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公开(公告)号：CN111952148A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010409492.5
申请日：2020-05-14
申请人： 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/463 , C30B25/20 , C30B29/16
摘要： 本发明的课题是，在以晶体层为基底使与该晶体层不同的半导体层生长的情况下，形成晶体缺陷密度较低的半导体层。本发明提供一种半导体层的生长方法，其具有下述工序：在表面有晶体层露出的基板的所述表面，使材料和晶体结构的至少其中一者与所述晶体层不同的第一半导体层生长的工序；将所述第一半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割的工序；以及在所述第一半导体层的切割面，使材料及晶体结构与所述第一半导体层相同的第二半导体层生长的工序。
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公开(公告)号：CN107623026B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710551971.9
申请日：2017-07-07
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。
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公开(公告)号：CN110724939A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910643973.X
申请日：2019-07-17
申请人： 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
IPC分类号： C23C18/12
摘要： 本发明涉及成膜方法和半导体装置的制造方法。实现以快的生长速度形成掺杂有锡的氧化镓膜。提出在基体上形成掺杂有锡的氧化镓膜的成膜方法。该成膜方法具有如下工序：一边加热上述基体，一边向上述基体的表面供给溶解有镓化合物和氯化锡(IV)·5水合物的溶液的雾。根据该成膜方法，能以快的生长速度形成包含锡(IV)作为供体的氧化镓膜。
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公开(公告)号：CN107623026A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710551971.9
申请日：2017-07-07
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。
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公开(公告)号：CN107004725A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580068085.X
申请日：2015-10-19
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/0465 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。
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公开(公告)号：CN106158602A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610322028.6
申请日：2016-05-16
申请人： 丰田自动车株式会社
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/6606 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/872 , H01L21/0495 , H01L29/66143
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，在所述半导体装置中，SiC基板的表面被热氧化膜覆盖，在该热氧化膜上形成有开口，在露出于该开口中的SiC基板的表面上形成有肖特基电极，并且漏泄电流较大。在SiC基板内形成半导体结构，在该SiC基板的表面上形成热氧化膜，对该热氧化膜的一部分进行蚀刻从而形成到达SiC基板的表面的开口，向该开口填充成为肖特基电极的材料。在从半导体结构的完成起至热氧化膜的形成为止的期间内，不经过在SiC基板的表面上形成牺牲热氧化膜的过程。
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公开(公告)号：CN102376759B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110251267.4
申请日：2011-08-16
申请人： 丰田自动车株式会社
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/30 , H01L21/263
CPC分类号： H01L29/8611 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397
摘要： 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。
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公开(公告)号：CN111627999A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010115774.4
申请日：2020-02-25
申请人： 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明抑制在具有上表面由(010)晶面构成的氧化镓基板的开关元件中的裂纹。本发明提供一种开关元件，其具有：氧化镓基板，其由氧化镓晶体构成；以及多个栅极，其隔着栅极绝缘膜与所述氧化镓基板相对。所述氧化镓基板的上表面与所述氧化镓晶体的(010)晶面平行。当俯视观察所述氧化镓基板的所述上表面时，各个所述栅极的长度方向与所述氧化镓晶体的(100)晶面延伸的方向相交。
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公开(公告)号：CN111304627A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911253610.1
申请日：2019-12-09
申请人： 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
摘要： 本发明抑制在成膜装置中生长的膜中混入意料不到的杂质。本发明提供一种成膜装置，其通过向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面生长，该成膜装置具有：加热炉，其收容并加热所述基体；以及喷雾供给装置，其向所述加热炉供给所述溶液的所述喷雾。所述成膜装置中的暴露在所述喷雾中的部分的至少其中一部分由含有氮化硼的材料制成。
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公开(公告)号：CN110622320A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880019440.8
申请日：2018-01-26
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。
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