公开(公告)号：CN101896997B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200880119896.8

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN101960605A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107412.2

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  住友化学株式会社

Inventor： 竹中充 ,  高木信一 ,  秦雅彦 ,  市川磨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 以实用且简单的手法，形成良好的3-5族化合物半导体与氧化层的界面。本发明公开了一种半导体基板，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；以及，邻接于所述第1半导体层而形成的且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的能够相对于所述笫1半导体层选择性的氧化的第2半导体层。另外，公开一种半导体装置，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；将邻接于所述第1半导体层而形成且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的第2半导体层的至少一部分相对于所述第1半导体层进行选择性的氧化而形成的氧化层；以及控制电极，对形成于所述第1半导体层的通道施加电场。

公开(公告)号：CN101896997A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119896.8

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN102668029B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080055735.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  高田朋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。

公开(公告)号：CN102668110A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055527.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  高田朋幸

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1852 ,  H01L31/03046 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种半导体基板，具备：基底基板；牺牲层，与基底基板进行晶格匹配或者准晶格匹配；第1结晶层，由形成在牺牲层上的SixGe1-x(0≤x＜1)的外延结晶构成；以及第2结晶层，形成在第1结晶层上，由禁带宽比第1结晶层还大的3-5族化合物半导体的外延结晶构成。基底基板例如由单晶GaAs构成。牺牲层例如由InmAlnGa1-m-nAs(0≤m＜1、0＜n≤1、0＜n+m≤1)的外延结晶构成。

公开(公告)号：CN1871699B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200480031316.1

申请日：2004-10-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。

公开(公告)号：CN102341889A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010719.3

申请日：2010-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/107 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明提供可容易地进行具有结晶薄膜的半导体基板的设计以及所述结晶薄膜的膜质及膜厚度控制的半导体基板。具体，该基板具有，基底基板和一体或分离地被设置在所述基底基板上，用于阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层；阻挡层，具有多个第1开口区域，该第1开口区域具有贯通阻挡层到基底基板的多个开口；多个第1开口区域分别包含在内部以相同配置设置的多个第1开口；多个第1开口的一部分，是设置用以形成电子元件的第1化合物半导体的第1元件形成开口；多个第1开口的另外一部分，是作为不形成电子元件的第1虚设开口。

公开(公告)号：CN102171791A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138963.5

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L27/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02647 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其是依次包括底板基板、绝缘层、SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)的半导体基板，且包括设置于SixGe1-x结晶层上的抑制层、和与SixGe1-x结晶层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体，并且抑制层具有贯通至SixGe1-x结晶层的开口且抑制化合物半导体的晶体生长。另外，本发明提供一种电子器件，其包括：衬底、设置于衬底上的绝缘层、设置于绝缘层上的SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)、设置于SixGe1-x结晶层上且抑制化合物半导体的晶体生长并且具有贯通至SixGe1-x结晶层的开口的抑制层、在开口内部与SixGe1-x结晶层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体、使用化合物半导体所形成的半导体器件。

公开(公告)号：CN1871699A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031316.1

申请日：2004-10-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。

公开(公告)号：CN1706033A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101552.1

申请日：2003-10-10

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/456

Abstract: 通过外延生长形成GaAs单晶10的n+－GaAs层8之后，接着在同一外延生长炉内使Si层11外延生长，然后将铝电极12作为欧姆电极形成于Si层11上。利用Si层11能够抑制在n+－GaAs层8表面形成表面缺陷能级，能够有效防止不需要的势垒的形成。由于Si层11表面状态平坦且化学稳定性优异，因此通过使用对于Si层11具有适当的功函的铝等形成电极12，能够制成良好的欧姆电极。