-
公开(公告)号：CN109073995A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027317.6
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的参数的方法，该方法包括：获得检测到的由在标称物理配置下具有几何对称性的结构重定向的辐射的表示，其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述结构填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统基于来自所述检测到的辐射的表示中的不对称光学特性分布部分的光学特性值来确定所述图案化工艺的参数的值，所述检测到的辐射的表示中的不对称光学特性分布部分具有比所述检测到的辐射的表示中的另一部分更高的权重，所述不对称光学特性分布源自所述结构的与所述标称物理配置不同的物理配置。
-
公开(公告)号：CN108700823A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012362.4
申请日：2017-02-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法，包括：通过组合由图案化工艺处理的衬底上的第一变量的指纹和第一变量的特定值，来计算衬底的图案的或针对衬底的图案的第一变量的值；以及至少部分基于第一变量的所计算的值来确定图案的第二变量的值。
-
公开(公告)号：CN105980932B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括:照射目标,该目标具有交替的第和第二结构,其中第二结构的形式是依赖于焦距的,而第结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性;以及检测由目标重定向的辐射,以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量,其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。种用于形成这种目标的相关联的掩模和种具有这种目标的衬底。
-
公开(公告)号：CN107924140A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049910.6
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70491 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G03F7/70633 , G03F7/70683
Abstract: 衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量，并且在第二目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第二偏差量。获取第一目标结构的角分辨散射光谱和第二目标结构的角分辨散射光谱，并且从使用在第一目标结构和第二目标结构的散射光谱中发现的不对称的测量来得出光刻工艺的参数的测量。
-
公开(公告)号：CN107710073A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680034173.2
申请日：2016-05-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·B·范奥斯滕 , P·C·欣南 , R·C·M·德克鲁夫 , R·J·索查
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F1/44 , G03F7/70516 , G03F7/70525 , G03F7/70625 , G03F7/70641
Abstract: 公开了一种在光刻工艺期间监测焦距参数的方法。该方法包括分别获取第一目标和第二目标的第一测量值和第二测量值，其中第一目标和第二目标已经以相对最佳焦距偏移被曝光。该方法然后包括根据第一测量值和第二测量值确定焦距参数。还公开了相应的测量和光刻设备、计算机程序和制造器件的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1506768A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN03164859.2
申请日：2003-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·B·M·范比森 , J·伯格胡恩 , R·J·F·范哈伦 , P·C·欣南 , H·G·范霍斯森 , J·休布雷格特塞 , A·B·约伊宁克 , H·梅根斯 , R·纳瓦罗科伦 , H·P·T·托斯马 , H·J·G·西蒙斯 , J·R·舒尔休斯 , S·I·彻特斯 , Y·B·李 , A·R·邓巴
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01S3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7084 , G03F9/7046 , G03F9/7049 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
Abstract: 一种光刻装置的对准系统，包括对准辐射源，具有第一检测器通道和第二检测器通道的检测系统，与检测系统通信连接的定位单元。定位单元用于处理来自第一和第二检测器通道的信息，并将其结合从而根据组合信息确定第一物体上的对准标记相对于第二物体上的参考位置的位置。
-
公开(公告)号：CN111742265B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201980014284.0
申请日：2019-01-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种针对测量应用(335；340；345)优化(300)测量照射的带宽的方法、以及一种相关联的量测装置。该方法包括：利用具有参考带宽的参考测量照射，执行(305)参考测量；以及执行(310；325)一个或多个优化测量，上述一个或多个优化测量中的每个优化测量是利用具有变化的候选带宽的测量照射来执行的。将一个或多个优化测量与参考测量进行比较(320)；并且基于比较，为测量应用选择(330)最佳带宽。
-
公开(公告)号：CN115327861A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211006576.X
申请日：2018-08-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/3065
Abstract: 公开了控制图案化过程的方法。在一种布置中，获得从对穿过衬底上的结构的目标层的蚀刻路径中的倾斜的测量得到的倾斜数据。该倾斜表示蚀刻路径的方向与目标层的平面的垂直线偏离。倾斜数据被用于控制用于在另外的层中形成图案的图案化过程。
-
公开(公告)号：CN111051994B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201880058754.9
申请日：2018-08-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种测量光刻装置的焦点性能的方法以及对应的图案化设备和光刻装置。该方法包括使用光刻装置印刷一个或多个第一印刷结构和第二印刷结构。第一印刷结构通过具有第一非远心度的照射印刷，而第二印刷结构通过具有不同于所述第一非远心度的第二非远心度的照射印刷。测量与所述衬底上的第一印刷结构和第二印刷结构之间的焦点相关位置偏移有关的焦点相关参数，并由此得到至少部分基于焦点相关参数的焦点性能的测量。
-
公开(公告)号：CN109073997B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201780027338.8
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：用辐射光束照射衬底，使得所述衬底上的光束斑点被单位单元的一个或多个物理实例填充，所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性；使用检测器检测由所述单位单元的所述一个或多个物理实例重定向的主要零阶辐射；以及由硬件计算机系统从检测到的辐射的光学特性值确定所述单位单元的套刻的非标称值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.028 seconds)
