公开(公告)号：CN101901838A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010197655.4

申请日：2010-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/34 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。还提供该薄膜晶体管的制造方法。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成其导电率高于该氧化物半导体层的缓冲层，在该缓冲层上形成源电极层及漏电极层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着缓冲层电连接。此外，缓冲层受到反溅射处理及氮气氛中的热处理，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层。

公开(公告)号：CN101740632A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910220860.5

申请日：2009-11-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66742 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及涉及半导体装置及其制造方法。在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，将包含铟、镓、锌、氧和氮的缓冲层设置在氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间。

公开(公告)号：CN100539138C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200410054555.0

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 关口庆一 ,  肥塚纯一 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交迭的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管；通过从一个倾斜的方向将杂质添加到有源层，将杂质添加到有源层中与栅电极相交迭且其间具有栅极绝缘膜的第一区的部分、和有源层中除了第一区外的第二区；且第二区位于相对于第一区的一个方向中。

公开(公告)号：CN1619772A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410100105.0

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。

公开(公告)号：CN112635573B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202011577605.9

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/34 ,  H10D64/68 ,  H10D86/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。

公开(公告)号：CN119013791A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033870.6

申请日：2023-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  肥塚纯一 ,  井口贵弘

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种包括微细尺寸的晶体管的半导体装置。其中第二导电层设置在第一导电层上，第二导电层包括与第一导电层重叠的第一开口，第三导电层设置在第二导电层上，第三导电层包括与第一开口重叠的第二开口，第一绝缘层与第二导电层所包括的第一开口的侧壁接触，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第三导电层的顶面接触，第二绝缘层设置在半导体层上，第四导电层设置在第二绝缘层上，第一绝缘层包括由第二导电层所包括的第一开口的侧壁与半导体层夹持的区域，半导体层包括由第二导电层所包括的第一开口的侧壁与第四导电层夹持的区域。

公开(公告)号：CN118974947A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380032991.9

申请日：2023-04-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  井口贵弘 ,  大野正胜 ,  土桥正佳 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H05B33/14 ,  H05B44/00 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一导电层、位于第一导电层上的第二导电层、与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第三导电层、与第三导电层、第一导电层的顶面及第一绝缘层的侧面接触的半导体层、位于第一绝缘层、半导体层及第三导电层上的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上且隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第四导电层，第一导电层的顶面至第二导电层的顶面的最短距离比第一导电层的顶面至第四导电层的底面的最短距离长。

公开(公告)号：CN111033757B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201880056474.4

申请日：2018-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  黑崎大辅 ,  大野正胜 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。在该半导体装置中，第二绝缘层位于第一绝缘层上，半导体层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，第三绝缘层位于第二绝缘层上，第四绝缘层位于第三绝缘层上，第一导电层包括与半导体层重叠的区域且位于第三绝缘层与第四绝缘层之间，第三绝缘层包括与第一导电层的底面接触的区域和与第四绝缘层接触的区域，第四绝缘层接触于第一导电层的顶面及侧面，第五绝缘层接触于半导体层的顶面及侧面，第五绝缘层在与半导体层重叠且不与第一导电层重叠的区域中包括第一开口及第二开口，第二导电层在第一开口中与半导体层电连接，第三导电层在第二开口中与半导体层电连接，第三绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层包含金属和氧或氮，第六绝缘层包括接触于第五绝缘层的顶面及侧面的区域及接触于第一绝缘层的区域。

公开(公告)号：CN110676324B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910937461.4

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN111446259B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201911299399.7

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。