公开(公告)号：CN1181624A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97111413.7

申请日：1997-05-19

申请人： 哈里公司

发明人： 乔斯·A·德加道 ,  斯蒂芬·J·高尔

IPC分类号： H01L21/764

CPC分类号： H01L23/4821 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76289 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 控制晶片具有覆盖有介质的空腔。器件晶片键合于控制晶片。构造于器件晶片上的金属线、器件或电路覆盖控制晶片中的空腔,这就减少了对于控制晶片和通过控制晶片干扰的寄生电容。这样就构成了一种稳定的空气桥结构,这种结构可以被钝化和/或被塑料封装。

公开(公告)号：CN1117206A

公开(公告)日：1996-02-21

申请号：CN95108401.1

申请日：1995-06-16

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 小林研也 ,  滨智宏 ,  小此木坚祐

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76286 ,  Y10S148/012

摘要： 将第一硅单晶基体和第二硅单晶基体粘接在一起，并且所形成的第一硅单晶基体象SOI层那样薄。绝缘膜覆埋在二个硅单基体之一的粘接表面的部分位置处，另外，在埋入绝缘膜的一侧的硅单晶基体粘接表面上形成多晶硅层。

公开(公告)号：CN103296013B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201310205814.4

申请日：2013-05-28

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 李乐

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78603

摘要： 一种射频器件的形成方法，包括：提供包括背衬底、覆盖所述背衬底的隐埋氧化物层、以及覆盖所述隐埋氧化物层的顶层半导体层的绝缘体上半导体层，所述顶层半导体层表面形成有晶体管和覆盖所述晶体管的层间介质层；提供表面平整的临时支撑层，将层间介质层表面与所述临时支撑层接合；去除所述背衬底，直至暴露出隐埋氧化物层；提供高阻率的衬底，将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合；将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合后，移除所述临时支撑层，暴露出所述层间介质层表面。形成的所述射频器件的信号损耗少，线性度高。

公开(公告)号：CN105247692A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480030562.9

申请日：2014-03-26

申请人： 索泰克公司 ,  德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会

发明人： R·克劳斯 ,  塞西尔·奥尔内特 ,  E·马扎莱拉 ,  F·迪姆罗特 ,  埃里克·圭奥特

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76275 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/024 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/047 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54426 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用于多个光伏电池的制造方法，该制造方法包括以下步骤：获得相对于彼此以第一距离放置的多个光伏电池(8121-8124)；将伸展材料(1150)附接至所述多个光伏电池；以及使所述伸展材料伸展(S61)，使得所述多个光伏电池相对于彼此以第二距离产生，其中，所述第二距离大于所述第一距离。

公开(公告)号：CN103296013A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310205814.4

申请日：2013-05-28

申请人： 上海宏力半导体制造有限公司

发明人： 李乐

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78603

摘要： 一种射频器件的形成方法，包括：提供包括背衬底、覆盖所述背衬底的隐埋氧化物层、以及覆盖所述隐埋氧化物层的顶层半导体层的绝缘体上半导体层，所述顶层半导体层表面形成有晶体管和覆盖所述晶体管的层间介质层；提供表面平整的临时支撑层，将层间介质层表面与所述临时支撑层接合；去除所述背衬底，直至暴露出隐埋氧化物层；提供高阻率的衬底，将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合；将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合后，移除所述临时支撑层，暴露出所述层间介质层表面。形成的所述射频器件的信号损耗少，线性度高。

公开(公告)号：CN1945856B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200610159801.8

申请日：2002-10-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/00 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L21/76275 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/56

摘要： 本发明提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

公开(公告)号：CN102782827A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080064953.4

申请日：2010-12-30

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  D·X·王

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833 ,  G03F7/70708 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/76879 ,  H02N13/00 ,  Y02P80/30

摘要： 本发明在一个实施例中提供了一种载具，该载具包括具有由前侧沟槽划分的隔离的正电极区域和隔离的负电极区域的顶部半导体层，该前侧沟槽贯穿顶部半导体层至少至位于顶部半导体层和底部半导体层之间的基底绝缘层。一介质层覆盖载具的顶部的暴露表面。贯穿底部半导体层至少至绝缘层的背侧沟槽形成与前侧正电极区域和负电极区域对应的隔离的背侧区域。位于底部半导体层上且耦接至正电极区域和负电极区域的背侧触点允许了前侧电极区域的充电。

公开(公告)号：CN100530644C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510109672.7

申请日：2005-09-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 布伦特·A·安德森 ,  爱德华·J·诺瓦克

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： 本发明提供一种集成电路及其制造方法。该集成电路具有制作在SOI区和体区中的器件，其中区由填充有外延淀积材料的沟槽连接。填充沟槽提供连接SOI和体区的连续半导体表面。SOI和体区可以具有相同或不同的晶体取向。通过形成具有由嵌入式侧壁间隙壁(由电介质构成)分隔开的SOI和体区的衬底，来制作本集成电路。蚀刻侧壁间隙壁，形成随后用外延材料填充的沟槽。在平面化之后，衬底具有带连续半导体表面的SOI和体区。对接的P-N结和硅化物层可以提供SOI和体区之间的电连接。

公开(公告)号：CN100407408C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480023498.8

申请日：2004-05-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 布鲁斯·多里斯 ,  凯瑟琳·瓜里尼 ,  杨美基 ,  施里施·纳拉西姆哈 ,  科恩·里姆 ,  杰弗里·W·斯莱特 ,  杨敏

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84

摘要： 提供了一种集成的半导体结构，它包含至少一个形成在对器件最佳的第一晶面上的器件，而另一器件被形成在对此另一器件最佳的不同的第二晶面上。形成此集成结构的方法包括提供键合衬底，此键合衬底至少包括第一晶向的第一半导体层和不同的第二晶向的第二半导体层。部分键合衬底被保护以确定第一器件区，而键合衬底的其它部分不被保护。键合衬底的未被保护部分然后被腐蚀，以便暴露第二半导体层的表面，并在暴露的表面上再生长半导体材料。在整平之后，第一半导体器件被形成在第一器件区中，而第二半导体器件被形成在再生长材料中。

公开(公告)号：CN100336196C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03823519.6

申请日：2003-09-26

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： E·内雷 ,  C·马勒维尔 ,  L·埃斯卡劳特

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76283

摘要： 本发明涉及一种用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺，通过转移技术获得该晶片，以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段：a)温度上升的第一个斜坡，是为了开始加热，b)第一次稳定停止，是为了稳定温度，c)温度上升的第二个斜坡，其特征在于在第二个斜坡期间，在称为低的第一温度范围之内温度上升的平均斜率具有第一值，然后在称为高的温度范围之内增加。