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公开(公告)号：CN101005105A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710019375.2
申请日：2007-01-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: GaN基共振增强紫外探测器，正照射式探测器结构是在(0001)蓝宝石衬底上依次设有GaN缓冲层或者AlN、AlUGa1－UN(0.1＜U＜0.9＝缓冲层；AlN/AlZGa1－ZN(0≤Z＜0.8＝分布布拉格反射镜(DBR)底镜；用于p－i－n型的n－AlYGa1－YN/i－AlXGa1－XN/p－AlYGa1－YN谐振腔或者用于肖特基M－S，M－S－M型的n－AlYGa1－YN/i－AlXGa1－XN谐振腔，其中0≤X＜0.8，0≤Y＜0.9；AlN/AlZGa1－ZN(0≤Z＜0.8)分布布拉格反射镜顶镜；所述底镜和顶镜中的某一个反射镜可以用氧化物介质膜反射镜，谐振腔的两端设有电极，构成GaN基共振增强紫外探测器。
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公开(公告)号：CN1971949A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610098234.X
申请日：2006-12-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料InxGa1－xN(0≤x≤1)为光吸收区和InxGa1－xN MS或MIS结构表面势垒型太阳电池，在蓝宝石衬底材料上生长20－200nm厚度的低温GaN缓冲层，退火后接着外延生长1000－2000nm厚度的高温GaN缓冲层和200－1000nm厚度的InxGa1－XN光吸收层，然后在InxGa1－xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au形成肖特基结构，以及在InxGa1－xN上淀积2－20nm厚度的Si3N4绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属－半导体－金属结构，并在n－InGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au多层金属导电电极，形成MS和MIS两种结构的表面势垒InGaN太阳电池。
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公开(公告)号：CN1288680C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200310112720.9
申请日：2003-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道和金属锰源-HCl管道，对金属锰源-HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3-6sccm，Ar气流量为100-300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820-860℃，反应区域温度，即蓝宝石α-Al2O3衬底所在位置的温度；生长时间为8-20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。
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公开(公告)号：CN1599033A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041677.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330－400℃，只通入金属有机源三甲基铟5－15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
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公开(公告)号：CN118326332A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410452503.6
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法。在金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法外延AlN外延层中，首先制备AlN纳米图形化结构，然后在AlN纳米图形化结构上经过三步外延，大幅降低外延层中的位错缺陷，最终可在纳米级厚度获得表面平整，内部无空隙，位错密度极低的AlN外延层。这种在纳米图形化结构上的多步外延方法，形成多种外延晶面，可以快速偏折位错缺陷的延伸方向到水平方向，不仅可以在较低的生长厚度下达到低位错缺陷密度，而且可以获得平整的表面形貌。本发明方法采用的工艺步骤与常规MOCVD晶体外延工艺相兼容，适用于与AlN相关的高质量材料制备工艺体系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118183641A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410452506.X
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明公开了一种通过消除表面间隙降低AlN表面分解的高温退火方法。首先在AlN模板表面完全覆盖与AlN兼容的覆盖层材料，并进一步在两片AlN模板面对面贴敷时，夹入高纯AlN粉末，以这种贴敷形式进行后续高温退火。所制得的AlN模板表面高温退火分解大大降低，具有大面积均匀光滑的表面；本发明方法采用的工艺步骤与半导体微电子技术相兼容，适用于与AlN相关的高性能光电器件的工艺体系。
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公开(公告)号：CN115231616B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210847399.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其步骤包括：(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单，设备要求低，而且能减小多余杂质引入。
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公开(公告)号：CN115101593A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210559846.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种胆固醇生物传感器，其特征在于：以HEMT为换能器，在换能器的栅极上固定胆固醇氧化酶，所述栅极表面材料为金。还公开了其制备方法。本发明运用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构作为换能器，将胆固醇氧化酶固定到器件的金栅上，实现对胆固醇的探测。这样不仅具备了电化学的性能，如测试简单，结构简化，实时反应，成本低等优点，同时由于HEMT结构的本征信号低，受外界其他环境影响小，灵敏度有一个很大的提高。促使胆固醇生物传感器提高了对胆固醇的准确性、专一性、稳定性。
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公开(公告)号：CN114284132A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111548864.3
申请日：2021-12-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法，在常规衬底上生长GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长多晶金刚石薄膜，除去常规衬底，以多晶金刚石薄膜为衬底，以多晶金刚石薄膜上的GaN纳米柱为成核层，在其上生长GaN薄膜。本发明利用了基于金刚石衬底的GaN纳米柱形成成核层，以生长后的金刚石薄膜作为衬底，去除硅后，金刚石薄膜上集成了GaN纳米柱，以GaN纳米柱作为中间层生长GaN薄膜，由于GaN纳米柱能够极大的缓解GaN和金刚石衬底之间的晶格失配产生的应力，可以避免金刚石衬底直接外延GaN薄膜的应力和晶格取向问题，有利于金刚石薄膜的均匀性，提高形核密度。从而获得高质量的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN114059036A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111396220.7
申请日：2021-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/01 , C23C16/02 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B29/04 , C30B28/14 , C30B33/00
Abstract: 本发明公开了铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用，具体为在蓝宝石衬底上生长铁薄膜，在铁薄膜上生长金刚石多晶薄膜，采用机械剥离的方式将金刚石多晶薄膜从蓝宝石衬底上剥离。可以使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上剥离。本发明利用铁薄膜来辅助剥离金刚石多晶衬底，生长过程中金属铁具有好的延展性，可以缓解蓝宝石与金刚石之间由晶格失配带来的应力，减少样品碎裂的概率。且铁金属层、金刚石层、蓝宝石之间的热膨胀系数差距较大，结合力较弱，便于采用机械剥离的方法实现金刚石多晶薄膜与蓝宝石衬底的分离，从而使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上完整剥离。
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