公开(公告)号：CN1992268A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610146394.7

申请日：2006-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  林其渊 ,  李传英 ,  赵奕婷 ,  陈明贤

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种半导体电容装置。该半导体电容装置包括：介电层以及堆叠电容结构。其中介电层设置于基底上；堆叠电容结构设置于介电层内，其包括第一金属－绝缘层－金属电容以及位于其上方且与其并联的第二金属－绝缘层－金属电容，其中第一及第二金属－绝缘层－金属电容具有各自的上电极板及下电极板与不同组成的电容介电层。本发明能够增加电容的电容量密度，同时维持低的电压线性系数。

公开(公告)号：CN119604016A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411647145.0

申请日：2024-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡毓晋 ,  曾华伟 ,  吴伟诚 ,  江永平 ,  苏安治 ,  叶德强

IPC: H10D80/30 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 封装件包括：第一管芯，位于封装组件的第一侧上方并且接合至封装组件的第一侧，其中，第一管芯和封装组件之间的第一接合包括第一管芯的第一接合层和封装组件上的第二接合层之间的电介质至电介质接合，并且第一管芯和封装组件之间的第二接合包括第一管芯的第一接合焊盘和封装组件上的第二接合焊盘之间的金属至金属接合；再分布结构的第一部分，与第一管芯相邻并且位于第二接合层上方；以及第二管芯，位于再分布结构的第一部分上方并且使用第一导电连接件耦合至再分布结构的第一部分，其中，第一导电连接件电连接至第二接合层中的第一导电焊盘。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN118763070A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410771061.1

申请日：2024-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宏宾 ,  吴伟诚 ,  叶德强

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

Abstract: 用于集成电路的3D堆叠的封装器件包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的互连结构。将互连结构组织成多个器件区域，并且器件具有垂直延伸穿过第一器件区域中的互连结构的第一密封环以及垂直延伸穿过第二器件区域中的互连结构的第二密封环。互连结构也包括将第一密封环内的金属化图案电连接至第二密封环内的第二金属化图案的导线，其中，第一水平延伸导线延伸穿过第一密封环和第二密封环。本申请的实施例还涉及半导体器件、封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN117637603A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311335277.5

申请日：2023-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄靖祐 ,  叶德强 ,  柯亭竹

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/66 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供一种方法，所述方法包括：在第一衬底之上形成第一互连线结构，第一互连线结构中包括介电层及金属化图案，金属化图案包括包括顶部金属结构的顶部金属层；在第一互连线结构的顶部金属结构之上形成钝化层；形成穿过钝化层的第一开口；在第一开口中及钝化层之上形成探针垫，探针垫电性连接至第一顶部金属结构；对探针垫实行电路探针测试；移除探针垫；以及在钝化层之上的介电层中形成结合垫及结合通孔，结合垫及结合通孔电性耦合至所述顶部金属结构的第二顶部金属结构及所述顶部金属结构的第三顶部金属结构。

公开(公告)号：CN116825716A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310696395.2

申请日：2023-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾建富 ,  吴伟诚 ,  袁玉洁 ,  叶德强 ,  张宏宾 ,  谢正贤 ,  许立翰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535

Abstract: 本发明提供一种通过结构以及其形成方法获得制造灵活性和效率，其中可以形成RDL接触特征并与硅通孔(TSV)对齐，而不管用于形成TSV的制造过程和形成接触特征的制造过程之间的相应关键尺寸(CD)存在任何潜在不匹配。提供了用于底层TSV的自对准曝光的各种工艺，而不需要额外的微影步骤。

公开(公告)号：CN115274469A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210868282.1

申请日：2018-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  林岳霆 ,  苏安治 ,  叶名世 ,  叶德强

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还包括在切割区域中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口延伸穿过再分布结构并且暴露模塑料；以及从模塑料的第二侧朝向模塑料的第一侧通过切割穿过模塑料的与切割区域对准的部分来分离第一管芯和第二管芯，第二侧与第一侧相对。本发明实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110690642B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201910211329.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  袁嘉男 ,  沈诗国 ,  叶德强 ,  林瑀宏 ,  叶名世

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/323 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

公开(公告)号：CN107039290B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201611202277.8

申请日：2016-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，以及降低应用底部填充材料时毒害凸块下金属的风险的方法。在实施例中，间隔件位于第一凸块下金属和第二凸块下金属之间。当在第一凸块下金属和第二凸块下金属之间分配底部填充材料时，间隔件防止底部填充材料朝向第二凸块下金属蔓延。在另一实施例中，分配底部填充材料时，使用钝化层抑制底部填充材料的流动。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109786350B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201810584283.7

申请日：2018-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  苏安治 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  叶名世

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

Abstract: 在实施例中，一种器件包括：集成电路管芯；位于集成电路管芯上方的第一介电层；延伸穿过第一介电层以电连接至集成电路管芯的第一金属化图案；位于第一金属化图案上方的第二介电层；延伸穿过第二介电层的凸块下金属；位于二介电层和凸块下金属的部分上方的第三介电层；密封第三介电层和凸块下金属的界面的导电环；以及延伸穿过导电环的中心的导电连接件，导电连接件电连接至凸块下金属。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。

公开(公告)号：CN112242367A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010686308.1

申请日：2020-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  吴集锡 ,  叶德强 ,  叶名世 ,  林宗澍

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/16

Abstract: 封装件结构包括桥式管芯。桥式管芯包括半导体衬底；以及位于半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括介电层和位于介电层中的导线，将桥式管芯密封在其中的密封剂，以及位于桥式管芯上方的再分布结构。再分布结构中包括再分布线。第一封装组件和第二封装组件接合至再分布线。第一封装组件和第二封装组件通过再分布线和桥式管芯电互连。本发明的实施例还涉及形成封装件结构的方法。