-
公开(公告)号：CN104049021A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310554567.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414 , B81B7/00
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管（BioFET）以及一种制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相容的或者典型的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的一个或多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括：衬底、晶体管结构、隔离层、位于隔离层的开口中的界面层、以及位于界面层上方的金属冠结构。界面层和金属冠结构设置在晶体管的与栅极结构相对的一侧上。
-
公开(公告)号：CN104045053A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310661669.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B7/008 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , B81C1/00539 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2203/0118 , B81C2203/0127 , B81C2203/0742 , B81C2203/0778 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02247 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。
-
公开(公告)号：CN104045052A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310488777.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了微机电（MEMS）集成压力传感器和麦克风器件及其形成方法，该方法包括提供MEMS晶圆，其中，图案化该MEMS晶圆的一部分来提供麦克风器件的第一膜以及压力传感器件的第二膜。载体晶圆接合至MEMS晶圆，并且蚀刻该载体晶圆以将麦克风器件的第一膜暴露于周围环境。图案化MEMS衬底并且去除MEMS晶圆的第一牺牲层的部分以形成MEMS结构。盖晶圆接合至MEMS晶圆中的与载体晶圆相对的一侧上从而形成包括MEMS结构的第一密封腔体。在压力传感器件的第二膜的相对侧形成第二密封腔体和暴露于周围环境的腔体。
-
公开(公告)号：CN104045047A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310245334.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/419 , B81B3/0051 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00253 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , B81C2203/0778 , G11C5/063 , H01L23/528 , H01L27/1104 , H01L27/1116
Abstract: 本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。
-
公开(公告)号：CN103915422A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310105508.3
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2207/017 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426930A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310192704.9
申请日：2013-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的或者是典型的CMOS工艺的一个或多个工艺步骤形成BioFET。该BioFET器件可以包括衬底；设置在衬底的第一表面上的栅极结构和在衬底的第二表面上形成的界面层。界面层可以允许受体被放置在界面层上以检测存在的生物分子或生物实体。BioFET器件的放大因数可以由与第一表面上的栅极结构相关的电容和与第二表面上形成的界面层相关的电容的差值提供。本发明还提供了一种用于信号放大的具有双栅极生物场效应晶体管的系统和方法。
-
公开(公告)号：CN102417154A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110232182.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种用于制造含多接合衬底的MEMS器件的方法。在实施例中，该方法包括：提供包含第一接合层的微机电系统(MEMS)衬底；提供包含第二接合层的半导体衬底；以及提供包含第三接合层的盖。该方法还包括：在第一和第二接合层处将MEMS衬底接合至半导体衬底；以及在第二和第三接合层处将盖接合至半导体衬底，以紧密的封装盖与半导体衬底之间的MEMS衬底。本公开还提供了一种由上述方法制造的MEMS器件。
-
公开(公告)号：CN113571458B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202011394615.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 公开一种真空吸盘及一种用于在半导体制造工艺期间稳固翘起的半导体衬底以在半导体制造工艺期间提高翘起的半导体衬底的平坦度的方法。举例来说，一种半导体制造系统包括真空吸盘，真空吸盘被配置成固持衬底，其中真空吸盘包括：多个真空凹槽以及多个柔性密封环，所述多个真空凹槽位于真空吸盘的顶表面上，其中顶表面被配置成面向衬底；所述多个柔性密封环设置在真空吸盘上且从顶表面向外延伸，其中所述多个柔性密封环被配置成直接接触衬底的底表面且与所述多个真空凹槽相邻，以在衬底与真空吸盘之间形成真空密封，且其中所述多个柔性密封环中的每一者具有锯齿形横截面。
-
公开(公告)号：CN111115554B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201911036102.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种传感器。所述传感器包括：微机电系统(MEMS)衬底，设置在集成芯片(IC)之上，其中集成芯片界定第一空腔的下部部分及第二空腔的下部部分，且其中第一空腔具有与第二空腔的操作压力不同的第一操作压力。顶盖衬底设置在微机电系统衬底之上，其中顶盖衬底的第一对侧壁局部地界定第一空腔的上部部分，且顶盖衬底的第二对侧壁局部地界定第二空腔的上部部分。传感器区域及虚设区域二者设置在第一空腔中，传感器区域包括微机电系统衬底的能够移动的部分，虚设区域包括微机电系统衬底的固定部分。压力增强结构设置在虚设区域中。
-
公开(公告)号：CN107176587B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201611039292.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.032 seconds)
