-
公开(公告)号：CN107527960B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201710468365.0
申请日：2017-06-20
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/0224 , H01L31/075 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序；形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B，以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。
-
公开(公告)号：CN113755787A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110564780.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种能够在表面均匀地形成碳化钽的通电加热丝的制造方法以及制造装置。在本发明的一个方式所涉及的通电加热丝的制造方法中，向设置有钽丝的腔室导入乙炔气体，所述钽丝具有两个端部并以在垂直方向上折回的方式悬挂，一边控制导入所述腔室内的所述乙炔气体的供给量而使所述腔室的内压变化，一边通电加热所述钽丝，对所述钽丝的表面进行碳化处理。
-
-
公开(公告)号：CN108149226A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711278236.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/503 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。将成膜对象物设置为具有立体形状并且在成膜对象物的外表面凹陷地设置有沿着一个方向延伸的凹孔，在成膜对象物的至少凹孔的内表面形成高分子膜，所述成膜装置具有：向配置有成膜对象物的真空室内导入原料单体的原料单体导入单元；以及具有电极和交流电源且通过向电极施加交流电力而在真空室内使等离子体产生的等离子体产生单元；使由等离子体使原料单体分解并聚合而生成的离子以及自由基附着并堆积来形成高分子膜；所述电极由有底的筒状体构成，凹孔的孔轴设置为与有底筒状体的底壁正交的姿势，在使成膜对象物被底壁支撑而容纳在筒状体内的状态下使等离子体产生时，在等离子体与凹孔的内表面之间形成离子鞘层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102171455B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980138585.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 爱发科低温泵株式会社 , 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制臭氧在低温泵中的存留的真空排气装置、真空处理装置以及真空排气方法。为达到上述目的，本发明的一个实施方式的真空排气装置(1)包括：真空处理用的处理室(11)泵单元，该泵单元具有冷捕集器(161)与排气通路(13A)，所述冷捕集器(161)能够捕集排出气体，所述排气通路(13A)用于将所述排出气体从所述处理室(11)导向所述冷捕集器(161)；加热单元(20)，其使从所述处理室(11)流向所述冷捕集器(161)的所述排出气体中含有的臭氧在所述排气通路(13A)中产生热分解。
-
公开(公告)号：CN102132416A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132750.1
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
-
公开(公告)号：CN101946312A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105758.9
申请日：2009-02-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/401 , C23C16/515 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L29/4908
Abstract: 一种成膜方法在抑制栅绝缘膜的电学特性恶化的同时提高栅绝缘膜的表面喷涂率。所述方法包括向真空腔(11)提供包含有机硅烷化合物和氧化气体的混合气体，产生脉冲高频电从而间歇性提供高频电，并通过用脉冲高频电使混合气体等离子化，在所述基板(S)上形成硅绝缘膜。所述脉冲高频电根据满足所述硅绝缘膜表面喷涂率目标值的最大占空比而产生。
-
公开(公告)号：CN101567392A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910141769.4
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。
-
公开(公告)号：CN100444332C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200580009704.4
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/56
CPC classification number: H01L21/02277 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/45523 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3185
Abstract: 提供一种单位层后处理催化剂蒸镀装置及单位层后处理成膜方法，提高氮化硅膜等的面内均匀性、台阶覆盖率和膜的质量，并且在各单位层成膜后，进行表面处理，形成薄膜。将成膜过程(将含有硅烷气体和氨气的混合气体作为原料气体，以矩形脉冲状导入至反应容器(2)，使原料气体与催化剂(8)接触后热分解，在基板(5)上形成氮化硅膜)、一个表面处理过程(使氨气与催化剂8接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)、另一个表面处理过程(使氢气与催化剂(8)接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)作为1个周期，重复这1个周期的过程，对各单位层进行后处理，层叠薄膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.026 seconds)
