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公开(公告)号：CN102203903B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200880131681.8
申请日：2008-09-19
Applicant: 艾格瑞系统有限公司
CPC classification number: H01L28/20 , H01L21/268 , H01L21/76888 , H01L21/76892 , H01L23/5228 , H01L23/5254 , H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件，包含半导体基板和基板上的电介质层。位于基板上的电阻链接包含第一电阻区域和第二电阻区域。第一电阻区域具有第一电阻率和第一形态。第二电阻区域具有第二电阻率和不同的第二形态。
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公开(公告)号：CN102306643B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110261671.X
申请日：2009-02-19
Applicant: 美格纳半导体有限会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5254 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是涉及一种反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元，所述反熔丝包括：栅极介电层，其形成在衬底上；栅电极，其包括本体部分和从本体部分延伸的多个突出部分，其中本体部分和突出部分形成为在栅极介电层上与该层接触；和结区，其形成在通过所述突出部分的侧壁暴露的衬底的一部分中。
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公开(公告)号：CN100546034C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200680004452.0
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 藤井严
IPC: H01L27/10 , H01L21/768 , H01L51/05 , H01L23/522 , H01L27/28
CPC classification number: H01L27/283 , H01L23/5254 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是以低成本提供制造较高可靠性的存储器装置和半导体装置的技术，该半导体装置装配有存储器装置。本发明的半导体装置具有第一导电层，与第一导电层的侧端部接触的第一绝缘层，在第一导电层和第一绝缘层上提供的第二绝缘层，以及在第二绝缘层上提供的第二导电层。第二绝缘层是由绝缘材料形成的，且在绝缘材料流体化时对流体化物质的可润湿性比第一导电层的高。
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公开(公告)号：CN106952891A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710216348.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5254 , H01L21/76825
Abstract: 本发明涉及一种反熔丝单元结构及其制备方法，该反熔丝单元结构为N+/SiOxNy/METAL(N+扩散区/SiOxNy/Metal)反熔丝单元结构。按照本发明提供的技术方案，N+/ON/M反熔丝单元结构适用于多种材料片，包括SOI圆片、体硅片及外延片。N+/ON/M反熔丝单元结构工艺流程与CMOS工艺流程完全兼容。反熔丝介质层是SiOxNy材料，反熔丝上极板采用金属材料，并采用TiN材料作为阻挡层，有效降低了反熔丝单元的编程电阻。本发明N+/SiOxNy/METAL反熔丝单元结构工艺流程简单，与CMOS工艺兼容，有效地避免NMOS器件“自掺杂”现象的产生，同时直接采用金属作为反熔丝单元结构的上电极，可以有效地降低反熔丝单元的编程电压及导通电阻。
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公开(公告)号：CN104570415A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410736692.6
申请日：2014-12-05
Applicant: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/13 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136259 , B23K26/0093 , B23K26/032 , B23K26/0876 , B23K26/34 , B23K26/702 , B23K2101/42 , G02F1/1303 , G02F1/1309 , G02F1/13452 , G02F2001/136263 , H01L23/5254 , H05K1/0306 , H05K3/225 , H05K3/28 , H05K2201/10128 , H05K2203/107 , H05K2203/108
Abstract: 本发明提供一种金属线的修复方法及修复设备。所述修复方法包括：在金属线上定位第一位置，其中所述第一位置位于金属线上一断口的第一侧；输出从所述第一位置起朝所述断口的内部扫描的第一激光光束，以熔融从所述第一位置至所述断口的金属线，并使得熔融后的金属朝所述断口流动，填充所述断口。本发明采用激光光束照射的方式，对金属线断口附近的金属进行激光照射，使受激光光束照射的金属熔融，并使激光光束从第一位置起朝断口的方向扫描，利用激光诱导熔融金属从第一位置起朝断口流动，将断线连接起来，因此利用金属线的本身完成断口的修复，无需借助其他专用修复线，从而能够应用于显示面板的端子区不存在专用修复线的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101521190A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005686.2
申请日：2009-02-19
Applicant: 美格纳半导体有限会社
IPC: H01L23/52 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8232 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5254 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是涉及一种反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元，所述反熔丝包括：栅极介电层，其形成在衬底上；栅电极，其包括本体部分和从本体部分延伸的多个突出部分，其中本体部分和突出部分形成为在栅极介电层上与该层接触；和结区，其形成在通过所述突出部分的侧壁暴露的衬底的一部分中。
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公开(公告)号：CN101521190B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910005686.2
申请日：2009-02-19
Applicant: 美格纳半导体有限会社
IPC: H01L23/52 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8232 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5254 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是涉及一种反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元，所述反熔丝包括：栅极介电层，其形成在衬底上；栅电极，其包括本体部分和从本体部分延伸的多个突出部分，其中本体部分和突出部分形成为在栅极介电层上与该层接触；和结区，其形成在通过所述突出部分的侧壁暴露的衬底的一部分中。
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公开(公告)号：CN102306643A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110261671.X
申请日：2009-02-19
Applicant: 美格纳半导体有限会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5254 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是涉及一种反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元，所述反熔丝包括：栅极介电层，其形成在衬底上；栅电极，其包括本体部分和从本体部分延伸的多个突出部分，其中本体部分和突出部分形成为在栅极介电层上与该层接触；和结区，其形成在通过所述突出部分的侧壁暴露的衬底的一部分中。
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公开(公告)号：CN102203903A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200880131681.8
申请日：2008-09-19
Applicant: 艾格瑞系统有限公司
CPC classification number: H01L28/20 , H01L21/268 , H01L21/76888 , H01L21/76892 , H01L23/5228 , H01L23/5254 , H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件，包含半导体基板和基板上的电介质层。位于基板上的电阻链接包含第一电阻区域和第二电阻区域。第一电阻区域具有第一电阻率和第一形态。第二电阻区域具有第二电阻率和不同的第二形态。
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公开(公告)号：CN104570415B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410736692.6
申请日：2014-12-05
Applicant: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/13 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136259 , B23K26/0093 , B23K26/032 , B23K26/0876 , B23K26/34 , B23K26/702 , B23K2101/42 , G02F1/1303 , G02F1/1309 , G02F1/13452 , G02F2001/136263 , H01L23/5254 , H05K1/0306 , H05K3/225 , H05K3/28 , H05K2201/10128 , H05K2203/107 , H05K2203/108
Abstract: 本发明提供一种金属线的修复方法及修复设备。所述修复方法包括：在金属线上定位第一位置，其中所述第一位置位于金属线上一断口的第一侧；输出从所述第一位置起朝所述断口的内部扫描的第一激光光束，以熔融从所述第一位置至所述断口的金属线，并使得熔融后的金属朝所述断口流动，填充所述断口。本发明采用激光光束照射的方式，对金属线断口附近的金属进行激光照射，使受激光光束照射的金属熔融，并使激光光束从第一位置起朝断口的方向扫描，利用激光诱导熔融金属从第一位置起朝断口流动，将断线连接起来，因此利用金属线的本身完成断口的修复，无需借助其他专用修复线，从而能够应用于显示面板的端子区不存在专用修复线的情况。
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