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公开(公告)号：CN100365794C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200480001617.X
申请日：2004-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67742 , Y10S414/139
Abstract: 本发明提供的基板处理装置具有：多个处理室(20)，用于对容纳在其内部的基板实施处理；运送箱(24)，用于将容纳的基板运送至处理室(20)；移动机构，用于使运送箱(24)沿着移动线路进行移动。运送箱(24)在被从外部气氛隔离开的状态下容纳基板。多个处理室(20)以排列在运送箱(24)的移动线路的两侧的状态而配置，运送箱(24)与被排成两列而配置的处理室(20)的运送口(20a)相对应地具有两个运送口(24a)。
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公开(公告)号：CN1875467A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032469.8
申请日：2004-11-02
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
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公开(公告)号：CN1846300A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025471.2
申请日：2004-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46 , C23C16/511
Abstract: 在腔室(1)上部的开口部配置有由微波驱动并产生电磁场的天线部(3)，在天线部(3)的下部设置有密封腔室(1)的开口部的顶板(4)，在顶板(4)的下表面一侧设置有环形的突条(41)，其径向的厚度以锥形连续变化，从而在等离子的任意条件下均可以在某处产生共振。由此，仅准备一种顶板就可以起到与准备各种厚度的顶板相同的效果，可以使等离子的吸收率显著提高，并且从高压至低压均可以稳定地产生等离子。
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公开(公告)号：CN1717796A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001617.X
申请日：2004-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67742 , Y10S414/139
Abstract: 本发明提供的基板处理装置具有：多个处理室(20)，用于对容纳在其内部的基板实施处理；运送箱(24)，用于将容纳的基板运送至处理室(20)；移动机构，用于使运送箱(24)沿着移动线路进行移动。运送箱(24)在被从外部气氛隔离开的状态下容纳基板。多个处理室(20)以排列在运送箱(24)的移动线路的两侧的状态而配置，运送箱(24)与被排成两列而配置的处理室(20)的运送口(20a)相对应地具有两个运送口(24a)。
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公开(公告)号：CN102403183B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110287142.7
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32706 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/76897 , H01L29/6653 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。
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公开(公告)号：CN102473629B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080035809.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及通过重力引起的气体扩散分离(GIGDS)技术来控制等离子体产生。本发明可以提供一种使用由重力引起的气体扩散分离技术而引起的等离子体分离来处理衬底的设备和方法。通过增加或使用包括具有不同重力(即，气体成分的分子量与基准分子重之间的比例)的惰性和处理气体的气体，可以形成双区或多区等离子体，其中，一种气体可以被高度限制到等离子体产生区域附近并且另一种气体可以由于相异重力引起的扩散而从上述气体极大地分离，并且被限制到相比于上述气体更加接近晶片处理区域。
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公开(公告)号：CN103229280A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180055047.2
申请日：2011-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3244
Abstract: 一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。第二气体的入口距离载置台的高度低于第一气体的入口距离载置台的高度。
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公开(公告)号：CN103026473A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180035567.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/342 , C23C16/511 , H01L21/02112 , H01L21/76801
Abstract: 提供一种能够形成机械强度和耐吸湿性优良的低介电常数的层间绝缘层的层间绝缘层形成方法。另外，提供一种减少布线延迟的半导体装置。在通过等离子体CVD法形成半导体装置的层间绝缘层的方法中，包括：向被减压的处理容器内搬入基板的工序；与上述基板相隔离开的第一空间（1a）供给等离子体生成气体的工序；在上述第一空间（1a）使上述等离子体生成气体激发的工序；和对上述第一空间（1a）和上述基板之间的第二空间（1b），供给至少含有氢基或烃基的硼化合物的原料气体的工序。另外，在隔着形成有含有硼、碳和氮的无定形结构的层间绝缘层进行多层布线的半导体装置中，上述层间绝缘层在含有六方晶和立方晶氮化硼的无定形结构中混有烃基或烷基氨基。
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公开(公告)号：CN101270831B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200810085581.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 野泽俊久
IPC: F16K51/02 , F16K1/00 , H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: F16K31/528 , F16K1/24 , Y10T137/0396
Abstract: 本发明提供一种可以实现密封构件长使用寿命化的开关阀及具有该开关阀的处理装置。该开关阀(100)设置于可将内部保持真空的腔室(11)与排气装置(53、54)之间，具有连通腔室侧与排气装置侧的开口(111)的阀主体(110)、在阀主体内与开口接触或分离来打开关闭开口的阀体(120)、设置于阀体并在阀体关闭了开口时密封开口的密封构件(120b)、使阀体进退的直进移动部件(140)、设置于离开开口的位置、并供从开口离开的阀体退避的阀退避部(113b)、与使阀体在与开口对应的位置和与阀退避部对应的位置之间转动的转动部件(150)。
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公开(公告)号：CN1799127B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200480014926.0
申请日：2004-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J2237/332 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置。
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