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公开(公告)号：CN1925141A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610003254.4
申请日：2006-02-06
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/373 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L24/48 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 本发明是有关于一种晶片封装结构，其包括一基板、一晶片、一第一B阶黏着剂、打线导线、一散热器以及一封装胶体。其中，基板具有一第一表面、一第二表面和一通孔。晶片配置在基板第一表面上并与其电性连接，且基板的通孔暴露出部分晶片。第一B阶黏着剂配置在晶片与基板的第一表面之间，且晶片通过第一B阶黏着剂贴附到基板上。打线导线连接在通孔所暴露的晶片与基板的第二表面之间。散热器配置在基板第一表面上，且覆盖住晶片。封装胶体配置在基板第二表面上，并覆盖部分基板和打线导线。本发明的晶片的接合垫不会被B阶黏着剂覆盖，进而提高晶片封装结构的优良率；此外利用散热器传导自晶片产生热量，且利用散热黏着层将散热器固定在晶片上，而有助于散热。
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公开(公告)号：CN101625987B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200810214684.X
申请日：2008-08-29
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/00014
摘要： 本发明揭示一种可靠度获得提升的芯片封装结构制程。首先，提供一具有多个第一焊垫的第一基板及一具有多个第二焊垫的第二基板，并在第一基板的这些第一焊垫上形成多个凸块。在第一基板或在第二基板上形成一第一二阶粘着层并将其B阶化以形成一第一B阶粘着层。在第一B阶粘着层上形成一第二二阶粘着层并将其B阶化以形成一第二B阶粘着层。接着，透过第一B阶粘着层与第二B阶粘着层结合第一基板与第二基板，以使得各第一焊垫分别透过其中一凸块与对应的第二焊垫电性连接。
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公开(公告)号：CN101625986B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200810214683.5
申请日：2008-08-29
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/00
CPC分类号： H01L24/73 , H01L2224/16145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一种可靠度获得提升的芯片封装结构制程。首先，提供一具有多个第一焊垫的第一基板及一具有多个第二焊垫的第二基板，并在第一基板的这些第一焊垫上形成多个凸块。在第一基板上形成一第一二阶粘着层并将其B阶化以形成一第一B阶粘着层。在第二基板上形成一第二二阶粘着层，并将其B阶化以形成一第二B阶粘着层。接着，透过第一B阶粘着层与第二B阶粘着层结合第一基板与第二基板，以使得各第一焊垫分别透过其中一凸块与对应的第二焊垫电性连接。
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公开(公告)号：CN101764073B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910004086.4
申请日：2009-02-09
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/78 , H01L23/488 , H01L25/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一种四方扁平无引脚封装制程。首先，提供一图案化导电层及位于图案化导电层上的一图案化焊罩层。在图案化焊罩层上配置多个芯片，以使图案化焊罩层位于芯片及图案化导电层之间。透过多条焊线将芯片电性连接于图案化导电层，其中芯片及焊线位于图案化导电层的同一侧。形成至少一封装胶体以包覆图案化导电层、图案化焊罩层、芯片及导线。接着，分割封装胶体、图案化导电层及图案化焊罩层。
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公开(公告)号：CN101764073A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910004086.4
申请日：2009-02-09
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/78 , H01L23/488 , H01L25/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一种四方扁平无引脚封装制程。首先，提供一图案化导电层及位于图案化导电层上的一图案化焊罩层。在图案化焊罩层上配置多个芯片，以使图案化焊罩层位于芯片及图案化导电层之间。透过多条焊线将芯片电性连接于图案化导电层，其中芯片及焊线位于图案化导电层的同一侧。形成至少一封装胶体以包覆图案化导电层、图案化焊罩层、芯片及导线。接着，分割封装胶体、图案化导电层及图案化焊罩层。
