到的结构体(C)。芳香族化合物(A)是用于构成酚醛清漆树脂中包含的结构体(C)的成分。含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)用式(1)表示。含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)为2‑羟基苄醇、4‑羟基苄醇、或2,6‑二叔丁基‑4‑羟基甲基苯酚。

公开(公告)号：CN107077071B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201580055292.1

申请日：2015-10-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本圭祐 ,  坂本力丸 ,  西卷裕和 ,  远藤贵文

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/00 ,  C08G61/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征：在高低差基板上的平坦化性能优异，向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好，可使得成膜后的晶片表面平坦。其解决手段为包含含有下述式(1)表示的单元结构的聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。

公开(公告)号：CN104412163B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201380035136.X

申请日：2013-06-21

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 染谷安信 ,  武田谕 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供一种使用能够形成良好图案而不发生分辨极限恶化的下层膜材料的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成有机下层膜的工序中，在该有机下层膜上形成无机硬掩模的工序中，在该无机硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序中，在通过进行光或电子射线的照射和溶剂显影而形成抗蚀剂图案的工序中，在利用抗蚀剂图案对该无机硬掩模进行蚀刻的工序中，在利用图案化了的无机硬掩模对有机下层膜进行蚀刻的工序中，以及在利用图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序中，该有机下层膜是通过用于形成有机下层膜的组合物的涂布和加热而获得的有机下层膜，所述组合物含有包含有机基团的化合物和有机溶剂，所述有机基团具有选自环氧基、异氰酸酯基、封闭异氰酸酯基和苯并环丁烯环基中的官能团。

公开(公告)号：CN105324720B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201480035763.8

申请日：2014-06-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本圭祐 ,  高濑显司 ,  新城彻也 ,  坂本力丸 ,  远藤贵文 ,  西卷裕和

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/13 ,  C08L61/04 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。

公开(公告)号：CN105143979B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201480021117.6

申请日：2014-04-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  新城彻也 ,  染谷安信 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/02 ,  C08L65/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G61/02 ,  C08G61/124 ,  C08G73/026 ,  C08G2261/1422 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3424 ,  C08L65/00 ,  C08L79/02 ,  G03F7/091

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种包含聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，式(1)中，X1表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的二价有机基，X2表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的有机基或甲氧基。

公开(公告)号：CN104541205B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201380042336.8

申请日：2013-08-13

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D161/12 ,  C07C39/15 ,  C08G8/02 ,  C08G8/04 ,  C09D161/04 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。

公开(公告)号：CN103635858B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201280033067.4

申请日：2012-07-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  染谷安信 ,  桥本圭祐 ,  柄泽凉

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08F26/12 ,  C08F226/06 ,  C08G61/124 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3325 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的课题是提供n值高，k值低，在与含有硅的中间层组合使用的3层工艺中可以有效地降低波长193nm的光从基板反射的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法是一种在光刻工序中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含由稠杂环化合物与二环化合物的反应物形成的单元结构。稠杂环化合物为咔唑或取代咔唑。二环化合物为二聚环戊二烯、取代二聚环戊二烯、四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳－3,8－二烯、或取代四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳－3,8－二烯。

公开(公告)号：CN102084301B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200980126339.3

申请日：2009-07-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 丸山大辅 ,  境田康志 ,  何邦庆 ,  桥本圭祐 ,  藤谷德昌

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02282 ,  C08G77/04 ,  C08G77/60 ,  C08L83/04 ,  G03F7/405 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明的课题在于得到适合于“反式构图”，用于形成覆盖抗蚀图案的膜的理想涂布组合物。为了解决上述课题，使用含有有机聚硅氧烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和季铵盐或季盐的光刻用涂布组合物，或者使用含有聚硅烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和选自交联剂、季铵盐、季盐和磺酸化合物中的至少1种添加剂的光刻用涂布组合物，上述聚硅烷的末端具有硅烷醇基、或该硅烷醇基和氢原子。

公开(公告)号：CN101322074B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200680045563.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  堀口有亮 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02126 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，且能够使具有纵横比大的孔的半导体基板的表面平坦化。本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。