公开(公告)号：CN102687263A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080055950.4

申请日：2010-10-29

申请人： 电子科学工业有限公司

发明人： 丹尼尔·J·华特生 ,  穆尔·R·柯恩

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： B23K26/03 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/351 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/76892 ,  H01L27/10897

摘要： 本发明揭示一种用于在基于激光的系统中处理多个半导体部件的装置及方法，其调整默认制法以考虑待对所述多个部件中的至少一个部件执行的工作。使用所述默认制法及包含所述默认制法的经修改参数的部件特定制法来分析待对部件执行的所述工作。基于所要处理结果来选择所述默认制法或所述部件特定制法，且所述所选制法替换所述默认制法以使用所述基于激光的系统执行所述工作。

公开(公告)号：CN102203903A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200880131681.8

申请日：2008-09-19

申请人： 艾格瑞系统有限公司

发明人： F·A·拜奥齐 ,  J·T·卡古 ,  J·M·德卢卡 ,  B·J·杜特 ,  C·马丁

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01C17/26

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5254 ,  H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种电子器件，包含半导体基板和基板上的电介质层。位于基板上的电阻链接包含第一电阻区域和第二电阻区域。第一电阻区域具有第一电阻率和第一形态。第二电阻区域具有第二电阻率和不同的第二形态。

公开(公告)号：CN101651129B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910166721.9

申请日：2009-08-14

申请人： 三星移动显示器株式会社

发明人： 李在一 ,  金槿 ,  姜振奎

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L51/0021 ,  H01L21/76892 ,  H01L27/3276

摘要： 本发明提供了一种修复有机发光显示器的线缺陷的结构及修复该缺陷的方法。用于修复线缺陷的结构及修复该缺陷的方法被公开，在该结构中可以采用相邻配线容易地修复短路而不管有限的修复空间。

公开(公告)号：CN1697187B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200410094239.6

申请日：2004-12-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L23/50 ,  B42D15/10 ,  G06F17/60 ,  G06K19/07 ,  G07D7/02 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/112 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11253 ,  H01L27/11293 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78624 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种具有增加的冲击阻力、有吸引力的设计和减少的成本的芯片，及其制造方法。半导体集成电路形成在大的玻璃衬底上，其包括的ROM的数据部分是通过喷墨方法或激光切割方法确定。因此不需要利用光掩模，能够减小成本，形成廉价的ID芯片。另外，依靠本申请，半导体集成电路能够置换到挠性衬底上，从而能得到增强的冲击阻力和更具吸引力的ID芯片。

公开(公告)号：CN1321438C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN01806412.4

申请日：2001-03-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 穆尼尔·那伊姆 ,  劳伦斯·克莱芬格

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76892 ,  H01L23/528 ,  Y10S977/715 ,  Y10S977/73 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/832

摘要： 本申请公开了一种利用常规多层结构形成微米级功能部件的方法。所述方法通常需要形成包括一个多晶层(12)和至少一个约束层(14)的多层结构(10)。对多层结构加工图案，形成第一结构(16)和第二结构(18)，所述第一和第二结构均包括多晶层和约束层。随后局部加热至少第一结构(16)，在加热过程中，约束层限制第一结构的多晶层的热膨胀。从而，在第一结构的多晶层中产生应力，导致从第一结构的边缘开始的基本二维的晶粒生长。充分的晶粒生长产生第三结构(20)，基于多晶层的晶粒尺寸的该第三结构(20)是纳米级结构。当被恰当地成形时，纳米级结构可形成为电气、机械、光学和流体处理装置的工作组件。

公开(公告)号：CN1316593C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410074891.1

