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公开(公告)号：CN106711140A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610723801.X
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/563 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/02373 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06133 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/81815 , H01L2924/351 , H01L2924/35121
Abstract: 示例性半导体器件包括半导体衬底和在半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括功能电路区和通过缓冲区与功能电路区间隔开的密封环的第一部分。器件还包括在互连结构上方的钝化层和在钝化层上方并且连接密封环的第一部分的密封环的第二部分。密封环的第二部分设置在缓冲区中。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051386A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310389008.7
申请日：2013-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种封装件，包括具有顶面的第一封装部件、接合至第一封装部件顶面的第二封装部件，以及位于第一封装部件顶面的多个电连接件。模塑料位于第一封装部件的上方并且将第二封装部件模塑在其中。模塑料包括与第二封装部件重叠的第一部分，其中，第一部分包括第一顶面；以及第二部分，第二部分包围第一部分并且将多个电连接件的底部模塑在其中。第二部分具有低于第一顶面的第二顶面。本发明还提供了具有模塑料形成的台阶的封装件。
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公开(公告)号：CN104051386B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201310389008.7
申请日：2013-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种封装件，包括具有顶面的第一封装部件、接合至第一封装部件顶面的第二封装部件，以及位于第一封装部件顶面的多个电连接件。模塑料位于第一封装部件的上方并且将第二封装部件模塑在其中。模塑料包括与第二封装部件重叠的第一部分，其中，第一部分包括第一顶面；以及第二部分，第二部分包围第一部分并且将多个电连接件的底部模塑在其中。第二部分具有低于第一顶面的第二顶面。本发明还提供了具有模塑料形成的台阶的封装件。
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公开(公告)号：CN106711140B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201610723801.X
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/50
Abstract: 示例性半导体器件包括半导体衬底和在半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括功能电路区和通过缓冲区与功能电路区间隔开的密封环的第一部分。器件还包括在互连结构上方的钝化层和在钝化层上方并且连接密封环的第一部分的密封环的第二部分。密封环的第二部分设置在缓冲区中。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN103681587B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310004946.0
申请日：2013-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/10125 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/16145 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 应力降低装置。一种结构包括：在第一半导体管芯的顶面上形成的多个连接件；在第一半导体管芯上形成并且通过多个连接件连接到第一半导体管芯的第二半导体管芯；以及在第一半导体管芯的边缘和多个连接件之间形成的第一伪导电平面，其中第一伪导电平面的边缘和第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度，其中第一角度小于或者等于45度。
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公开(公告)号：CN103681587A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310004946.0
申请日：2013-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/10125 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/16145 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 应力降低装置。一种结构包括：在第一半导体管芯的顶面上形成的多个连接件；在第一半导体管芯上形成并且通过多个连接件连接到第一半导体管芯的第二半导体管芯；以及在第一半导体管芯的边缘和多个连接件之间形成的第一伪导电平面，其中第一伪导电平面的边缘和第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度，其中第一角度小于或者等于45度。
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