公开(公告)号：CN103956652A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410173909.7

申请日：2014-04-25

申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司

发明人： 唐松 ,  李连艳 ,  陈向飞

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/06258 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/124 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/5027

摘要： 一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构-等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫-曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt-joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。

公开(公告)号：CN101034727B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN200710085508.6

申请日：2007-03-07

申请人： 夏普株式会社

发明人： 川口佳伸 ,  神川刚

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/0287 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/44 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/221 ,  H01S5/223 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00

摘要： 一种氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氮化铝或氧氮化铝的第一涂膜和形成在第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜。第二涂膜的厚度至少为80nm并且至多为1000nm。这里，第一涂膜的厚度优选至少为6nm并且至多为200nm。

公开(公告)号：CN102790357A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210022516.7

申请日：2012-01-30

申请人： 天空公司

发明人： 詹姆斯·W·拉林 ,  保罗·鲁迪 ,  白辰东

IPC分类号： H01S5/40 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供了具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件。提供了一种用于以高功率发射电磁辐射的方法和装置，使用非极性或半极性含镓基板如GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN。在各种实施方式中，该激光装置包括集成有基板的发射绿色或蓝色激光的多个激光发射器。本发明的激光装置包括：含有镓和氮材料的基板，基板具有特征在于半极性或非极性取向的表面区，基板具有前侧和背侧；位于基板内的至少一个有源区；覆盖有源区的N个发射器的阵列，N大于3，N个发射器的阵列彼此基本上平行并且位于前侧和背侧之间；电耦接于N个发射器的阵列的至少一个电极；以及位于基板的前侧处的至少一个光学构件。

公开(公告)号：CN101902012B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010194130.5

申请日：2010-05-27

申请人： 夏普株式会社

发明人： 曾我部隆一

IPC分类号： H01S5/028

CPC分类号： H01S5/02252 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明提供了一种半导体激光装置，其结构包括半导体激光器芯片，具有发射面和反射面，发射面和反射面是谐振器的相对的端面；以及光电二极管，用于探测从所述反射面出射的光，光电二极管在光电二极管的灵敏度随波长增长而增高的波长带中使用。发射面具有形成于所述发射面上的第一电介质多层膜，反射面具有形成于所述反射面上的第二电介质多层膜，第一电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λf和第二电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λr满足关系λf＜λr。

公开(公告)号：CN102549860A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043448.1

申请日：2010-09-29

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  住友隆道 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊 ,  片山浩二 ,  中村孝夫

IPC分类号： H01S5/343

CPC分类号： H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14

摘要： 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。

公开(公告)号：CN102379071A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080016211.4

申请日：2010-04-07

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： J·高里尔 ,  D·V·库克森考弗

IPC分类号： H01S3/13

CPC分类号： H01S5/14 ,  H01S3/109 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/06246 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1039

摘要： 提供一种控制经频率转换的激光源的方法，其中激光源包括激光腔、外部光学反馈组件、波长选择组件以及波长转换器件，该方法包括利用相位控制信号驱动激光腔的相位区段，该相位控制信号包括具有调制幅度MOD的调制分量，该调制幅度MOD足以在光谱域中移位可用腔模式，使得在调制相位控制信号时建立在若干不同腔模式下的连续激光发射。

公开(公告)号：CN101141050B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710148293.8

申请日：2007-09-04

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 高山彻 ,  佐藤智也 ,  早川功一 ,  木户口勋

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/30 ,  G11B7/125

CPC分类号： H01S5/4031 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/162 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4087

摘要： 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1-W1)/2L1＜(W1-W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。

公开(公告)号：CN101861684A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116303.2

申请日：2008-10-15

申请人： 奥兰若技术公共有限公司

发明人： 斯蒂芬·莫尔迪克 ,  约格·特罗格 ,  尼古莱·马图舍克

IPC分类号： H01S5/14 ,  H01S5/065 ,  H01S3/067 ,  H01S3/0941

CPC分类号： H01S5/146 ,  H01S3/06754 ,  H01S3/094003 ,  H01S3/094076 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/1305 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/06835 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/141 ,  H01S2301/03 ,  H01S2301/06

摘要： 一种激光光源包括适合于脉冲操作的半导体激光器，部分传输波长选择光反射器。半导体激光器包括前腔面和后腔面。前腔面和后腔面限定内部激光腔。内部激光腔包括激光激活介质。部分传输波长选择光反射器具有在所述激光激活介质的增益带宽内的峰值反射率。波长选择光反射器和后腔面限定外部激光腔。外部激光器中的光的往返时间为大约20纳秒或更少。波长选择光反射器的半高全宽带宽适合于容纳内部激光腔的至少12个纵模和外部激光腔的至少250个纵模。

公开(公告)号：CN101645578A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910164136.5

申请日：2009-08-06

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 福田和久 ,  笹冈千秋 ,  多田健太郎 ,  五十岚俊昭 ,  宫坂文人 ,  小松启郎

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/028

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0283 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： 提供一种半导体激光器，可抑制高输出长时间驱动时共振器端面的端面保护膜的膜剥离，并且COD耐性强，输出高且寿命长。上述半导体激光器，从活性层(5)的端面射出激光，具有保护膜(20)，其设置在射出激光的端面上，并且由单层或多层的电介质膜构成。保护膜(20)中的氢浓度分布大致均匀。活性层(5)由包含Ga作为构成元素的III族氮化物半导体构成。保护膜(20)由至少与活性层(5)的端面直接接触的第一保护膜(21)和与第一保护膜(21)接触的第二保护膜(22)构成。第一保护膜(21)的氢浓度与第二保护膜(22)的氢浓度之比为0.5以上且2以下。

公开(公告)号：CN101540475A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910126852.4

申请日：2009-03-20

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 持田笃范 ,  长谷川义晃

IPC分类号： H01S5/028

CPC分类号： H01S5/0281 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/32341

摘要： 本发明实现氮化物半导体发光元件在高功率运行时的长期稳定运行。氮化物半导体发光元件具备氮化物半导体的多层膜。氮化物半导体的多层膜设置在基板上，由氮化物半导体结晶构成，含有发光层。在该氮化物半导体的多层膜上形成共振器的端面，在该端面的至少一个上设有由氮化铝结晶构成的保护膜。保护膜具有结晶轴与构成设有保护膜的共振面的端面的氮化物半导体结晶的结晶面相互成90度的结晶面。