公开(公告)号：CN110709997A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880035781.4

申请日：2018-05-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  菅原胜俊 ,  八田英之 ,  纐缬英典 ,  田中梨菜 ,  宫田祐辅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及具有沟槽栅的半导体装置，具备：第1半导体层；第1半导体区域，选择性地设置于第1半导体层的上层部；半导体区域，与第1半导体区域相接地设置；第3半导体区域，与第1及第2半导体区域的底面相接地设置；栅沟槽，在厚度方向贯通第1及第3半导体区域而到达第1半导体层内；电场缓和区域，与栅沟槽的底部相接；以及连接层，以与第2方向上的至少一方的沟槽侧壁相接的方式在第1半导体层内隔开间隔而设置有多个，对电场缓和区域和第3半导体区域进行电连接，其中，所述第2方向和与栅沟槽的延伸方向平行的第1方向垂直，连接层沿着第1方向相互隔离地设置有多个。

公开(公告)号：CN106463539B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201580021852.1

申请日：2015-03-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菅原胜俊 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 目的在于提供一种能够抑制与栅极焊盘的角部对置的单元中的雪崩击穿的技术。MOSFET具备配设于在俯视时与栅极焊盘(13)的角部对置的区域(41)的拐角单元(17)、以及配设于相对拐角单元(17)而与栅极焊盘(13)相反的一侧的区域的内部单元(14)。在拐角单元(17)的外轮廓形状中，最长的边和与该边对置的各边之间的各最短距离中的最长的距离为内部单元(14)的均等的一边或者短边的长度的2倍以下。

公开(公告)号：CN109075201A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780024258.7

申请日：2017-01-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 足立亘平 ,  菅原胜俊 ,  福井裕 ,  田中梨菜 ,  小西和也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明在具有沟槽栅的半导体装置中，具备：第二导电类型的沟槽底部保护层，与设置于第一导电类型的半导体层的沟槽的底部相接；以及第一导电类型的耗尽化抑制层，设置于相邻的沟槽底部保护层之间，耗尽化抑制层包括直至相邻的沟槽底部保护层为止的水平方向的距离相等的中间点，耗尽化抑制层被形成为与沟槽及沟槽底部保护层均不接触的大小，其杂质浓度被设定得高于半导体层的杂质浓度。

公开(公告)号：CN108292680A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068913.4

申请日：2016-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  福井裕 ,  菅原胜俊 ,  黑岩丈晴 ,  香川泰宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种能够抑制由晶面导致的通态电流的不均以及阈值的不均的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置包括碳化硅漂移层(2)、主体区域(5)、源极区域(3)、多条沟槽(7)、栅极绝缘膜(9)、栅电极(10)、源电极(11)、漏电极(12)和耗尽抑制层(6)，所述碳化硅漂移层(2)形成在具有偏角的碳化硅半导体衬底(1)的上表面。耗尽抑制层俯视时位于被多条沟槽夹着的位置，在碳化硅半导体衬底的带有偏角的方向上，耗尽抑制层和与耗尽抑制层相邻的一个沟槽之间的距离，不同于耗尽抑制层和与耗尽抑制层相邻的另一个沟槽之间的距离。

公开(公告)号：CN104871320B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201380068225.4

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/088 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种能够碳化硅基板的偏离角对半导体装置的特性造成的影响并且实现动作稳定性的提高和低电阻化的碳化硅半导体装置。在沟道栅极型碳化硅MOSFET中，在阱区中形成高浓度阱区，使从碳化硅半导体的所述沟道的第1侧壁面到所述高浓度阱区的距离小于从隔着所述栅极电极与所述沟道的第1侧壁面对置的所述沟道的第2侧壁面到所述高浓度阱区的距离。

公开(公告)号：CN105474402A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480043331.1

申请日：2014-07-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕 ,  海老原洪平 ,  日野史郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种能够缓和在沟槽下部形成的保护扩散层中的电场的碳化硅半导体器件。碳化硅半导体器件(100)具备：第一导电类型的漂移层(2a)；第一导电类型的源极区域(4)，形成于半导体层(2)内的上部；沟槽(5a)，贯通源极区域(4)以及基极区域(3)而形成；终端沟槽(5b)，形成于沟槽(5a)的周围；栅极绝缘膜(6)，形成于沟槽(5a)的底面以及侧面；栅电极(7)，隔着栅极绝缘膜(6)埋没而形成在沟槽(5a)内；第二导电类型的保护扩散层(13)，形成于沟槽(5a)的下部，第二导电类型的杂质浓度是第一杂质浓度；以及第二导电类型的终端扩散层(16)，形成于终端沟槽(5b)的下部，第二导电类型的杂质浓度是比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。

公开(公告)号：CN104885227A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068204.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L21/047 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种碳化硅半导体器件，能够降低碳化硅基板的OFF角对半导体器件的特性造成的影响，并实现动作稳定性的提高和低电阻化。在具有OFF角的碳化硅半导体基板中形成了的沟槽栅型碳化硅MOSFET半导体器件中，在阱区域中的所述沟槽的第1侧壁面侧设置低沟道掺杂区域，在阱区域中的所述沟槽的第2侧壁面侧设置有效受主浓度比所述低沟道掺杂区域低的高沟道掺杂区域。

公开(公告)号：CN104871320A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380068225.4

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/088 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种能够碳化硅基板的截止角对半导体装置的特性造成的影响并且实现动作稳定性的提高和低电阻化的碳化硅半导体装置。在沟道栅极型碳化硅MOSFET中，在阱区中形成高浓度阱区，使从碳化硅半导体的所述沟道的第1侧壁面到所述高浓度阱区的距离大于从隔着所述栅极电极与所述沟道的第1侧壁面对置的所述沟道的第2侧壁面到所述高浓度阱区的距离。

公开(公告)号：CN104520998A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380041189.2

申请日：2013-07-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤原伸夫 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种碳化硅半导体装置，具有：沟槽(2)，在形成了半导体层的碳化硅基板的表面被格子状地形成；以及栅电极(1)，在沟槽(2)的内部隔着栅极绝缘膜(8)形成，关于沟槽(2)的深度，沟槽(2)被交叉地形成了的部分相比于沟槽(2)被相互平行地形成了的部分浅。由此，能得到提高栅电极与半导体装置背面的漏电极之间的耐压来防止绝缘破坏，同时栅电极的面积宽，每单位面积的沟道密度高，导通电阻低的碳化硅半导体装置。