-
公开(公告)号:CN103066202B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201110322547.X
申请日:2011-10-21
申请人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC分类号: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要: 本发明公开了一种相变存储器及其制造方法。根据本发明的相变存储器中,使用设置在存储节点顶部的顶部电极对存储节点进行加热,使得存储节点中的相变层发生相变。本发明的相变存储器中,顶部电极与存储节点的接触区域较小,有利于相变的进行。此外,每列存储节点通过同一个线性顶部电极连接,能够提高光学对准的偏移裕量。
-
公开(公告)号:CN101689403B
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN200880022914.0
申请日:2008-04-17
申请人: 美光科技公司
IPC分类号: G06F12/00
CPC分类号: H01L45/1253 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/003 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要: 本发明揭示一种电阻式存储器结构,举例来说,相变存储器结构(700),其包含一个存取装置(350)及两个或两个以上电阻式存储器单元(10a、10b)。每一存储器单元耦合到整流装置(660a、660b)以防止并联泄漏电流流动穿过未选存储器单元。在电阻式存储器位结构阵列中,来自不同存储器位结构的电阻式存储器单元经堆叠且共享整流装置。
-
公开(公告)号:CN104137261A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201380009237.X
申请日:2013-01-18
申请人: 美光科技公司
IPC分类号: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号: H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要: 本文中描述电阻性存储器单元结构及方法。一或多个存储器单元结构包括:第一电阻性存储器单元,其包括第一电阻可变材料;及第二电阻性存储器单元,其包括不同于所述第一电阻可变材料的第二电阻可变材料。
-
公开(公告)号:CN102376359B
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201110244342.4
申请日:2011-08-22
申请人: 庄建祥
发明人: 庄建祥
IPC分类号: G11C16/02 , H01L27/112
CPC分类号: G11C17/06 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L29/785 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要: 单次性可编程、电性熔丝、可编程电阻式的记忆体及方法,可编程电阻式记忆体包括:多个可编程电阻式存储单元,至少之一包括:一可编程电阻式元件被耦合到第一电源电压线;一二极管建构于多晶硅,包括至少有一第一端和一第二端,该第一端具有一第一型掺杂,该第二端具有一第二型掺杂,该第一端提供了该二极管的一第一端而该第二端提供二极管的一第二端,该第一端和第二端均存在一个共同的多晶硅上,该第一端被耦合到可编程电阻式元件,该而第二端被耦合到第二电源电压线;该第一和该第二端的掺杂剂是从金氧半导体元件源极或漏极的掺杂植入制造,经由施加电压到第一和第二电源电压线而改变电阻为不同的逻辑状态,该可编程电阻式元件被配置为可编程。
-
公开(公告)号:CN102522499B
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201110279954.7
申请日:2011-08-22
申请人: 庄建祥
发明人: 庄建祥
CPC分类号: G11C17/06 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L29/785 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要: 磁性记忆体、电子系统、记忆体及其提供方法,记忆体包括多个记忆存储单元,至少之一包括一存储元件有第一端和第二端,第一端耦合到第一电源电压线;一第一二极管及一第二二极管分别包括至少一第一端和一第二端;其中,第一、第二二极管的第一、第二端分别具有第一、第二类型掺杂,第一二极管的第一端耦合到存储元件的第二端,第二端耦合到第二电源电压线,第二二极管的第一端被耦合到第二或第三电源电压线,第二端耦合到存储元件的第二端,第一或第二二极管的第一端或第二端的掺杂是从CMOS的源极或漏极的掺杂植入制造;至少一二极管构建在多晶硅基体上;加电压到第一,第二和/或第三电源电压线,导通第一或第二二极管为一逻辑状态或另一逻辑状态。
-
公开(公告)号:CN102376888B
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201110225660.6
申请日:2011-08-03
申请人: 美光科技公司
发明人: 安德烈亚·雷达埃利 , 阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺 , 翁贝托·M·梅奥托 , 乔治·塞尔瓦利
CPC分类号: H01L45/06 , H01L23/5256 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/12 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要: 可在具有熔丝阵列的同一衬底上形成电阻式随机存取存储器阵列。所述随机存取存储器与所述熔丝阵列可使用同一活性材料。举例来说,所述熔丝阵列及所述存储器阵列两者均可使用硫属化物材料作为活性切换材料。主要阵列可使用若干组垂直沟槽隔离部的图案,且所述熔丝阵列可仅使用一组平行沟槽隔离部。因此,所述熔丝阵列可具有在邻近沟槽隔离部之间连续延伸的导电线。在一些实施例中,此连续线可减小穿过所述熔丝的导电路径的电阻。
-
公开(公告)号:CN102138233B
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN200980134692.6
申请日:2009-08-28
申请人: 康宁股份有限公司
IPC分类号: H01L45/00 , G11B7/2433
CPC分类号: G11B7/2433 , G11B7/253 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/12493 , Y10T428/12674 , Y10T428/12681 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
摘要: 本文描述了相变记忆材料,更具体描述了适用于相变记忆应用,如光学和电子数据存储的碲化GeAs材料。
-
公开(公告)号:CN103811513A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201310538289.8
申请日:2013-11-04
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
摘要: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括:下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层,该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度,该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。
-
公开(公告)号:CN103778955A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201310484751.0
申请日:2013-10-16
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: G11C11/56
CPC分类号: H01L23/576 , G06F21/86 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时,所述至少一个光伏电池产生电流,该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料,其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。
-
公开(公告)号:CN102543877B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201010611894.X
申请日:2010-12-29
申请人: 中国科学院微电子研究所
IPC分类号: H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L45/00
CPC分类号: H01L45/00 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/14 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16
摘要: 制备三维半导体存储器件的方法。本发明提出的将整个存储阵列转变为多个子存储阵列,改变多层阻变单元结构在下电极通孔刻蚀时候的一次刻蚀方式为各个子存储阵列的各自通孔刻蚀方式,通过通孔金属材料回填达到各个子存储阵列的相互连接。这种方案将明显降低在高密度集成过程中刻蚀工艺的工艺复杂性和难度,能够扩展整个存储阵列的阻变单元的集成层数。
-
-
-
-
-
-
-
-
-