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公开(公告)号：CN217112591U
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202220076539.5
申请日：2022-01-12
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本实用新型提供的一种IGBT模块的动态参数测试装置，包括电源模块、切换模块及上位机，其中，电源模块的第一端分别与第二待测器件的第一端及切换模块的第一端连接，电源模块的第二端与第一待测器件的第二端连接；切换模块的第二端与第一待测器件的第二端连接，切换模块的第三端与上位机连接，切换模块的第四端分别与第二待测器件的第二端及第一待测器件的第一端连接；上位机还分别与第一待测器件的控制端及第二待测器件的控制端连接。通过设置两条测试回路，使得两个待测器件互为陪测，当对其中一个待测器件测试结束后，通过切换模块，继续选定下一个待测器件接入测试回路进行动态参数测试，避免了人为替换测试器件，从而提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN216387279U
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202122531100.5
申请日：2021-10-20
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司烟台供电公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本实用新型公开了一种压接型IGBT模块高温反偏测试装置。压接型IGBT模块高温反偏测试装置包括：支撑框架。上加热板，上加热板通过上压力组件连接于支撑框架。下加热板，下加热板通过下压力组件连接于支撑框架。控制单元，控制单元分别电连接上加热板和下加热板。控制单元适于控制上加热板和下加热板从两侧分别压接待测IGBT模块，并对待测IGBT模块加热或降温。且控制单元适于电连接待测IGBT模块。上加热板和下加热板均暴露于空气中。本实用新型的压接型IGBT模块高温反偏测试装置使用加热板对待测IGBT模块直接加热，使得结温易于控制，可适用压接型IGBT模块的高温反偏测试。
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公开(公告)号：CN211183790U
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201922021052.8
申请日：2019-11-19
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件，其特征在于，所述压接型IGBT半桥器件包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极、第一IGBT单元、第二IGBT单元和电容器组；所述第一金属电极、第一IGBT单元、第三金属电极、第二IGBT单元、第二金属电极依次连接；所述电容器组的两端分别连接第一金属电极和第二金属电极。本实用新型提供的技术方案采用新型的IGBT半桥器件封装方式，与传统的IGBT半桥模块相比减少了缓冲电路额外造成的寄生电感，有效减少换流回路电压过冲。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208796983U
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201821038994.6
申请日：2018-06-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种半导体器件封装结构，该半导体器件封装结构，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；以及导电弹性部件，设置在所述半导体器件芯片与所述第一电极片之间和/或所述半导体器件芯片与所述第二电极片之间。该封装结构通过在半导体器件芯片与电极片之间设置导电弹性部件，通过该导电弹性部件缓冲并释放封装时施加在所述功率半导体器件芯片上的应力，有效保护功率半导体器件芯片不因局部受力过大而损坏，有效提高器件封装的可靠性，获得良好的封装和器件性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN105552038B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201510960406.9
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件，包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上安装有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块，所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组；所述凸台分布在所述四个区域内；所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割，降低了凸台在通过瞬态电流时，所产生磁场的相互影响，从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN104966704B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510436088.6
申请日：2015-07-23
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明提供了一种低热阻的压接式功率器件封装，包括上钼片、功率器件的芯片和弹簧探针，以及依次叠层布置的上端盖、液态金属导热片、PCB板、框架和下管壳；框架上设置有第一定位孔和第二定位孔；第一定位孔用于固定上钼片，第二定位孔用于固定弹簧探针；液态金属导热片敷设在上钼片的上表面；功率器件的芯片设置在上钼片和下管壳之间。与现有技术相比，本发明提供的一种低热阻的压接式功率器件封装，减少了纵向的叠层结构和横向热阻，使得温度分布均匀化，降低了功率器件封装的最高温度。
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公开(公告)号：CN101562158B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910085139.X
申请日：2009-06-02
申请人： 中国电力科学研究院 , 中电普瑞科技有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L23/427 , H01L23/367
摘要： 本发明涉及一种大功率半导体器件散热系统，其包括晶闸管压接散热器、冷却介质回流母管、冷却介质导入母管、冷却介质导流子管和外端热交换器。所述晶闸管压接散热器通过所述冷却介质导流子管并联到所述冷却介质回流母管和冷却介质导入母管上，所述冷却介质回流母管和冷却介质导入母管两端延伸与外端热交换器连接，从而形成冷却介质相变自循环回路。
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公开(公告)号：CN105552037B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201510960380.8
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心，由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时，部分电流过冲太大的问题，提高了压接式IGBT功率模块的可靠性，增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。
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公开(公告)号：CN104459277A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410734225.X
申请日：2014-12-04
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明提供了一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，包括步骤1：将罗氏线圈嵌入压接型IGBT的封装内部，采集IGBT芯片的电流信号；步骤2：压接型IGBT的主控单元依据电流信号调整IGBT芯片的驱动信号，以平衡IGBT芯片电流；若压接型IGBT由N个IGBT芯片并联组成时，在每个IGBT芯片对应的凸台的外围套置一个罗氏线圈；若压接型IGBT包括M个并联的IGBT模块，每个IGBT模块由N个IGBT芯片并联组成时，将每个IGBT模块中N个IGBT芯片对应的凸台作为一个凸台组，在每个IGBT模块的凸台组的外围套置一个罗氏线圈。与现有技术相比，本发明提供的一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，能够实现对大功率IGBT的并联均流控制和保护。
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公开(公告)号：CN102231531B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110172119.3
申请日：2011-06-23
申请人： 中电普瑞科技有限公司 , 中国电力科学研究院 , 国家电网公司
CPC分类号： Y02E10/763 , Y02E60/60
摘要： 本发明涉及一种风电场电网电压扰动模拟发生装置，该装置由完全独立且结构完全相同的A、B、C三相单个装置构成；所述每相工作时先经过变压器T1降压，然后经过至少一个AC/DC整流器整流，直流电容器C1、C2直到Cn起直流电压支撑作用，再经过至少一个DC/AC逆变器逆变，逆变输出后进行首尾串接，首尾相接为第一个DC/AC逆变器的尾端连接第二个DC/AC逆变器的首端，依次类推，串接完后剩下一个首端A和尾端Na；首端A再通过变压器T2升压到测试母线的电压等级，连接到测试母线。本发明提供的装置模拟实现风电并网电压等级下的电网电压扰动发生，实现能量的双向流动，满足风电机组在电动和发电状态的运行要求。
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