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公开(公告)号：CN111164515B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
Abstract: 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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公开(公告)号：CN112005157A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980025279.X
申请日：2019-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开一种用于测量与衬底上的结构有关的关注的特性的方法和相关联设备。所述方法包括在利用照射辐射照射结构之后，直接地由关注的特性对在照射辐射被所述照射辐射被所述结构散射时的至少相位的影响，来计算关注的特性的值。
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公开(公告)号：CN107924146B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201680050090.2
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·G·J·马斯杰森 , A·J·登博夫 , N·潘迪 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·M·怀特 , K·S·E·埃克玛
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种光刻设备，包括：被构造为保持衬底的衬底台；以及被配置为感测设置到由衬底台保持的衬底上的对准标记的位置的传感器。传感器包括被配置为用辐射束照射对准标记的辐射源、被配置为检测已经与对准标记相互作用的辐射束作为离焦光学图案的检测器、以及数据处理系统。数据处理系统被配置为接收表示离焦光学图案的图像数据，并且处理图像数据以用于确定对准信息，包括向离焦光学图案应用无透镜成像算法。
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公开(公告)号：CN108027571A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680049908.9
申请日：2016-07-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯
Abstract: 本发明描述了一种用于传感器的初始化方法，传感器被配置成使用相应的多个不同的测量参数来执行对象的属性的多个测量，该多个测量中的不同的测量使用不同的测量参数，方法包括：‑基于该多个测量估计属性的特性，特性包括由相应的加权系数加权的该多个测量的相应的测量的相应的结果的组合；‑使用该对象的多个模型，多个模型中的每个相应的模型被配置成使得能够执行该多个测量的相应的仿真；‑针对多个模型中的相应的模型中的每个执行相应的仿真，相应的仿真包括在相应的多个不同的仿真参数的控制下仿真该多个测量以获得该属性的相应的多个仿真的特性，多个不同的仿真参数指示该多个不同的测量参数；‑针对多个模型中的每个相应的模型确定相应的偏差，该相应的偏差表示根据相应的模型的该属性的相应的理论特性与相应的模型中的该属性的仿真的特性的相应的进一步组合之间的相应的差；仿真的特性的相应的进一步组合包括多个加权系数，多个加权系数中的每个特定加权系数与多个不同的仿真参数中的特定的一个相关联；‑使用被配置成优化该属性的仿真的特性与该属性的理论特性之间的对应性的成本函数；该成本函数是多个模型的相应的偏差的函数；‑优化该成本函数，由此从该成本函数导出多个加权系数；‑在与传感器相关联的控制器中使用该加权系数以及关联的仿真参数。
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公开(公告)号：CN107924146A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050090.2
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·G·J·马斯杰森 , A·J·登博夫 , N·潘迪 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·M·怀特 , K·S·E·埃克玛
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种光刻设备，包括：被构造为保持衬底的衬底台；以及被配置为感测设置到由衬底台保持的衬底上的对准标记的位置的传感器。传感器包括被配置为用辐射束照射对准标记的辐射源、被配置为检测已经与对准标记相互作用的辐射束作为离焦光学图案的检测器、以及数据处理系统。数据处理系统被配置为接收表示离焦光学图案的图像数据，并且处理图像数据以用于确定对准信息，包括向离焦光学图案应用无透镜成像算法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118363275A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410512541.6
申请日：2019-07-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , 帕特里克·华纳 , V·T·滕纳 , M·范德斯卡
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法，所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构。所述方法包括：确定与由所述第一结构散射的第一辐射相关的第一电场；确定与由所述第二结构散射的第二辐射相关的第二电场；和按计算方式确定所述第一电场和所述第二电场的干涉，以获得按计算方式确定的干涉电场。
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公开(公告)号：CN109073568B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201780026352.6
申请日：2017-04-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , S·G·J·马斯杰森 , S·B·鲁博尔 , 林楠
IPC: G01N21/95 , G01N21/956 , H01L21/66 , G03F7/20
Abstract: 例如用x射线或EUV波段中的辐射来照射感兴趣结构(T)，并且通过检测器(19、274、908、1012)检测散射的辐射。处理器(PU)例如通过仿真(S16)辐射与结构的交互并且比较(S17)仿真交互与检测辐射来计算诸如线宽(CD)或覆盖(OV)的特性。该方法被修改(S14a、S15a、S19a)来考虑由检查辐射引起的结构中的改变。这些改变例如可以是材料的收缩或者光学特性的改变。可以在当前观察或先前观察中由检测辐射引起改变。
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公开(公告)号：CN109073568A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026352.6
申请日：2017-04-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , S·G·J·马斯杰森 , S·B·鲁博尔 , 林楠
IPC: G01N21/95 , G01N21/956 , H01L21/66 , G03F7/20
Abstract: 例如用x射线或EUV波段中的辐射来照射感兴趣结构(T)，并且通过检测器(19、274、908、1012)检测散射的辐射。处理器(PU)例如通过仿真(S16)辐射与结构的交互并且比较(S17)仿真交互与检测辐射来计算诸如线宽(CD)或覆盖(OV)的特性。该方法被修改(S14a、S15a、S19a)来考虑由检查辐射引起的结构中的改变。这些改变例如可以是材料的收缩或者光学特性的改变。可以在当前观察或先前观察中由检测辐射引起改变。
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公开(公告)号：CN107077079B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201580058279.1
申请日：2015-08-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·博兹库尔特 , M·J·J·加克 , P·A·J·廷尼曼斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 基于目标的图像的强度测量目标结构的属性。方法包括(a)获得目标结构的图像；(b)限定(1204)多个候选感兴趣区域，各候选感兴趣区域包括在图像中的多个像素；(c)至少部分基于在感兴趣区域内的像素的信号值来限定(1208，1216)用于候选感兴趣区域的优化度量值；(d)限定(1208，1216)目标信号函数，目标信号函数限定了图像中的各像素对目标信号值的贡献。各像素的贡献取决于(i)哪个候选感兴趣区域包含该像素和(ii)那些候选感兴趣区域的优化度量值。
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公开(公告)号：CN107850862A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
Abstract: 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：-针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；-将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；-将位置偏差分组成数据集；-确定平均数据集；-从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；-对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；-将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
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