公开(公告)号：CN1643420A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807403.6

申请日：2003-01-29

申请人： 秦内蒂克有限公司

发明人： R·M·詹金斯 ,  M·E·麦克尼

IPC分类号： G02B6/28 ,  G02B6/136

CPC分类号： G02B6/2813 ,  G02B2006/12176

摘要： 说明一种多模干涉(MMI)装置(90)，包括空芯多模波导部分(32)，该部分耦合于至少一个空芯输入波导部分(30；34；36)，在该多模干涉装置中，空芯多模波导部分的内表面上涂有反射层(92)。该反射层的材料在工作波长具有低的折射率，例如为金属或者多层的介电叠层。还说明采用这种MMI装置的共振器(150)和光学放大器(110)。

公开(公告)号：CN1186663C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN00806251.X

申请日：2000-11-02

申请人： 皇家菲利浦电子有限公司

发明人： M·米舍洛夫 ,  S·波斯拉 ,  C·T·加布里尔 ,  M·维林

IPC分类号： G02B6/43 ,  G02B6/12

CPC分类号： G02B6/13 ,  G02B6/42 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/12176

摘要： 提供了波导结构和制作用于传送光信号的波导的方法。波导结构是通过使用标准CMOS制造操作过程被制成的，并与具有数字CMOS电路的同一个芯片集成在一起。制作波导的示例的方法包括形成一个穿过介质层向下到基片的接触孔，以及用第一金属化涂层涂覆接触孔的侧壁。然后用介质材料填充接触孔。局部波导结构被形成在接触孔的第一金属化涂层和介质材料上。由波导介质结构和被规定在波导介质上的第二金属化涂层规定了局部波导结构。第三金属化涂层被形成来规定隔板连同局部波导结构的侧壁，第一金属化涂层和第二金属化涂层。第三金属化涂层被配置成完成被填充以波导介质材料的波导结构。然后，光信号可以传播通过波导结构，以及与其它CMOS数字电路相接口。

公开(公告)号：CN1183396C

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN00812991.6

申请日：2000-07-17

申请人： 混合微技术有限公司

发明人： J·F·库曼 ,  M·R·普尔森

IPC分类号： G02B6/42

CPC分类号： G02B6/12004 ,  G02B6/42 ,  G02B6/423 ,  G02B6/4232 ,  G02B6/4238 ,  G02B6/4248 ,  G02B2006/12176 ,  G02B2006/12195

摘要： 本发明涉及一种组件结构和用于在硅板上组装有源与无源光子和/或光电子器件的方法。本发明特别涉及一种组件结构和在组装过程中对准光子器件的一种方法。根据本发明，组件结构包括一个或多个的对准特征，所述对准特征在至少基本平行一个光轴方向上包括锥形侧表面部分。通过在至少基本平行第一个光轴方向上提供的锥度，任何不精确性主要影响不关键的沿该光轴方向的定位，而关键的横截于光轴的定位则仅仅依赖于对准特征的对称性。因而，由对准特征定位和形状的固有不精确性造成的误差被最小化。而且，欲对准的器件优选地安置在对准特征的顶部，该对准特征形成硅衬底上的基本结构部分。因而，在单个掩模步骤中，所有对准特征与欲与其对准的结构一起被限定，从而造成组件结构精确性的提高。所得的单元将尤其用于宽带电信部件。

公开(公告)号：CN1275206A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN98809948.9

申请日：1998-04-15

申请人： 布克哈姆技术有限公司

发明人： A·P·R·哈平 ,  A·G·里克曼 ,  J·R·蒂德马斯

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02F1/01

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B2006/12135 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/12176 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/225 ,  G02F2001/0113

摘要： 一种形成于硅层中并被基片(5)支撑的集成光路,通过例如以桥的形式在该基片(5)上的一凹槽(2)上延伸使该硅层的一部分(1)与该基片(5)基本绝热。设有温控装置用来控制该硅层所述部分(1)或其上所设元件的温度。可以在所述部分(1)设置一热膨胀间隙(1A)以容纳所述部分(1)相对于基片(5)的热膨胀。

公开(公告)号：CN109581588A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811643507.3

申请日：2018-12-29

申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司

发明人： 刘敬伟 ,  李文玲 ,  田立飞 ,  张新群

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/14 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/14 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12173 ,  G02B2006/12176

