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公开(公告)号：CN102639257B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080051124.2
申请日：2010-11-03
申请人： 国际商业机器公司 , 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： B05D5/00
CPC分类号： H01L45/1616 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 一种制造相变存储器（PCM）单元的方法，包括：在电极之上形成电介质层，电极包括电极材料；在电介质层中形成通孔，使通孔向下延伸到该电极；以及在通孔中的电极上生长相变材料的单晶。一种相变存储器（PCM）单元，包括：包含电极材料的电极；电极之上的电介质层；电介质层中的通孔；以及位于通孔中的相变材料的单晶，该单晶与通孔底部的电极接触。
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公开(公告)号：CN102629662B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210022861.0
申请日：2012-01-10
申请人： 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
发明人： 马修·J·布雷杜斯克 , 陈介方 , 陈士弘 , 艾瑞克·A·约瑟 , 林仲汉 , 麦可·F·罗弗洛 , 龙翔澜 , 亚历桑德罗·G·史克鲁特 , 杨敏
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要： 本发明公开了一种形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法。其中，形成与相变材料对齐的位线的方法，包括于下电极的部分形成牺牲材料的基座以及形成相邻于牺牲材料的至少一介电材料，其中至少一介电材料具有一上表面，其实质地与牺牲材料基座的上表面共面。对至少一介电材料以及下电极具选择性地移除牺牲材料的基座以对下电极的露出表面提供开口。于下电极的露出表面上形成相变材料，并且将开口以导电填充材料填充。亦提供自对准回蚀程序。
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公开(公告)号：CN103855300A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210513905.X
申请日：2012-12-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 一种相变存储器及其形成方法，其中所述相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底、位于半导体衬底表面的第一介质层，位于所述半导体衬底表面、第一介质层内的环形电极，所述环形电极上表面与所述第一介质层表面齐平，且所述第一介质层填充所述环形电极内部；形成覆盖所述第一介质层和环形电极的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露部分所述环形电极上表面；在所述第一开口内形成相变层。本发明相变存储器的形成方法，环形电极和相变层的接触面积小于环形电极的顶表面的面积，相变存储器操作功耗低。
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公开(公告)号：CN102013456B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010289274.9
申请日：2008-06-11
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1683 , B82Y10/00 , G11C11/14 , G11C11/22 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633
摘要： 本发明公开了一种制造存储器元件的方法。钨氧化合物存储部是使用非关键掩膜氧化钨材料形成，或者在部分实施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存储器装置包括一底电极及一存储器元件，且存储器元件位于底电极上。存储器元件包括至少一钨氧化合物且至少可编程为至少二种电阻状态。上电极包括一阻隔材料，位于存储器元件上，且此阻隔材料是用以避免金属离子从上电极移动到存储器中。
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公开(公告)号：CN102124565B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980132373.1
申请日：2009-08-18
申请人： 美光科技公司
发明人： 刘峻
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 本发明揭示具有多个存储器单元的存储器装置，其中每一存储器单元包含具有其横向收缩的部分的相变材料。邻近存储器单元的所述横向收缩的部分垂直地偏移且定位于所述存储器装置的相对侧上。还揭示具有多个存储器单元的存储器装置，其中每一存储器单元包含具有不同宽度的第一及第二电极。邻近存储器单元具有在所述存储器装置的垂直相对侧上偏移的第一及第二电极。还揭示形成所述存储器装置的方法。
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公开(公告)号：CN103094472A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110341217.5
申请日：2011-11-01
申请人： 无锡华润上华科技有限公司
CPC分类号： H01L45/1633 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 本发明公开一种电阻型随机存取存储单元制造方法，包括以下步骤：在表面平整的第一金属层上形成电阻层；在所述电阻层上形成钝化层；刻蚀得到多个基本单元，所述基本单元包括依次叠加的第一金属层、电阻层以及钝化层；淀积绝缘介质层并作平坦化处理；刻蚀所述绝缘介质层及钝化层形成与所述基本单元对应的接触孔；在所述接触孔内填充金属连线；形成第二金属层。上述制造方法可在整个晶圆上得到均匀的电阻分布。
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公开(公告)号：CN103069603A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039400.8
申请日：2011-07-11
申请人： 国际商业机器公司 , 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： 本发明的一个实例实施例示出了一种制造相变存储器单元的方法。所述方法包括在绝缘衬底内形成非亚光刻过孔。所述绝缘衬底嵌在与半导体晶片的第一金属化层（金属1）相同的层上，并包括底部和侧壁。亚光刻孔穿过所述非亚光刻过孔的所述底部形成并延伸至掩埋导电材料。用导电非相变材料填充所述亚光刻孔。此外，在所述非亚光刻过孔内沉积相变材料。
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公开(公告)号：CN103066203A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210285441.1
申请日：2012-08-13
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明提供了一种具有多级单元的相变存储器件及其制造方法。所述器件包括：第一相变材料层，从加热电极向第一相变材料层提供电流；第二相变材料层，所述第二相变材料层被形成为与第一相变材料层具有连续性且具有与所述第一相变材料层不同的宽度，并且从加热电极向第二相变材料层提供电流。
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公开(公告)号：CN103022349A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210246602.6
申请日：2012-07-17
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 李根
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
摘要： 本发明公开了一种相变随机存取存储器，包括：半导体衬底，其具有形成在所述半导体衬底之上的底电极；和形成在所述底电极之上的相变层。所述相变层包括第一相变层和第二相变层，所述第一相变层形成在所述底电极之上并且包括第一元素、第二元素和第三元素中的至少一种；所述第二相变层形成在所述第一相变层的表面之上并由所述第一元素形成以防止所述第一相变层的区域通过扩散而增加。
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公开(公告)号：CN101809775B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200880109516.2
申请日：2008-10-01
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/105
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要： 本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，其中，在上述接触孔的至少底部形成底膜，在该底膜上且在上述接触孔内埋入由硫属化合物形成的结晶层。
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