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公开(公告)号：CN100490109C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610100023.5
申请日：2006-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L21/67259 , H01L21/67288 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种平坦度调整系统及可调变针型承载吸盘。该平坦度调整系统包括可调变针型承载吸盘、平坦度检测装置以及长度控制装置。该可调变针型承载吸盘具有底座以及至少一可调变顶针。其中，该底座具有一凹入部，该可调变顶针具有一压电元件以及一承载元件，该压电元件设置于该底座上，该承载元件设置于该压电元件上，并且具有一L形透孔，该L形透孔连通于该凹入部。该平坦度检测装置设置于该可调变针型承载吸盘之上。该长度控制装置电性连接于该平坦度检测装置以及该可调变顶针的压电元件，以及该长度控制装置用以改变压电元件的长度，以调整基材的待测表面的平坦度。使用本发明，可以很好地调整基材的待测表面的平坦度。
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公开(公告)号：CN111640652B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202010429964.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种图案化衬底的方法。该方法包括图案化形成在衬底上方的光刻胶层以生成光刻胶图案，以及利用离子束来处理该光刻胶图案。离子束由诸如CH4、SiH4、Ar或He的气体生成，并且该离子束以至少10°的倾斜角度被引导至光刻胶图案。在实施例中，离子束以一致的扭转角度或具有单峰或双峰分布的扭转角度被引导至光刻胶图案。离子束减小了光刻胶图案的线边缘粗糙度(LER)、线宽粗糙度(LWR)和/或临界尺寸。该方法还包括利用被处理的光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还提供了用于集成电路图案化的方法。
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公开(公告)号：CN111708250A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010531834.0
申请日：2013-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/20 , G03F1/58 , G03F7/039 , G03F7/095 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
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公开(公告)号：CN106094441B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510800502.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 远紫外(EUV)辐射源模块包括目标液滴发生器、第一激光源和第二激光源。目标液滴发生器配置为生成多个目标液滴。第一激光源配置为生成多个第一激光脉冲，第一激光脉冲在相应的激发位置处加热目标液滴，从而生成多个目标羽流。目标液滴的至少一个在与其他目标液滴不同的激发位置处被加热。第二激光源配置为生成多个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标羽流，从而生成发射EUV辐射的等离子体。本发明的实施例还涉及远紫外光刻收集器污染减少。
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公开(公告)号：CN105278256B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510282331.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F1/0046 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/70091 , G03F7/70116 , G03F7/70125 , G03F7/70283 , G03F7/70308
Abstract: 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。
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公开(公告)号：CN105629657A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510843839.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料。本发明实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。
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公开(公告)号：CN104656368A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410677613.9
申请日：2014-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种低EUV反射率掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层，位于第一区中的LTEM层上方的低EUV反射率(LEUVR)多层，位于第二区中的LTEM层上方的高EUV反射率(HEUVR)多层以及位于LEUVR多层和HEUVR多层上方的图案化的吸收层。本发明还涉及远紫外光刻工艺和掩模。
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公开(公告)号：CN104049468A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410072008.9
申请日：2014-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/70141
Abstract: 本发明提供了用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法，系统和方法包括提供用于测量衬底上的第一坐标处的衬底的第一形貌高度并且测量衬底上的第二坐标处的衬底的第二形貌高度。所测量的第一和第二形貌高度可以被提供为晶圆图。然后，使用晶圆图对衬底实施曝光工艺。曝光工艺可以包括：当曝光衬底上的第一坐标时，使用第一焦点，并且当曝光衬底上的第二坐标时，使用第二焦平面。使用第一形貌高度确定第一焦点，并且使用第二形貌高度确定第二焦点。
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公开(公告)号：CN101047141A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610100023.5
申请日：2006-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L21/67259 , H01L21/67288 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种平坦度调整系统及可调变针型承载吸盘。该平坦度调整系统包括可调变针型承载吸盘、平坦度检测装置以及长度控制装置。该可调变针型承载吸盘具有底座以及至少一可调变顶针。该平坦度检测装置设置于该可调变针型承载吸盘之上。该长度控制装置电性连接于该平坦度检测装置以及该可调变顶针，以及该长度控制装置用以改变该可调变顶针的长度。使用本发明，可以很好地调整基材的待测表面的平坦度。
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公开(公告)号：CN1534380A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200310124030.5
申请日：2003-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/20 , G03B27/42 , G03F1/00 , G03F7/70475
Abstract: 本发明公开了一种转移光罩图形的方法与装置以及制造光罩的方法，可藉以补偿光罩接合区(Stitching Area)因为接合效应(Stitching Effect)所产生的误差。本发明的转移光罩图形的方法至少包括以下步骤。首先，提供用以产生一光罩的一数据文件，并将此数据文件分成复数个部分，其中每一部分至少包括一主要图形区与一接合区，且此接合区至少包括一几何图形。然后，于接合区形成一组几何特征，其中于一照射过程后此组几何特征形成一半色调灰阶曝光剂量分布。
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