-
公开(公告)号：CN111883619B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010771843.7
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/08 , C30B33/10
Abstract: 一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，采用移动加热器法完成晶体的生长，依次包括由生长炉温度场分布的设定、各组分化学计量比的配比完成、合料形成多晶料锭、建立回溶控制步序、单晶晶片的切割制成、制备电极阴阳极面的区分、晶体表面处理、电极制备、钝化处理构成的工序。本发明的一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，通过上述步序形成的晶体生长控制与电极结构设置，完成了具有载流子迁移率高、表面光滑、成分均匀的晶体及高质量的欧姆接触特性的探测器用复合电极的制备，为探测器的优秀能谱响应提供了保障。
-
公开(公告)号：CN113151901A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110307620.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 中广核工程有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀，获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小，最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。
-
公开(公告)号：CN111900213A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010771822.5
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , C23C14/18 , H01L27/146 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法，其中所述的探测器由CMT晶体制备而成，并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构，并在此基础上设置了弗里希栅极结构，从而改变了权重势分布，使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响；其中所述的制备方法，在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制，并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法，通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量，形成对探测器性能的良好响应。
-
公开(公告)号：CN111192822A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010024306.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。
-
公开(公告)号：CN104952972B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510174196.0
申请日：2015-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备不受衬底尺寸限制，灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜，有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161565A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510365436.5
申请日：2015-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/022408 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe光电探测器。本发明CdZnTe光电探测器中增加石墨烯过渡层是一种新型光电探测器结构，有效地避免CdZnTe表面受环境影响，去除CdZnTe表面的杂质和缺陷，提高CdZnTe结晶质量，明显改善CdZnTe与Au电极之间的界面接触，获得更好的欧姆接触，从而降低器件的暗电流，提高器件灵敏度和光电响应。本发明方法具有工艺简单，成本更低，可重复性高，扩大了CdZnTe在光电探测器中的应用范围。
-
公开(公告)号：CN101871123B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010201205.8
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。
-
公开(公告)号：CN102323609A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110253713.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种四元并行碲锌镉核辐射探测器装置,它包括四个碲锌镉探测器，每个碲锌镉探测器分别经过一个前置放大器再经过一个差分放大器和一个主放大器，然后一起连接一个加法电路，最后该加法电路连接到一个多道能谱仪和数字示波器，四个碲锌镉探测器测得的信号，经放大后由多道能谱仪和数字式波器进行处理。该探测器比传统的单元探测器探测面积大，探测效率高，探测时间短，适用于便携式核辐射探测谱仪，可广泛应用于核废料监控，环境监测以及机场港口铁路货物等的反射性检测。
-
公开(公告)号：CN101859704A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010185685.3
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/365 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与p型金刚石薄膜之间采用SiOx作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)沉积p型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到690℃。
-
公开(公告)号：CN116334601A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310262541.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉探测器化学沉积电极的方法与装置，该装置包括样品装载组件、调整所述样品装载组件位置的致动组件、置于所述样品装载组件下方的镀液容器组件以及置于外围的温控系统。化学沉积电极的方法，包括如下步骤：S1、将碲锌镉晶体样品表面进行研磨、抛光，配置化学镀液；S2、装载碲锌镉晶体样品装载；S3、调控并实时监测化学镀液温度，调整高度使得碲锌镉晶体样品接触化学镀液发生化学沉积反应，最终得到表面沉积金属电极薄膜的碲锌镉晶体样品。与现有技术相比，本发明精准地使碲锌镉晶体样品的单个表面与化学镀液贴合，避免碲锌镉晶体样品的侧面污染；也可实时调控并监测化学镀液的温度，从而控制化学沉积反应过程。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
63
records
(took 0.024 seconds)
