公开(公告)号：CN102820275A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210184230.9

申请日：2012-06-05

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： 维贾伊·乌拉尔 ,  阿尔卡迪·V·萨莫伊洛夫

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本申请案涉及一种晶片级封装装置。所述晶片级封装装置的两个邻近附接凸块之间的最小距离小于所述两个邻近附接凸块之间的间距的约百分之二十五(25％)。两个邻近附接凸块之间的最小距离允许增加每面积的附接凸块的数目而不缩减凸块的大小，这增加了焊接可靠性。增加的焊接可靠性可缩减对附接凸块的应力，尤其是由在热循环试验期间的CTE失配、在跌落试验或循环弯曲试验期间的动态变形等等引起的应力。

公开(公告)号：CN101521170A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200810187362.0

申请日：2008-12-29

申请人： 奇梦达股份公司

发明人： 艾尔弗雷德·马丁 ,  芭芭拉·哈斯勒 ,  马丁·弗拉诺施 ,  克劳斯-京特·奥珀曼

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC分类号： H05K3/3452 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11422 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/2081 ,  H05K2203/043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及一种焊接触点及其形成方法。相应地还涉及一种集成电路，包括衬底和衬底上的结构层。结构层包括到衬底的开口，在衬底上具有第一范围和第二范围，其中，第一范围和第二范围至少部分地与开口重叠。集成电路还包括第一范围区域内的第一材料和第二范围区域内的第二材料。第一材料通过焊接材料阻止潮湿，以及第二材料通过焊接材料提供潮湿。

公开(公告)号：CN1988133A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610171222.5

申请日：2006-12-21

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 野间崇

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H04N5/225

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06154 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14154 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一种封装型半导体装置及其制造方法，其谋求不使制造工序复杂化而提高可靠性及成品率。在形成平头电极(4)的半导体基板(2)的表面形成树脂层(6)及支承体(7)。蚀刻除去树脂层(6)及支承体(7)而露出平头电极(4)。如图3(c)所示，该蚀刻同时除去隔着切割线DL相向的两个导电端子形成区域(9)和其间连续区域上的支承体(7)，而形成开口部(10)。之后，在开口部(10)露出的平头电极(4)上，形成金属层(11)，进而形成导电端子(12)。最后，通过沿切割线DL切割而将半导体基板(2)分割为各个半导体芯片。

公开(公告)号：CN106992163A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610836377.X

申请日：2016-09-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑志楷 ,  谢政杰 ,  黄诗雯

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/08054 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/32113 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/13 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13012

摘要： 公开了一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件。该半导体器件包括具有衬底穿孔(TSV)的半导体衬底；半导体衬底上且包括其中的多个凹槽的介电层；以及位于半导体衬底之上以覆盖介电层部分和延伸至凹槽的焊盘；其中，焊盘延伸至多个凹槽，以及在焊盘和导电层之间的凹槽中限制多个接触点，以及当自上向下角度看时，每个接触点至少部分地被排除在TSV的边界之外。本发明实施例涉及具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法。

公开(公告)号：CN103681587B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310004946.0

申请日：2013-01-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄曜群 ,  徐语晨 ,  刘浩君 ,  庄其达 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： 应力降低装置。一种结构包括：在第一半导体管芯的顶面上形成的多个连接件；在第一半导体管芯上形成并且通过多个连接件连接到第一半导体管芯的第二半导体管芯；以及在第一半导体管芯的边缘和多个连接件之间形成的第一伪导电平面，其中第一伪导电平面的边缘和第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度，其中第一角度小于或者等于45度。

公开(公告)号：CN103681614B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310218344.5

申请日：2013-06-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈冠宇 ,  林育蔚 ,  曾裕仁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种迹线上凸块（BOT）结构包括由集成电路支撑的接触元件、电连接到接触元件的凸块下金属化（UBM）部件、位于凸块下金属化部件上的金属凸块以及位于基板上的基板迹线。基板迹线通过焊料接点和介面合金共化物连接到金属凸块；介面合金共化物的第一横截面积和焊料接点的第二横截面积的比率大于40%。

公开(公告)号：CN103681590A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310428929.X

申请日：2013-09-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林彦良 ,  曾裕仁 ,  黄昶嘉 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供了一种凸块结构的实施例，包括：形成在衬底上的接触元件；覆盖衬底的钝化层，钝化层具有露出接触元件的钝化开口；覆盖钝化层的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层具有露出接触元件的聚酰亚胺开口；电连接至接触元件的凸块下金属化层（UBM）部件，凸块下金属化层部件具有UBM宽度；以及位于凸块下金属化层部件上的铜柱，铜柱的远端具有铜柱宽度，并且UMB宽度大于铜柱宽度。本发明还提供了一种形成凸块结构的方法。

公开(公告)号：CN103681587A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310004946.0

申请日：2013-01-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄曜群 ,  徐语晨 ,  刘浩君 ,  庄其达 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： 应力降低装置。一种结构包括：在第一半导体管芯的顶面上形成的多个连接件；在第一半导体管芯上形成并且通过多个连接件连接到第一半导体管芯的第二半导体管芯；以及在第一半导体管芯的边缘和多个连接件之间形成的第一伪导电平面，其中第一伪导电平面的边缘和第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度，其中第一角度小于或者等于45度。

公开(公告)号：CN107623017A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710568790.7

申请日：2017-07-13

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 柳承洙 ,  梁正道 ,  赵正然

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/13 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/11 ,  H01L27/1214 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11011 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169

摘要： 公开了显示设备及制造显示设备的方法，显示设备包括：柔性衬底，具有用于显示图像的显示区域和在显示区域外部的外围区域；第一焊盘电极，位于柔性衬底的外围区域中；以及驱动器，连接至第一焊盘电极。驱动器包括：电路板，包括驱动电路；第二焊盘电极，位于电路板的一侧上并且面向第一焊盘电极；凸起结构，位于第二焊盘电极的一侧上并且具有椭圆形横截面；以及凸块电极，位于凸起结构的一侧上并且连接至第一焊盘电极。凸块电极包括覆盖凸起结构的柱以及从柱的一侧延伸并且向第一焊盘电极突出的凸起部分。

公开(公告)号：CN107204316A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710108000.7

申请日：2017-02-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金永培

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05097 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  H01L24/10 ,  H01L24/02 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/12105

摘要： 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括设置在其中的电路层；焊盘，设置在半导体基底上，焊盘电连接到电路层；以及金属层，电连接到焊盘。金属层包括：第一通路，电连接到焊盘，第一通路在金属层与电路层之间提供电路径；以及第二通路，朝向半导体基底突出，第二通路在半导体基底上支撑金属层。