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公开(公告)号：CN101740411A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910008384.0
申请日：2009-02-25
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/782
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种芯片封装结构的制程如下所述。首先，提供一图案化导电层与一图案化防焊层图案化防焊层，其中图案化导电层具有多个第一开口，图案化防焊层配置于图案化导电层上。接着，接合多个芯片至图案化导电层上，以使芯片与图案化防焊层分别配置于图案化导电层的相对二表面上。然后，借由多条导线电性连接芯片至图案化导电层，其中导线贯穿图案化导电层的第一开口。之后，形成至少一封装胶体，以包覆图案化导电层、图案化防焊层、芯片以及导线。然后，分割封装胶体、图案化导电层与图案化防焊层。本发明的芯片封装结构的制程可在不需用到核心介电层的情况下，制作出芯片封装结构，故所制得的芯片封装结构的厚度小于现有的芯片封装结构的厚度。
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公开(公告)号：CN101170103B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610140988.7
申请日：2006-10-25
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/495 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2225/06562 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种于导线架设置有汇流架的堆叠式芯片封装结构，包含：一个由多数个相对排列的内引脚群、多数个外引脚群以及芯片承座所组成导线架，其中芯片承座设置于多数个相对排列的内引脚群之间，且与多数个相对排列的内引脚群形成高度差；堆叠式芯片装置由多数个芯片堆叠形成，设置于芯片承座上且多数个芯片与多数个相对排列的内引脚群形成电连接；以及一个封装体，用以包覆堆叠式芯片装置及导线架；其中导线架中包括至少一个汇流架，设置于多数个相对排列的内引脚群与芯片承座之间。
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公开(公告)号：CN101661925A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810186350.6
申请日：2008-12-08
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06562 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出一种芯片封装，包括一线路基板、一第一芯片、多条第一焊线、一元件、一第一粘着层以及一封装胶体。第一芯片具有一第一有源面、一第一背面及多个第一焊垫，第一背面粘附于线路基板上，且第一芯片电性连接至线路基板。第一焊线电性连接至线路基板与第一芯片的第一焊垫。元件配置于第一芯片的第一有源面的上方。第一粘着层粘附于第一有源面与元件之间，且未覆盖第一焊垫。第一粘着层包括一粘附于第一芯片的部份第一有源面的第一B阶粘着层以及一粘附于第一B阶粘着层与元件之间的第二B阶粘着层。
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公开(公告)号：CN100576478C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710153248.1
申请日：2007-09-29
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
CPC分类号： H01L24/96 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种晶粒重新配置的封装方法，包括：提供复数个晶粒，每一该晶粒具有一有源面且该有源面上配置有复数个焊垫；贴附复数个晶粒至一基板上，每一晶粒以倒装方式将有源面与配置于基板上的黏着层连接；接着形成一高分子材料于基板及部份晶粒上；然后覆盖模具装置至高分子材料上，以平坦化高分子材料，使高分子材料充满于每一颗晶粒之间并包覆每一颗晶粒；然后脱离模具装置，以曝露出该高分子材料的表面；形成复数条切割道于曝露的高分子材料表面上；最后，脱离基板，以曝露出每一晶粒的有源面，以形成一封装体。
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公开(公告)号：CN100505247C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610145089.6
申请日：2006-12-01
申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种导线架的内引脚具有金属焊垫的堆叠式芯片封装结构，包含：一个由多个相对排列的内引脚群、多个外引脚群以及芯片承座所组成的导线架，其中芯片承座设置于多个相对排列的内引脚群之间，且与多个相对排列的内引脚群形成高度差；多芯片偏移堆叠结构，由多个芯片堆叠而成，多芯片偏移堆叠结构设置于芯片承座上且与多个相对排列的内引脚群形成电连接；以及封装体，包覆多芯片偏移堆叠结构及导线架并将多个外引脚群伸出于该封装体外；其特征在于导线架中的内引脚还被覆绝缘层且绝缘层上再选择性地形成多个金属焊垫。
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