公开(公告)号：CN106031005B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201580009332.9

申请日：2015-01-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟山悟

IPC: H02M3/155 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明的半导体模块(2)具备高电位配线(300)、输出配线(400)、低电位配线(500)、上臂开关元件(110)、上臂二极管(120)、下臂开关元件(210)和下臂二极管(220)。上臂开关元件(110)的稳态损耗/开关损耗比率被形成为与下臂开关元件(210)的稳态损耗/开关损耗比率相比较小。另外，上臂二极管(120)的稳态损耗/开关损耗比率被形成为与下臂二极管(220)的稳态损耗/开关损耗比率相比较小。

公开(公告)号：CN105932048A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610109040.9

申请日：2016-02-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟山悟 ,  岩崎真也

IPC: H01L29/32 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/407 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种具有寿命控制层并且批量生产时IGBT的导通电压不易产生偏差的半导体装置。本发明为具有具备IGBT区域的半导体基板的半导体装置。IGBT区域具有发射区、体区、漂移区、集电区。在体区中以隔着栅绝缘膜而对置的方式配置有栅电极。在漂移区内、且与半导体基板的厚度方向的中间部相比靠背面侧的范围内，形成有以层状分布的第一寿命控制层。第一寿命控制层内的结晶缺陷密度与相对于第一寿命控制层而在背面侧邻接的区域内的结晶缺陷密度、以及相对于第一寿命控制层而在表面侧邻接的区域内的结晶缺陷密度中的任何一方相比而较高。第一寿命控制层和背面之间的区域内的结晶缺陷密度与第一寿命控制层和表面之间的区域内的结晶缺陷密度相比而较低。

公开(公告)号：CN106030797B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480075282.X

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具有形成有IGBT的主IGBT区、形成有二极管的主二极管区、形成有IGBT的感测IGBT区、和形成有二极管的感测二极管区。体区与阳极区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。阳极区与集电区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。集电区的端部与体区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。

公开(公告)号：CN105981143B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201480075198.8

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟山悟 ,  岩崎真也 ,  堀内佑树 ,  大木周平

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其中，在沿着半导体基板的厚度方向而对在半导体基板(12)的表面上露出的第一导电型区域(38)中的第一导电型杂质的浓度分布进行观察时，从表面侧起形成有极大值N1、极小值N2、极大值N3、浓度N4，并满足N1＞N3＞N2＞N4的关系，且满足N3/10＞N2的关系，从表面起至具有极大值N1的深度(D1)为止的距离a与从具有极大值N1的深度(D1)起至具有极小值N2的深度(D2)为止的距离b的2倍相比较大。

公开(公告)号：CN104054179B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380006534.9

申请日：2013-01-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟 ,  小山雅纪 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体装置的半导体基板在从上方观看时，隔离区、IGBT区和二极管区都彼此相邻地形成。连接至主体区和阳极区的深区形成在隔离区中。在半导体基板内跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成了漂移区。跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成的集电极区，以及位于二极管区中的阴极区形成在暴露于半导体基板下表面上的区域中。集电极区与阴极区之间的边界位于二极管区中，处在切过隔离区与二极管区之间的边界、将所述隔离区与所述二极管区切分的剖面内。形成在隔离区中的集电极区具有比IGBT区中的集电极区更高浓度的掺杂杂质。

公开(公告)号：CN106206278A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610363414.X

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟山悟 ,  岩崎真也 ,  荒川盛司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/321 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种能够以均匀的深度向栅电极及其附近的半导体基板注入杂质，并且能够抑制所注入的杂质的扩散的绝缘栅型开关元件的制造方法。绝缘栅型开关元件的制造方法具有：沟槽形成工序、栅极绝缘膜形成工序、在沟槽内和半导体基板的表面上堆积由半导体构成的电极层的工序、对电极层进行研磨而使其基底层露出的工序、通过热处理而在沟槽内的电极层的表层部上形成盖绝缘膜的工序、杂质注入工序。在杂质注入工序中，自半导体基板的表面侧向从沟槽内的电极层跨至半导体基板的范围内注入杂质。

公开(公告)号：CN105830217A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480068878.7

申请日：2014-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟山悟

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/3223 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种小型且二极管的正向电压不易根据栅极电位而发生变化的半导体装置。在半导体基板的露出于上表面的范围内形成有阳极区和上部IGBT结构(发射区和体区)，沿着阳极区与上部IGBT结构的边界而延伸有沟槽、栅绝缘膜和栅电极，在所述半导体基板的露出于下表面的范围内形成有阴极区和集电区，在上表面侧结构与下表面侧结构之间形成有漂移区，结晶缺陷区跨及阴极区的上侧的漂移区内和集电区的上侧的漂移区内而延伸，在将半导体基板的厚度设为xμm，将结晶缺陷区的向集电区的上侧突出的部分的宽度设为yμm的情况下，满足y≥0.007x2?1.09x+126的关系。

公开(公告)号：CN105679813A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510882545.4

申请日：2015-12-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟山悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/4847 ,  H01L29/7393 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置采用了BPSG膜以作为绝缘膜，并且不易产生电极剥离。所提供的半导体装置具有导电层、第一绝缘膜、阻挡金属、接触电极以及表面电极。第一绝缘膜被配置在导电层上，并且表层部为BPSG膜，并具有接触孔。阻挡金属和接触电极被配置在接触孔内。表面电极被配置在BPSG膜和接触电极上。在BPSG膜与表面电极之间不存在阻挡金属，从而表面电极与BPSG膜直接接触。在表面电极中形成有接合衬垫。

公开(公告)号：CN104995737A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201380072872.2

申请日：2013-02-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095

Abstract: 本说明书公开了一种半导体装置，其在半导体基板上形成有至少包含IGBT区域的元件区域。IGBT区域具备集电层、漂移层、体层、被配置在从半导体基板的表面到达至漂移层的沟槽的内部的栅电极、发射层、与体层相比杂质浓度较高的接触层。在该半导体装置中，在将沿着半导体基板的表面且沟槽延伸的方向设为X方向，将沿着半导体基板的表面且与X方向正交的方向设为Y方向时，从接触层至发射层的X方向上的间隔与从接触层至沟槽的Y方向上的间隔相比较大。

公开(公告)号：CN106409897B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201610617751.7

申请日：2016-07-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟山悟 ,  药师川裕贵

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置在具有沟槽电极、势垒区、柱区的二极管中抑制了上部电极层的裂纹。在半导体装置中，在层间绝缘膜上形成有第一接触孔和宽度较窄的第二接触孔。在第二接触孔内配置有接触插头。跨及层间绝缘膜上、接触插头上以及第一接触孔内而配置有上部电极层。保护绝缘膜被配置在元件外部区域上。保护绝缘膜的在与沟槽交叉的方向上延伸的端部穿过多个第二接触孔的上部而延伸。阳极区与第一金属层(接触插头)相接。柱区与第一接触孔内的上部电极层相接。