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公开(公告)号：CN112420756A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010799900.2
申请日：2020-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括基板、第一绝缘结构和第二绝缘结构、第一布线结构、贯通通路以及第一连接图案和第二连接图案。基板包括传感器阵列区域和焊盘区域并包括彼此相反的第一表面和第二表面。第一绝缘结构设置在基板的第二表面上并包括面对第二表面的第三表面和与第三表面相反的第四表面。第一布线结构形成在第一绝缘结构中并包括第一导电层和第一通路。贯通通路贯穿焊盘区域中的基板并连接到第一布线结构。第一连接图案连接到第一布线结构。第二绝缘结构设置在第一绝缘结构的第四表面上。第二连接图案连接到第一连接图案。第一导电层包括第一布线和相比于第一布线与基板相隔更远的第二布线。贯通通路接触第二布线。
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公开(公告)号：CN112054032A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010144855.7
申请日：2020-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本公开提供一种图像传感器且所述图像传感器包括光电转换层、集成电路层及电荷存储层。光电转换层包括界定像素区的像素分隔结构，所述像素区中的每一像素区包括光电转换区。集成电路层从光电转换区读取电荷。电荷存储层包括用于所述多个像素区中的每一像素区的堆叠电容器。堆叠电容器包括：下部焊盘电极；中间焊盘电极；上部焊盘电极；接触塞，将上部焊盘电极连接到下部焊盘电极；下部电容器结构，连接在下部焊盘电极与中间焊盘电极之间；以及上部电容器结构，连接在中间焊盘电极与上部焊盘电极之间。上部电容器结构堆叠在下部电容器结构上以当在平面图中观察时与下部电容器结构局部地交叠。
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公开(公告)号：CN111009538A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910927006.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：半导体衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底中的光电转换层；在半导体衬底的第一表面上的晶体管；在晶体管上的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，该第二下焊盘电极与第一下焊盘电极间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；在模制绝缘层中的第一下电极和第二下电极；在第一下电极和第二下电极上的介电层；在介电层上的上电极；以及连接到上电极并包括不同于第一下焊盘电极和第二下焊盘电极的导电材料的上焊盘电极。第一下电极在第一下焊盘电极上，并且第二下电极在第二下焊盘电极上。
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公开(公告)号：CN110838498A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910724715.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括包含多个像素的第一基板、在每个像素处的第一基板中的光电转换区域、第一基板上的第一电容器、以及与第一电容器间隔开并围绕第一电容器的屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN102832220B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210194507.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/71 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/101 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683
Abstract: 本发明涉及具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法。该器件可以包括布置在不同垂直层面以限定两个交叉点的第一、第二和第三导线，以及分别布置在这两个交叉点处的两个存储器单元。所述第一和第二导线可以彼此平行地延伸，所述第三导线可以延伸成与所述第一和第二导线交叉。在垂直截面视图中，所述第一和第二导线可以沿着所述第三导线的长度交替设置，并且所述第三导线可以在垂直方向上与所述第一和第二导线间隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715197A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310305626.9
申请日：2013-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/24 , H01L21/8239 , G11C16/02
CPC classification number: H01L45/145 , B82Y40/00 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供具有单位单元作为单一器件的存储器件及其制造方法。存储器件包括：基板；在基板上的第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上方，第一电极层和第二电极层的至少之一包括具有响应于所施加的电压而变化的导带偏移的材料；在第一电极层与第二电极层之间的数据存储层；位线，连接到第一电极层和第二电极层之一；以及字线，连接到第一电极层和第二电极层的另一个。
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公开(公告)号：CN101533848B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910118570.X
申请日：2009-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统，即提供一种非易失性存储器器件、制造该非易失性存储器器件的方法以及包括该非易失性存储器器件的处理系统。非易失性存储器器件包括：多个内部电极，在与衬底的面基本垂直的方向上延伸；多个第一外部电极，与衬底的面基本平行地延伸；以及多个第二外部电极，也与衬底的面基本平行地延伸。每个第一外部电极位于相应的内部电极的第一侧，而每个第二外部电极位于相应的内部电极的第二侧。这些器件还包括：多个可变电阻器，与内部电极、第一外部电极和第二外部电极接触。
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公开(公告)号：CN102468321A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110355291.2
申请日：2011-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1021 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种具有电阻可变元件的非易失性存储器件、相关系统及方法。一种非易失性存储器件可以包括在基板上的第一字线、在第一字线上的绝缘层和在绝缘层上的第二字线，使得绝缘层在第一字线与第二字线之间。位柱可以在关于基板的表面垂直的方向上与第一字线、绝缘层和第二字线相邻地延伸，位柱可以是导电的。此外，第一存储单元可以包括电耦接在第一字线与位柱之间的第一电阻可变元件，第二存储单元可以包括电耦接在第二字线与位柱之间的第二电阻可变元件。还讨论了相关的方法和系统。
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公开(公告)号：CN101840995A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010161661.4
申请日：2010-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种电阻型随机存取存储器及其制造方法。该方法包括：形成位线堆叠，在该位线堆叠中多个局部位线垂直堆叠在衬底上；形成字线，该字线包括多个局部字线和连接线，该多个局部字线朝着位线堆叠的侧部沿垂直方向延伸，该连接线在水平方向上延伸以将多个局部字线彼此连接；以及在位线堆叠与字线之间形成电阻存储薄膜。本发明可以通过简化的工艺实现具有3D交叉点结构的高密度存储阵列。
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公开(公告)号：CN1925184B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610125682.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件及其制造方法。包括由电阻转换材料形成的氧化物层的非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上由过渡金属形成的纳米线层；所述氧化物层，包括过渡金属氧化物且形成于所述纳米线层上；以及形成于所述氧化物层上的上电极。根据本发明，通过在氧化物层上使电流路径一致可以稳定复位电流。
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