公开(公告)号：CN109427894B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201711217315.1

申请日：2017-11-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈维邦 ,  郭廷晃 ,  张简旭珂 ,  郑志成

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 提供鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。方法包含在基底上形成多个鳍式结构，且基底包含第一区和第二区。方法包含形成多个隔离结构环绕鳍式结构，且隔离结构中每一个的顶面低于鳍式结构中每一个的顶面，以及隔离结构包含在第一区上的第一隔离结构和在第二区上的第二隔离结构。方法包含在第一隔离结构上形成掩模层以暴露出第二隔离结构，以及移除第二隔离结构的一部分，使得第二隔离结构中每一个的顶面低于第一隔离结构中每一个的顶面。

公开(公告)号：CN107301951B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201611096470.8

申请日：2016-12-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴启明 ,  萧茹雄 ,  陈弘斌 ,  薛森鸿 ,  郑志成

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04

摘要： 本发明实施例提供了一种制造FinFET的方法，包括至少以下步骤。通过从半导体衬底的(110)晶格面法向向量倾斜8.05±2°来确定 方向。沿着垂直于 方向的晶格面图案化半导体衬底，从而在半导体衬底中形成多个沟槽和形成至少一个具有设置在(551)晶格面上的侧壁的半导体鳍。绝缘体位于沟槽中。在半导体鳍的部分上方和绝缘体的部分上方形成栅极堆叠件。在由栅极堆叠件暴露的半导体鳍上方形成应变材料部分。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN109411338B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201711037113.9

申请日：2017-10-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈维邦 ,  郭廷晃 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  罗光耀

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/336

摘要： 在制作半导体元件的方法中，提供基材。形成硬罩幕与罩幕层于基材的第一区与第二区上。利用硬罩幕与罩幕层凹入基材，以形成鳍状结构于第一区中、以及凸起结构于第二区中。形成第一隔离结构与第二隔离结构于鳍状结构的相对侧壁的下部与凸起结构的相对侧壁上。形成第一栅极结构在部分的鳍状结构上、以及第二栅极结构在部分的凸起结构上。形成第一源极以及第一漏极于第一栅极结构的相对二侧上、以及第二源极以及第二漏极于第二栅极结构的相对二侧上。利用此方法，鳍式场效晶体管结构与平面场效晶体管结构可在相同基材上同时制作，可简化半导体元件的制程，并微型化半导体元件。

公开(公告)号：CN108206211B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201710119801.3

申请日：2017-03-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  余人皓 ,  郑志成

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体装置及形成半导体装置的方法。半导体装置包含设置在第一半导体鳍片上的n型栅极结构，其中n型栅极结构是结合氟，且包含设置在第一高介电常数介电层上的n型功函数金属层。n型功函数金属层包含钛铝(TiAl)合金，其中钛对铝的原子比实质介于1至3之间。半导体装置还包含设置在第二半导体鳍片上的p型栅极结构，其中p型栅极结构是结合氟，且包含设置在第二高介电常数介电层上的p型功函数金属层。p型功函数金属层包含氮化钛(TiN)，其中钛对氮的原子比实质介于1:0.9至1:1.1之间。

公开(公告)号：CN105304709B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201410800225.5

申请日：2014-12-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  林子凯 ,  郑志成

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件以及位于鳍结构上方并且邻近栅极堆叠件的外延生长的源极/漏极结构。该半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构上方的半导体保护层。半导体保护层的硅原子浓度大于外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度。

公开(公告)号：CN104282699B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201310488456.2

申请日：2013-10-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑允玮 ,  简荣亮 ,  郑易沂 ,  郑志成

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14685 ,  G02B3/0056 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627

摘要： 本发明的光导栅格可包括具有多条交叉栅格线的栅格结构和用于交叉栅格线之间的光传感器元件的多个开口，其中，每条栅格线具有宽度w。栅格结构具有多个开口中的在对角方向上的两个相邻开口之间的对角栅格宽度。对角栅格宽度的值大于约√3w。图像传感器可包括具有上述栅格结构的光导栅格，还包括微透镜（如下沉微透镜）和滤色器。一种制造光导栅格的方法可包括在至少一个光传感器上方形成栅格，其中，栅格具有宽度为w以及对角方向上的对角栅格宽度的值大于约√3w的交叉栅格线。本发明还公开了制造光导栅格的装置和方法。

公开(公告)号：CN104051486B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410087676.9

申请日：2014-03-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 简荣亮 ,  郑允玮 ,  郑易沂 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  陈信吉

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了具有圆形角结或包括多边形的角结的密封环结构。密封环环绕诸如集成电路、图像传感器和其他器件的通常为矩形的半导体器件。密封环包括两组通常平行的相对放置的边的结构，且角结是结，邻近的垂直密封环边在该结处连接。在不同的实施例中，密封环是沟槽结构或填充的沟槽结构。通过弯曲的弧线或多条以不同的角度连接在一起的线段形成圆形的角结。包括一个或多个封闭的多边形的角结包括多边形，该多边形的至少一条多边形边由密封环边中的一条形成。

公开(公告)号：CN103794613B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310028371.6

申请日：2013-01-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  郑志成 ,  简荣亮

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14609 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14645

摘要： 本文提供了用于形成黑电平校正(BLC)结构的一种或多种技术。在一些实施例中，BLC结构包括第一区域、位于至少一部分第一区域之上的第二区域以及位于至少一部分第二区域之上的第三区域。例如，第一区域包括硅，以及第三区域包括钝化电介质。在一些实施例中，第二区域包括第一子区域、位于第一子区域之上的第二子区域以及位于第二子区域之上的第三子区域。例如，第一子区域包括金属硅化物，第二子区域包括金属以及第三子区域包括金属氧化物。例如，以此方式提供了BLC结构，使得BLC结构的表面齐平，这至少是因为第三区域齐平。

公开(公告)号：CN104934451A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410222357.4

申请日：2014-05-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 简荣亮 ,  林哲民 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  黄智睦

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685

摘要： 本发明提供了一种或多种图像传感器和用于形成这些图像传感器的技术。一种图像传感器包括配置为检测光的光电二极管。该图像传感器包括校准区域，将该校准区域配置为检测用于图像再现的色彩电平，诸如将校准区域配置为检测黑电平的黑校准区域，该黑电平用于通过光电二极管阵列检测的图像。图像传感器包括在光电二极管阵列和校准区域上方形成的介电膜。为改进校准区域的精准度，将介电膜配置为平衡光电二极管和校准区域之间的应力。本发明也提供了用于图像传感器的介电膜。

公开(公告)号：CN104377183A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410341703.0

申请日：2014-07-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈奕志 ,  陈英豪 ,  郑志成 ,  简荣亮 ,  蔡富村 ,  林昆辉

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5226 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。