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公开(公告)号：CN101584017A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780050095.6
申请日：2007-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 唐纳·L·史麦特雷克 , 葛登·C·恩吉尔 , 拉杰许·都蕾
IPC: H01J37/02 , H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/152 , H01J2237/31701
Abstract: 揭示离子注入机中束缚电子的装置与方法。所述装置与方法包含：沿离子束路径(30)的至少一部分来定位的磁体的第一阵列(31)以及磁体的第二阵列(32)，所述第一阵列位于所述离子束路径的第一侧上且所述第二阵列位于所述离子束路径的第二侧上，所述第一侧与所述第二侧相反。所述第一阵列中的至少一磁体(302)可具有面向所述第二阵列中的相应磁体(302)的相反磁极的磁极，磁体的所述第一与第二阵列可在所述离子束路径中或附近共同产生勾形磁场以束缚电子。
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公开(公告)号：CN101385112A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005339.9
申请日：2007-02-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/141
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/141 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/057 , H01J2237/141 , H01J2237/142 , H01J2237/1508 , H01J2237/152 , H01J2237/31701 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明是揭示一种包括主动式场束缚的电磁铁及相关离子注入器系统。电磁铁提供在高的大间隙内的具有最小强度失真及劣化的偶极磁场。在一实施例中，用于修改离子束的电磁铁包括：包括六个侧面的铁磁箱体结构；在铁磁箱体结构的第一侧面及第二相对侧面中的每一侧面中的供离子束通过的开口；以及具有沿铁磁箱体结构的内表面的路径的多个载流导线，内表面包括第一侧面及第二相对侧面以及第三侧面及第四相对侧面，其中多个载流导线经定位以围绕第一侧面及第二相对侧面的开口中的每一侧面延伸。
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公开(公告)号：CN1806309A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016510.2
申请日：2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号：CN1795528A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014193.0
申请日：2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J37/32623 , H01J37/32678 , H01J2237/1508
Abstract: 提供一种离子注入系统以及为此的束线组件，其中在离子束导件内提供多尖点(Multicusped)磁场，且该离子束导件被供能，以在一沿该离子束导件通道的前进波内提供微波电场。该磁场及电场相互作用，以为在该离子束导件内的离子束保含功能提供一电子－回旋共振条件。
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公开(公告)号：CN1101593C
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN96122647.1
申请日：1996-10-18
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·M·本文尼斯特
IPC: H01J37/05 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J2237/14
Abstract: 低能量离子注入器(10)有发射离子(14)的离子源(12)，和注入室(17)。质量分析磁铁(122)配置在沿源和注入室之间的束通道上。磁铁包括多个磁极靴(110，112)，并有面向内的极面(114，116)，至小确定离子偏转区(12)的一部分。电流传导线圈(122，123)在极靴附近的偏转区建立二极磁场(BO)。附加的线圈(130，131，132，133，134，135，136，137)在偏转区建立四极磁场(Q1，Q2，Q3，Q4)。控制器(100)电连接到磁铁的线圈，控制电流通过电流传导线圈，在极靴附近的偏转区产生磁场。
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公开(公告)号：CN115053321B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202180012915.2
申请日：2021-02-08
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
Abstract: 一种用于将高电荷态离子注入到工件中同时减轻痕量金属污染的方法包括从离子源中的所需物质产生处于第一电荷状态的所需离子，以及在第一离子束中产生污染物质的痕量金属离子。所需离子和痕量金属离子的荷质比相等。从离子源中提取所需离子和痕量金属离子。从所需离子中剥离至少一个电子以限定处于第二电荷状态的所需离子和痕量金属离子的第二离子束。仅来自第二离子束的所需离子选择性地仅穿过电荷选择器以限定处于第二电荷状态的所需离子的最终离子束并且没有痕量金属离子，并且将第二电荷状态的所需离子注入到工件中。
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公开(公告)号：CN113936983B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202111084339.0
申请日：2016-02-03
Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种粒子束系统。该粒子束系统具有多粒子束发生器，其被配置成产生多条部分粒子束，部分粒子束在空间上间隔开，至少包括第一部分粒子束和第二部分粒子束。该粒子束系统具有透镜，其被配置成用于使入射的部分粒子束聚焦在第一平面中，使得该第一平面中该第一部分粒子束撞击的第一区域与该第二部分粒子束撞击的第二区是分开的。该粒子束系统包括具有多个检测区的检测器系统和投射系统，该投射系统被配置成将交互产物投射到检测器系统上。投射系统和多个检测区相匹配，使得源自该第一平面的第一区的交互产物被投射到第一检测区上，而源自第一平面的第二区的交互产物被投射到与第一检测区不同的第二检测区上。该检测器系统包括过滤器装置。
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公开(公告)号：CN113272934B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201980086549.8
申请日：2019-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 任岩
Abstract: 公开了在多束装置中观察样本的系统和方法。多束装置可以包括：电子源，被配置为生成初级电子束；预限流孔阵列，包括多个孔并且被配置为从初级电子束形成多个束波，多个束波中的每个小束具有相关联的束电流；聚束器透镜，被配置为准直多个束波中的每个束波；束限制单元，被配置为修改多个束波中的每个束波的相关联的束电流；以及扇区磁体单元，被配置为定向多个束波中的每个束波以在物镜内或至少在物镜附近形成交叉，该物镜被配置为将多个束波中的每个束波聚焦到样本的表面上并且在其上形成多个探测点。
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公开(公告)号：CN118800636A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410440504.9
申请日：2024-04-12
Applicant: FEI 公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/05 , H01J37/145 , G01N23/20
Abstract: 描述了用于相对大的能量损失下的能量损失光谱的系统、设备、方法和技术。带电粒子显微镜系统可以包括光束镜筒区段。该光束镜筒区段可以包括针对第一能量校准的一个或多个带电粒子光学元件以及针对第二能量校准的一个或多个带电粒子光学元件。带电粒子显微镜系统可以包括检测器区段。该检测器区段可以设置在光束镜筒区段下游的位置处。检测器区段可以包括静电或磁棱镜以及针对第二能量校准的一个或多个带电粒子光学元件。第一能量和第二能量可以是不同的。
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