申请日：2004-08-30

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 金兑京

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L21/76892

摘要： 本发明揭示一种在一半导体器件内形成一金属线的方法，其包括以下步骤：按顺序在其上已形成次结构的一半导体衬底上形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成用于在不同点曝露该次结构的多个通孔，且通过重新图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜及该蚀刻阻挡薄膜于所述多个通孔上分别形成多个沟槽图案；通过将一金属材料填充于所述多个通孔及沟槽图案内来形成多个通路及沟槽；移除该第二绝缘薄膜；及在包括该经移除的第二绝缘薄膜的所得结构上形成一第三绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN1697187A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200410094239.6

申请日：2004-12-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L23/50 ,  B42D15/10 ,  G06F17/60 ,  G06K19/07 ,  G07D7/02 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/112 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11253 ,  H01L27/11293 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78624 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种具有增加的冲击阻力、有吸引力的设计和减少的成本的芯片，及其制造方法。半导体集成电路形成在大的玻璃衬底上，其包括的ROM的数据部分是通过喷墨方法或激光切割方法确定。因此不需要利用光掩模，能够减小成本，形成廉价的ID芯片。另外，依靠本申请，半导体集成电路能够置换到挠性衬底上，从而能得到增强的冲击阻力和更具吸引力的ID芯片。

公开(公告)号：CN1650408A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02829483.1

申请日：2002-12-26

申请人： 富士通株式会社

发明人： 山本保 ,  绵谷宏文 ,  北田秀树 ,  堀内博志 ,  宫岛基守

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 一种多层配线结构，其特征在于：由第1层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜中的用第1阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的配线槽、形成在上述第2层间绝缘膜中的用第2阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的通孔、填充上述配线槽的配线图案，以及填充上述通孔的通过插件构成，上述通过插件与上述配线图案的表面接触，上述配线图案在上述表面上具有凹凸，上述配线图案，沿着在上述配线图案中从上述表面朝向上述配线图案内部延伸的晶粒界面，含有高于上述表面中的浓度的氧原子。

公开(公告)号：CN1518764A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN01807871.0

申请日：2001-03-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 劳伦斯·A·克拉文格 ,  穆尼尔·D·内姆

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76892 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24975 ,  H01L2924/00

摘要： 一种防止或者至少降低相邻微米级多晶结构之间的桥接(20)的可能性，尤其是减少微电路的相邻喷涂金属导线之间的短路的方法。该方法一般需要形成包含一层多晶层(12)和至少一层约束层(14)的多层结构，随后对多层结构加工图案，形成第一线路(16)和宽度小于第一线路的第二线路(18)。第一线路具有与第二线路的图案边缘(26)间隔一定距离的图案边缘(24)，以致第一和第二线路彼此电绝缘。然后形成一个或多个与第一线路相连的功能部件，如果后来沿第一线路的图案边缘发生过度横向晶粒生长，则所述功能部件防止第一和第二线路之间的桥接。

公开(公告)号：CN1261458A

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN98806122.8

申请日：1998-04-15

申请人： 麦克里昂公司

发明人： 小J·D·凯西 ,  A·多伊勒

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/305 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/76892 ,  G03F1/74 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/31744 ,  H01J2237/31749 ,  H01L21/027 ,  H01L21/32131

摘要： 本发明提供一种使用聚焦粒子束系统从其衬底上有不透明薄膜图形的工件中去除多余部分的方法,更具体地提供了使用含溴的刻蚀气体的气体辅助刻蚀方法。本发明一方面提供了一种方法,包括如下步骤:(1)将工件安装在可在X和Y方向移动的可移动台上;(2)用聚焦粒子束扫描其衬底上有不透明薄膜图形的工件的选定表面区域;(3)检测作为扫描工件步骤的结果从工件发射的粒子的强度;(4)基于检测到的粒子强度确定薄膜图形的形状;(5)基于薄膜图形的形状确定薄膜图形的多余部分;(6)用聚焦粒子束刻蚀多余部分;和(7)在刻蚀步骤的同时,在多余部分附近的选定区域引入刻蚀气体。刻蚀气体包括溴和含溴材料。刻蚀气体还可包括水蒸汽。