公开(公告)号：CN1312757C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02107879.3

申请日：2002-03-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金营宽 ,  朴泳旭 ,  李承换

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3142 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T117/1008 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种利用原子层淀积(ALd)形成薄膜的方法。提供一种具有单反应空间的ALD反应器。可以在所述ALD反应器的单反应空间中同时装载一批衬底。然后，在单反应空间中引入含反应剂的气体，在单反应空间内，反应剂的一部分化学吸附到该批衬底的上表面上。然后，从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。根据本发明的一个实施例，引入含反应剂气体后，在单反应空间内稀释未被化学吸附的反应剂，以便于排除未被化学吸附的反应剂。

公开(公告)号：CN1296528C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN02826062.7

申请日：2002-11-07

申请人： 华盛顿卡内基研究所 ,  UAB研究基金会

发明人： 罗素·J·赫姆利 ,  毛河光 ,  颜志学 ,  约格施·K·沃赫拉

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C23C16/27 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10

CPC分类号： C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B29/04 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/108

摘要： 一种在沉积室内生产金刚石的装置，包括：用于夹持金刚石并与金刚石的邻近于其生长面的一边的侧面热接触的散热夹具；设置用来测量沿金刚石生长面的温度的非接触式温度测量装置；和用于接收来自上述非接触式温度测量装置的温度测量数据并控制生长面的温度使沿生长面的所有温度梯度小于20℃的总过程控制器。一种生产金刚石的方法，包含如下步骤：在夹具内安置金刚石使之与金刚石的邻近于其生长面的一边的侧面热接触，测量金刚石生长面的温度并得出温度测量数据；根据上述温度测量数据控制生长面的温度；和在生长面上按微波等离子化学蒸气沉积法生长单晶金刚石，其中，金刚石生长速率大于1μm/h。

公开(公告)号：CN1737216A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510087833.7

申请日：2005-06-07

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： M·库尔卡尼 ,  V·尼蒂亚纳坦 ,  L·W·费里 ,  J·刘 ,  J·于 ,  S·L·金贝尔 ,  C·金 ,  J·C·霍尔泽 ,  R·G·施伦克 ,  K·李

IPC分类号： C30B15/22

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/22 ,  C30B15/30 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1052

摘要： 本发明提供一种用于制造基本没有不希望的数量或尺寸的附聚缺陷的半导体级单晶的方法和系统。空位/间隙(V/I)边界模拟器分析各种熔－固界面形状以预测各种熔－固界面形状中的每一种所对应的V/I转换曲线。为沿晶体长度的多个轴向位置中的每一个识别对应于基本平直的V/I曲线的目标熔－固界面形状。将实现每种所识别的熔－固界面形状的目标操作参数存储在熔－固界面形状分布图中。控制系统响应所存储的分布图以产生一个或多个控制信号，从而控制一个或多个输出装置，以便在晶体生长期间熔－固界面形状基本符合由分布图所限定的目标形状。

公开(公告)号：CN1476059A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03147124.2

申请日：2003-06-27

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012

摘要： 一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。

公开(公告)号：CN1441463A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03104326.7

申请日：2003-01-30

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 松村正清 ,  西谷幹彦 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  中野文樹

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02678 ,  B23K26/06 ,  B23K26/066 ,  B23K2101/40 ,  C30B1/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016

摘要： 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的准分子镭射(excimerlaser)1；使从该准分子镭射1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单结晶半导体层10上的投射光学系6；在光的照射面内设置温度低的点的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。

公开(公告)号：CN1396965A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN01804430.1

申请日：2001-01-24

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： P·穆蒂 ,  V·V·沃罗克诺韦

IPC分类号： C30B15/22

CPC分类号： C30B15/22 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 一种供拉晶机使用的控制方法，用于按照切克劳斯基工艺从熔体生长单晶形半导体晶体。方法包括限定一个初始时间段用于观察从熔体中提拉的晶体的生长，并测量晶体的直径以便确定在该时段中发生的直径变化。根据晶体直径的变化，该方法定义一个函数r(t)。通过对函数r(t)实施最佳拟合程序，该方法推导出在观察时段结束时晶体半径rf，弯月面高度hf和生长速率Vgf的现行值。方法还包括确定随生长速率而变的拉速和加热器功率参数，以便控制拉晶机使随后的晶体生长期间晶体直径和生长速率二者的变化减至最小。

公开(公告)号：CN1172869A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN96114458.0

申请日：1996-11-13

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： 罗伯特·H·福豪夫

IPC分类号： C30B15/26 ,  H04N5/225

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/26 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 用于确定从硅熔体拉制的硅晶体的直径的系统,用于控制硅晶体生长设备。该熔体具有平的表面,该表面包括呈现为与硅晶体相邻的明亮环的弯月形液面。位于熔体表面上方并离开晶体的一个摄像机包括大体上与熔体表面平行的像平面,并响应于来自亮环的光以产生亮环部分的图像。由此,该摄像机补偿了摄像机相对于晶体的位置造成的图像失真。图像处理电路检测图像的特性并作为检测特性的函数而确定亮环的边缘。

公开(公告)号：CN1120604A

公开(公告)日：1996-04-17

申请号：CN95104010.3

申请日：1995-04-07

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 藤野优 ,  鹰木洋

IPC分类号： C30B19/00

CPC分类号： C30B19/06 ,  C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008

摘要： 一种用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置，它包括一个外侧有高频加热装置的炉管，一个装在炉管内的两端开口的导电圆筒，和一个与圆筒元件同轴放置的由导电材料制成的坩埚。

公开(公告)号：CN104471118B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201380037691.6

申请日：2013-05-08

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  新日铁住金株式会社

发明人： 加渡干尚 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光 ,  楠一彦 ,  冈田信宏

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B19/10

CPC分类号： C30B19/10 ,  C30B9/06 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/068 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24488

摘要： 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。

公开(公告)号：CN107254715A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710281775.4

申请日：2011-12-16

申请人： 株式会社电装

发明人： 徳田雄一郎 ,  原一都 ,  小岛淳

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B25/14

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008

摘要： 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。