公开(公告)号：CN102449755A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200980159551.X

申请日：2009-05-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 辻高晴 ,  渡边源太

IPC分类号： H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： 本发明的半导体装置改善读出时生成参考电流的参考单元的写入干扰余裕。在配置有常态存储器单元(NMC0-NMC2)的常态单元区域(10N)中，设位线(BL)为包层布线构造(40)，在配置有参考单元(RMC)的参考单元区域(10R)中，设位线(BL)为部分或非包层布线构造(42)。当是同一写入电流时，使施加于参考单元的写入磁场强度比施加于常态存储器单元的写入磁场强度小。

公开(公告)号：CN102349139A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011141.3

申请日：2010-03-04

申请人： 美光科技公司

发明人： 罗伊·E·米德 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L21/60 ,  G11C11/15

CPC分类号： H05K1/0298 ,  B82Y99/00 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C19/0808 ,  H01L24/02 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/112 ,  H05K1/113 ,  H05K1/144 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/36 ,  H05K3/4697 ,  H05K7/04 ,  H05K2201/09381 ,  Y10S977/932 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭示包含第一衬底及第二衬底的电子装置。所述第一衬底包含包括至少大致彼此平行地穿过所述第一衬底的至少一部分的多个导电迹线的电路。多个接合垫定位于所述第一衬底的表面上且包含在所述多个导电迹线中的至少两者上方延伸的宽度。多个通孔从邻近所述导电迹线中的至少一些导电迹线延伸到所述多个接合垫。所述第二衬底接合到所述第一衬底且包含借助多个导电凸块耦合到所述第一衬底上的所述多个接合垫的电路。本发明还揭示存储器装置及形成电子装置及存储器装置的相关方法，还揭示电子系统。

公开(公告)号：CN102165530A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137671.X

申请日：2009-09-18

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 朱晓春 ,  升·H·康 ,  李霞

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： 本发明揭示一种减少存储器装置(100)的自由层(110)的自旋抽运感应阻尼的系统和方法。所述存储器装置包括反铁磁性材料(AFM)钉扎层(104)，其与位线存取电极(102)接触。所述存储器装置还包括：被钉扎层(106)，其与所述AFM钉扎层接触；隧道势垒层(108)，其与所述被钉扎层接触；以及自由层(110)，其与所述隧道势垒层接触。所述存储器装置包括自旋扭矩增强层(112)，其与所述自由层接触且与存取晶体管电极接触。所述自旋扭矩增强层经配置以实质上减少所述自由层的自旋抽运感应阻尼。

公开(公告)号：CN1747060B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200510091996.2

申请日：2005-08-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑元哲 ,  金奇南 ,  郑弘植 ,  郑基泰 ,  朴哉炫

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C7/00 ,  H01L43/00 ,  H01L27/10

CPC分类号： G11C11/16

摘要： 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。

公开(公告)号：CN101288186B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200680038128.0

申请日：2006-10-13

申请人： 原子能源局 ,  国家科学研究中心

发明人： B·迪耶尼 ,  A·维耶夫 ,  J·富尔-万桑 ,  P·瓦兰 ,  M·雅梅 ,  Y·萨姆森

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/12

CPC分类号： G11C11/15 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/305 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： 包括磁阻隧道结(100)的磁性器件，该磁阻隧道结包括：具有固定磁化方向的基准磁性层(120)，具有可变磁化方向的存储磁性层(110)；和作为隧道势垒的中间层(130)，该中间层实质是半导体或电绝缘的，用来分隔基准磁性层(120)和存储磁性层(110)。中间层(130)的电势分布图在所述层(130)的厚度内是非对称的，以便产生作为施加电压函数的非对称的电流响应随。本器件可用于磁性随机存取存储器。

公开(公告)号：CN1610001B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200410095945.2

申请日：2004-08-13

申请人： 株式会社东芝

发明人： 福住嘉晃

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/16

摘要： 一种具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法，该半导体存储器件，包括：多个存储单元、第1布线、第1电流驱动电路和第2电流驱动电路。存储单元包括具有第1铁磁性膜、在第1铁磁性膜上形成的绝缘膜，在绝缘膜上形成的第2铁磁性膜的磁阻元件。第1布线与存储单元中包含的磁阻元件靠近且隔离地设置。第1电流驱动电路在写入工作时向第1布线供给第1电流，在磁阻元件周围形成磁场。第2电流驱动电路在写入工作时和读出工作时，通过绝缘膜向第1、第2铁磁性膜之间供给第2电流。

公开(公告)号：CN102074266A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010593268.2

申请日：2010-12-17

申请人： 电子科技大学

发明人： 唐晓莉 ,  苏桦 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  钟智勇

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/161

摘要： 本发明公开了一种稳定剩磁态的自旋阀存储单元，是在基片往上依次设置缓冲层、铁磁层F1、反铁磁层、隔离层、铁磁层F1和覆盖层，其特征在于，该单元为菱形单元，且长轴与短轴之比等于或大于2。本发明的有益效果：通过将常用的椭圆存储单元形状改为菱形，降低了对制备工艺的要求，且通过微磁学模拟，发现菱形单元在长轴L与短轴W之比大于等于2的条件下，其剩磁态呈现单畴态，满足信息稳定存储的要求。

公开(公告)号：CN101290796B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200710197175.6

申请日：2007-12-10

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 何家骅

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/16

摘要： 一种磁性存储器的写入方法。磁性存储器包括第一磁性固定层、第二磁性固定层及磁性自由层。第一磁性固定层固定于第一磁性方向，第二磁性固定层固定于第二磁性方向。磁性自由层可磁化为第一磁性方向或第二磁性方向。写入方法包括：(a)施加外加磁场于磁性自由层；以及(b)提供第一电子流通过磁性自由层，以磁化磁性自由层为第一磁性方向或该第二磁性方向。

公开(公告)号：CN1992105B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200510135370.7

申请日：2005-12-31

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 马明 ,  韩秀峰 ,  姜丽仙 ,  韩宇男 ,  覃启航 ,  魏红祥

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01F10/12 ,  H01F41/14 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  B32B1/08 ,  B32B33/00

摘要： 本发明涉及一种环状含金属芯的磁性多层膜，包括一常规的磁性多层膜的各层；其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的环状，该圆环的内径为10～100000nm，外径为20～200000nm；还包括位于该环状多层膜的几何中心位置的一个金属芯，该金属芯的直径为5～50000nm。按照形成的材料分类，本发明的环状含金属芯的磁性多层膜包括无钉扎型环状含金属芯的磁性多层膜和钉扎型环状含金属芯的磁性多层膜，其可以通过微加工方法或绝缘体微米、亚微米或纳米颗粒掩模两种方法来制备。本发明的环状含金属芯的磁性多层膜无退磁场，形状各向异性微弱，能够广泛应用于以磁性多层膜为核心的各种器件，例如，磁性随机存取存储器，计算机磁头，磁敏传感器等。

公开(公告)号：CN1713299B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200510059171.2

申请日：2005-03-24

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 迈克尔·C·加蒂斯 ,  菲利普·L·特罗伊鲁德 ,  希瓦南达·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  戴维·W·亚伯拉罕

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/222

摘要： 在MRAM单元中，写入电流嵌入在低磁阻材料中，该低磁阻材料以几种方法中的一种来处理，以使得最接近存储元件的材料不能承载磁通，从而建立朝向存储元件集中磁通的马蹄形横截面。