公开(公告)号：CN1938820A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009661.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 关西电力株式会社 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 中山浩二 ,  菅原良孝 ,  土田秀一 ,  镰田功穗 ,  三柳俊之 ,  中村智宣

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 一种双极型半导体装置，通电时电子和空穴再结合区域的至少一部分，是由碳化硅基片表面生长的碳化硅外延层形成。在制造双极型半导体装置时，用氢腐蚀处理碳化硅基片的表面后，从该处理面上使碳化硅外延生长而形成上述的外延层。通过用化学机械研磨处理碳化硅基片的表面，然后用氢腐蚀处理，可进一步减少向外延层的基面位错的传播。

公开(公告)号：CN1902760A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480040292.6

申请日：2004-12-01

Applicant: 关西电力株式会社 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 中山浩二 ,  菅原良孝 ,  浅野胜则 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗 ,  三柳俊之 ,  中村智宣

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及一种双极半导体元件及其制作方法。为了防止使用有碳化硅半导体的双极半导体元件的时效变化造成的顺向电压的增大，以相对碳化硅半导体的结晶的(000－1)碳面的偏斜角θ为8度的面为结晶成长面，在该成长面上将缓冲层、漂移层及其它p型及n型半导体层以膜厚每小时h的增加速度大于或等于现有的3倍、即10μm/h的成膜速度成膜。为提高成膜速度，大幅度增加原料气体的硅烷、丙烷及掺杂剂气体的流量。

公开(公告)号：CN112626618B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202011015571.4

申请日：2020-09-24

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 镰田功穗 ,  土田秀一 ,  星乃纪博 ,  德田雄一郎 ,  冈本武志

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/00

Abstract: 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。

公开(公告)号：CN103160922A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210544538.X

申请日：2012-12-14

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美 ,  藤林裕明 ,  安达步 ,  西川恒一

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/165 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。

公开(公告)号：CN101313407B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200680043862.6

申请日：2006-11-22

Applicant: 财团法人电力中央研究所

Inventor： 中村智宣 ,  土田秀一 ,  三柳俊之

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606

Abstract: 在肖特基电极和焊线电极之间，设置有中间金属膜，该中间金属膜和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度，大于等于肖特基电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度。因此，焊线电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度，即使小于肖特基电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度时，也可抑制通过针孔的电流。

公开(公告)号：CN101114593A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710000755.1

申请日：2007-01-19

Applicant: 财团法人电力中央研究所

Inventor： 土田秀一 ,  柳特拉斯·斯特拉斯塔

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L29/70

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  H01L21/322 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7325 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过高温退火有效地减少或消除载流子俘获中心来提高SiC层质量的方法和通过该方法制造的SiC半导体器件。该通过消除或者减少部分载流子俘获中心提高SiC层质量的方法包括：(a)执行离子注入碳原子、硅原子、氢原子或氦原子到SiC晶体层(E)内的浅表面层(A)中以导入多余的碳间隙到注入的表面层中，及(b)加热该层使导入到表面层中的碳间隙(C)从注入的表面层(A)扩散到本体层(E)中，以及使本体层中的电活性点缺陷失去活性。经过以上步骤后，表面层(A)可以被蚀刻或者机械地去除。根据本发明的半导体器件用该方法制造。

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。