摘要： 本发明提供的一种复合硅基波导结构，包括：弱束缚波导，包括第一芯层，所述第一芯层与弱束缚波导的模场直径匹配；强束缚波导，包括第二芯层以及覆盖所述第二芯层的顶部及侧壁的所述第三芯层；模斑转换结构，包括相连的、分别与所述弱束缚波导和所述强束缚波导连通的弱束缚部和强束缚部；所述弱束缚部和所述强束缚部分别为与所述弱束缚波导和所述强束缚波导一致的波导结构。

公开(公告)号：CN108318968A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810293462.5

申请日：2018-04-03

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 常丽敏 ,  李智勇 ,  刘磊 ,  俞育德

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12035 ,  G02B2006/12038 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12159 ,  G02B2006/12176

摘要： 本发明提供了一种缝槽型波导结构及其制造方法、和使用缝槽型波导结构的MZI(Mach-Zehnder Interference：马赫曾德尔干涉)结构，通过在沿光传播方向延伸的缝槽状低折射率波导的两侧分别设置高折射率波导来构成缝槽型波导结构，其中利用低高折射率波导间的边界限定而使所传输的光信号被限制在低折射率波导中，从而降低了光信号在波导结构中的散射和吸收，降低了光信号在波导结构的传输损耗，由此可以降低移相臂的波导结构间的损耗差值大所导致的MZI结构的滤波器的输出信号损耗和串扰。另外，缝槽型波导结构和MZI结构可以采用与CMOS兼容的微纳加工工艺实现，可以应用于滤波器、波分复用等领域。

公开(公告)号：CN106461872A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580014543.1

申请日：2015-03-10

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 蒋嘉 ,  多米尼克·约翰·古德威尔 ,  艾瑞克·伯尼尔

IPC分类号： G02B6/30 ,  G02B6/12

CPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/305 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12176 ,  G02B2006/12178

摘要： 实施例提供的光子芯片波导具有改善的到光纤的耦合效率。在一实施例中，光子芯片包括：半导体基板；所述基板上的介电层；嵌入所述介电层的锥形硅或半导体波导。所述介电层具有比所述锥形波导低的光学折射率，并且用作所述锥形波导的包层。所述芯片还包括：所述基板上与所述介电层相邻的介电波导。所述锥形波导的尖部嵌入所述介电波导中。所述介电波导的作用是将所述锥形波导与光纤耦合，放大并更好地限制从所述锥形波导到所述光纤的光传播模式。

公开(公告)号：CN105556680A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480035698.9

申请日：2014-05-22

申请人： 王士原 ,  王士平

发明人： 王士原 ,  王士平

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/07

CPC分类号： H01L31/035272 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12176 ,  H01L23/66 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/024 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L2223/6627 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： 描述了利用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构例如柱和/或孔有效增加了有效吸收长度，引起更大的光子吸收。对于硅光电二极管和硅雪崩光电二极管使用增强吸收的微结构可以得到在波长为850nm的光子处超过10Gb/s的带宽，并且量子效率为大约90％或更高。

公开(公告)号：CN105372849A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510847861.8

申请日：2015-11-27

申请人： 电子科技大学

发明人： 李伟 ,  郭安然 ,  宋钦剑 ,  郭国辉 ,  李东阳 ,  蒋亚东

IPC分类号： G02F1/01 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

CPC分类号： G02F1/011 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/12176 ,  G02F2001/0113

摘要： 本发明属于光开关技术领域，具体的说涉及一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法。本发明的主要方案为，本发明的光开关包括硅基波导、非晶硅层、银电极和金属电极；所述硅基波导为中部具有脊形凸起结构的平板硅基波导，所述非晶硅层位于硅基波导中部脊形凸起结构的上表面；所述银电极位于非晶硅层的上表面；所述金属电极位于硅基波导中部脊形凸起结构一侧的硅基波导平面部分上表面。本发明的有益效果为，本发明具有尺寸小的优点，同时还具备较强的稳定性，受温度和电压的波动影响小，并且还具有良好的抗辐照特性。

公开(公告)号：CN105044837A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510353381.6

申请日：2015-06-24

申请人： 湖南晶图科技有限公司

发明人： 叶旻

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/12009 ,  G02B2006/12176

摘要： 本发明公开了一种数组波导光栅的加工方法，该方法是在数组波导光栅器件加工过程中包括一个在衬底层上沉积干蚀阻止层，再在干蚀阻止层上沉积波导芯层的步骤。该方法通过在波导芯材料和衬底材料之间设置一层干蚀阻止层，有效防止衬底层在波导芯成型过程中被过度腐蚀，从而从根本上解决晶圆中的芯片偏振相关波长漂移值不一致的问题，大大提高AWG加工成品率。